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標題: ESD失效分析求助 [打印本頁]
作者: andyjackcao    時間: 2010-11-20 02:59 PM
標題: ESD失效分析求助
2颗VDD到地测试5 |' ^" w. Q* s! z! W$ D
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效5 x1 r9 ^1 W! m# T* m$ c2 A
2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
' ]9 {5 [& C3 }" t电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构% \0 w# b+ x, t) z; j
失效机理是怎么会事，多谢
作者: klim    時間: 2011-1-18 02:32 PM
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:) _# p  Z8 @1 C8 S2 w- z" A& D
1. 請問製程為何?
3 J6 V9 n8 e" K, B; O, N2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
; S) d! y% [3 T2 P/ E( S5 Q. q3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
6 ~# N- F2 e. |要有上述的數據才能做最基本的分析.
作者: andyjackcao    時間: 2011-3-27 11:34 AM
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
0 O9 X# ?0 R6 e0 H1. 請問製程為何?
4 Z9 B# c4 p  a" K+ K# P2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
: I6 _0 x8 X/ ^klim 發表於 2011-1-18 14:32

" j+ j" B6 `6 n' s+ Z9 i% Q0 \* s4 e
1), 請問製程為何?) V) W# `/ Z8 g* I
tsmc 0.18um
/ Q% W( M$ i" O7 {! o% F& {. W8 e* @  l$ f8 u
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
! J7 c2 L: {6 {& w' ]2 e  g两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
9 z( q0 X8 ]& e: ^/ P- `$ d/ k5 ^! F( |; M5 D
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置
作者: postme    時間: 2012-2-12 01:41 PM
感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？
作者: andyjackcao    時間: 2012-3-13 08:20 PM
感谢关注,ESD问题已经解决
作者: tuza2000    時間: 2012-7-12 12:21 PM
how to resolved it????
作者: andyjackcao    時間: 2012-8-21 09:40 PM
在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路
作者: chang707070    時間: 2013-10-13 02:30 AM
在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??0 e. e4 u. q3 H( h
均勻是指什麼9 a0 D3 l0 h( \7 N% V" C
方便貼圖上來嗎



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