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標題: ESD失效分析求助 [打印本頁]

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作者: andyjackcao    時間: 2010-11-20 02:59 PM
標題: ESD失效分析求助
2颗VDD到地测试
. K+ h# S3 @- \2 A8 w1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
9 o! z! o6 |8 V, p+ Q1 r2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
3 D/ h) t$ z6 t2 S4 }' o失效机理是怎么会事，多谢

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作者: klim    時間: 2011-1-18 02:32 PM
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
1 Z2 v2 u2 q( y+ C要有上述的數據才能做最基本的分析.

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作者: andyjackcao    時間: 2011-3-27 11:34 AM

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
. C# T5 k" `! Z0 {9 P- s0 Cklim 發表於 2011-1-18 14:32

* `/ n( N1 m1 B9 M) ^* r
1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um
7 G) U6 O$ h1 `' i
" p1 K! e; `! Z  R$ y' p6 T2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
0 W+ d$ b( _0 c2 x4 I$ ]两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
& ]( H' ?& B% o( F
. S7 Y5 B+ `7 m5 W" B. _3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

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作者: postme    時間: 2012-2-12 01:41 PM
感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

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作者: andyjackcao    時間: 2012-3-13 08:20 PM
感谢关注,ESD问题已经解决

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作者: tuza2000    時間: 2012-7-12 12:21 PM
how to resolved it????

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作者: andyjackcao    時間: 2012-8-21 09:40 PM
在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

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作者: chang707070    時間: 2013-10-13 02:30 AM
在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
6 Z  A$ r( u$ {$ [1 N均勻是指什麼
方便貼圖上來嗎

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