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標題: 二极管与MOS管做ESD保护的区别 [打印本頁]
作者: andyjackcao    時間: 2010-10-31 10:46 AM
標題: 二极管与MOS管做ESD保护的区别
在做ESD时，GGNMOS与二极管的差异有哪些.
2 ]3 O3 ?$ U3 N7 J我考虑到的有：
/ X3 i  P0 a4 o" j& C) F# G1），GGNMOS的放电路径要比二极管多；
0 R* V8 }/ a1 Z8 U* Q8 ^4 T* f* p) S' Z2），在相同的面积下，计算得到MOS的寄生电容与二极管在一个数量级。
5 y! r/ `4 ?2 N3），GGNMOS工作在截至区，不会产生沟道噪声，也不会引入其他噪声；" N) ^8 }/ F* x% r. I# }9 |
所以，采用相同面积的GGNMOS可以替代同样面积的二极管。( r) R) H6 i% T, m
结论对不？- u- E. ?& O. b( K! p, k8 m- d
多谢
作者: andyjackcao    時間: 2010-10-31 06:23 PM
芯片是一款ADC芯片，可工作在80M的采样频率下
作者: andyjackcao    時間: 2010-11-1 07:48 PM
还请大大帮忙解决下这个问题：）
作者: andyjackcao    時間: 2010-11-9 08:11 PM
1),二极管没有SiO2,在CDM模式下，不容易失效
# M" k: S- N* R( ~, P' ?2),由于二极管参数可以做到很对称，在RF ESD，可经常使用，从而让PAD的阻抗匹配
作者: andyjackcao    時間: 2010-11-19 07:37 PM
1),二极管经常在Rail-ESD结构中使用，从而减少PAD的寄生电容, X1 B0 }8 M7 w. e* d
2),MOS经常在 PAD-ESD结构中使用，可不考虑PAD的寄生电容1 x3 K5 _. R- `6 A% {; e
所以，要实现二极管对芯片的保护，还要结合整体结构来考虑
作者: franklu1227    時間: 2010-12-15 04:29 PM
怎么只剩楼主一个人自言自语了？
作者: andyjackcao    時間: 2011-9-2 09:57 PM
二极管可避免snapback，也就避免了不均匀放电；
3 R* o( N7 T- {# [+ C+ c& F: _# G" r# B如果电源到地的通路足够强，二极管的ESD可做的比较好。
作者: szona44250    時間: 2021-8-25 09:58 AM
感謝大大的分享，受益無窮5 s% a6 v3 H/ L/ H* a
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謝謝



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