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標題: 電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在 [打印本頁]

作者: atitizz 時間: 2010-8-25 10:16 AM
標題: 電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在
反正這裡沒太多好康相報？來作些知識測驗？

是在反激式轉換器中

作者: atitizz 時間: 2011-1-25 04:00 PM
快捷半導體UniFET™ II MOSFET推動消費性產品功率轉換器最佳化
為平板顯示器和照明設備、電腦電源和智慧型環保電源產品帶來高效率和高可靠性
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開關電源的設計人員需要能夠承受逆向復原電流尖峰、同時可減低開關損耗的高電壓MOSFET元件，因此，快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 以精深的MOSFET技術知識，開發出最佳化功率MOSFET產品UniFET™ II MOSFET以應需求。新產品具有更佳的寄生二極體和更低的開關損耗，並可在二極體復原dv/dt模式下承受雙倍電流應力。

快捷半導體的UniFET II MOSFET之逆向復原性能較其它解決方案提升50%。如果逆向復原速度較慢，則無法處理高逆向復原電流尖峰，導致更高的開關損耗，以及功率MOSFET過熱。而快捷半導體的解決方案則能夠承受較現有解決方案高兩倍以上的電流應力。

作者: atitizz 時間: 2011-1-25 04:00 PM
UniFET II MOSFET元件以快捷半導體的進階平面技術為基礎，能夠提供更佳的品質因數(FOM) (FOM: RDS(ON) * Qg)、更低的輸入和輸出電容，以及業界最出色的逆向復原性能，同時具有高效率。而且，這些MOSFET元件在小型封裝中容納了大量的功率，但不會產生過多的熱量，所以能夠提升用於液晶體電視和電漿電視的SMPS，以及用於照明系統、電腦電源、伺服器和電訊電源的SMPS應用的整體效率。

UniFET II MOSFET系列的首批產品包括FDPF5N50NZ和FDPF8N50NZ N通道 MOSFET。FDPF5N50NZ是500V，4.5A，1.5Ω元件，在VGS = 10V，ID = 2.25A下具有1.38Ω (典型值)的RDS(ON)；以及低閘極電荷(典型值9nC)。FDPF8N50NZ則是 500V，8A，0.85Ω元件，在VGS = 10V, ID = 4A下具有0.77Ω (典型值)的RDS(ON)；以及低閘極電荷(典型值14nC)。

這些MOSFET為業界少數具有2kV HBM 穩健ESD性能的元件，有助保護應用設備免受不良的靜電事件所影響。

快捷半導體作為功率電子技術的領導廠商，將繼續提供功能、製程和封裝技術方面的獨特組合，以應對電子設計的各種挑戰。這些MOSFET都是快捷半導體全面的MOSFET產品系列的一部份，它們可為設計人員提供從-500V至1000V的特大崩潰電壓範圍、先進封裝和業界領先的FOM因數，能為任何需要功率轉換的應用提供高效率的功率管理。

價格(訂購1,000個):
FDPF5N50NZ的單價為0.69美元
FDPF8N50NZ的單價為0.86美元

供貨：現已提供樣品
交貨期：收到訂單後10週

作者: tk02376 時間: 2011-2-25 01:32 PM
標題: 快捷半導體Ultra FRFET™ MOSFET榮獲二○一○年電子成就獎「年度電源產品獎」
全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈，其Ultra FRFET™系列MOSFET在由《電子工程專輯》雜誌舉辦的二○一一年中國電子成就獎中，獲選為「年度電源產品獎」得獎產品。

快捷半導體資深副總裁金台勛博士表示：「這個獎項是由《電子工程專輯》的讀者投票評選的，因而代表我們開發這項技術所付出的努力時間得到了中國工程師的認可，令人感到自豪。Ultra FRFET系列元件能夠幫助用戶保持領先的創新水平和領導地位，開發出推動世界經濟發展，同時能夠改善人們日常生活的產品。」

快捷半導體在二月二十四日於深圳舉辦的二○一一年中國電子成就獎頒獎典禮上接受獎項。

獲獎的Ultra FRFET系列元件專為液晶體電視電源應用而設計。拜技術進步之賜，快捷半導體的半橋解決方案Ultra FRFET系列可提供35ns~65ns的同級最佳反向恢復時間(trr)和業界最小的反向恢復電流(1.8 ~ 3.1A)，從而達成最佳化設計。目前的液晶電視設計使用MOSFET和半橋電路中的兩個快速恢復二極體(fast recovery diodes, FRD)及兩個阻隔二極體來提供非零電壓切換，其中FRD的主要作用為降低反向恢復電流，而阻隔二極體則可以防止MOSFET的內建二極體導通，並消除二極體的大反向恢復電流。

金博士表示：「Ultra FRFET系列MOSFET是具有突破性的解决方案，與目前使用的傳統方法相比，該方案能為中國的設計工程師提供了顯著的優勢，能夠減少元件數量、簡化設計，同時提高可靠性，從而大幅降低成本。Ultra FRFET系列MOSFET贏得中國電子成就獎年度電源產品獎，進一步證實快捷半導體實踐承諾，提供幫助客戶取得成功的卓越技術。」

作者: globe0968 時間: 2011-3-9 07:54 AM
英飛凌推動高效率電源轉換設計：中電壓 MOSFET 讓 CanPAK™ 產品系列更臻完備

【2011 年 3 月 8 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 於美國 APEC 2011展覽會上推出 OptiMOS™ 中電壓 MOSFET 已推出 CanPAK™1) 封裝之產品，適用於各種工業用途，例如DC／DC轉換器、太陽能微型逆變器、太陽能能源系統中的最大功率點追蹤器 (MPPT)、低電壓驅動裝置及伺服器的同步整流。新推出的60V-150V MOSFET 採CanPAK™ 封裝，可讓電源系統工程師最佳化其設計，以獲得理想的功率密度、效率及優異的散熱表現，同時只需要極小的佔板空間。上述最佳化有助於節省成本並延長運作壽命，應用範圍涵蓋伺服器到再生能源系統。

相較於標準的分離式封裝，CanPAK™ 金屬「罐」結構可達到雙面散熱以及幾乎無封裝寄生電感，因此可帶來最高的效率及系統微型化。此封裝的頂端熱阻極低（1.5 K/W vs. 於傳統 DPAK 為 55K/W），因此可在太陽能設備功率轉換系統中的靜態空氣對流，或經常用於資料中心伺服器的風扇輔助氣流環境中發揮高效率的散熱功能。

OptiMOS™ MOSFET 效能進一步證實了 CanPAKTM 的優點，擁有業界最低，全電壓範圍的RDS(on) 及 Qg。低閘電荷 (Qg) 可在快速切換的應用中帶來最低的切換損耗，例如電信應用的隔離型DC／DC轉換器，以及太陽能能源系統中的太陽能微型逆變器與 MPP 追蹤器。英飛凌的 CanPAKTM 產品擁有業界最佳的 RDS(on)，在馬達控制等高電流應用中，展現了最低的功率損耗。這些產品也非常適用於其他工業用途，例如交換式電源供應器 (SMPS) 的同步整流。

目前已提供產品工程樣本，並將於 2011 年 4 月進行生產。OptiMOSTM 60V-150V 採用 CanPAKTM 封裝，可提供 2.8 至 28mOhm 的 RDS(on) 等級。如為少量採購（數量 10k），單位定價為 0.40 美元起。

作者: globe0968 時間: 2011-4-6 02:48 PM
Microchip擴充MOSFET驅動器系列產品
提供自2A至4.5A峰值電流輸出的低端驅動元件擁有關閉模式的輸入控制接腳並搭配常用封裝選項

全球領先的微控制器、類比元件暨快閃技術供應商Microchip Technology宣佈，擴充MOSFET驅動器系列產品。Microchip基於MCP14E3/4/5 4.5A MOSFET低端(low-side)驅動器的成功基礎，推出新款低端MCP14E6/7/8 2A和MCP14E9/10/11 3A驅動器。新款低成本元件系列的額定峰值輸出電流為2A至4.5A，工作電壓範圍寬達4.5V至18V。全新元件具備致能輸入控制接腳(enable input pin)，提供關閉模式以節省功耗。採用8接腳SOIC和8接腳6mm × 5mm DFN封裝。該元件是伺服器、個人電腦和筆記型電腦等消費性電子所採用電源的理想選擇。

作者: globe0968 時間: 2011-4-6 02:48 PM
工程人員致力於在成本限制下實現更低功耗、更多功能和更小封裝的設計；而Microchip擴充的MOSFET驅動器系列可以滿足這些需求—全新MCP14E6/7/8內建兩組元件額定峰值輸出電流為2A；而全新MCP14E9/10/11兩組元件的峰值輸出電流為3A。這些驅動器的工作電壓寬達4.5V至18V，允許大範圍的輸入電壓。此外，這些小型封裝的驅動器所佔用的電路板空間很有限，因此可透過縮減電路板尺寸、進一步降低成本。

Microchip類比與介面產品部門行銷副總裁Bryan J. Liddiard表示：「經擴充的Microchip MOSFET驅動器系列協助客戶更靈活地選擇符合其應用需求的產品。」

除此之外，Microchip類比和介面產品部門的資深行銷經理Ray DiSilvestro更補充說：「Microchip透過推出這些新產品，充實其全系列高端和低端驅動器的產品陣容，除了具備0.5A至12A的峰值輸出電流，也同時考慮客戶的需要、以低成本提供所需的封裝。」

封裝和供貨時程

MCP14E3/4/5、MCP14E6/7/8和MCP14E9/10/11 MOSFET驅動器採用8接腳SOIC封裝；除此之外也提供8接腳的6mm × 5mm DFN封裝。

作者: globe0968 時間: 2011-5-12 10:07 AM
Diodes新型DFN3020封裝MOSFET節省70%空間
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台灣— 5月12日— Diodes公司近日推出了旗下有助於節省空間的DFN3020封裝分立式產品系列中的首批MOSFET。這3款雙重MOSFET組合包含了20V和30V N通道及30V互補性元件。這些雙重DFN3020 MOSFET的電學性能與較大型的SOT23封裝零件一樣，而且一顆新元件就可以取代2顆SOT23封裝的MOSFET，因而能節省70%的電路板空間。

DFN3020 MOSFET的佔位面積只有6平方毫米，較使用SOT23或TSOP-6封裝的面積少了40%，離板高度為0.8毫米，適用於像平板電腦或小筆電 (Netbook) 等空間有限、體積小巧的消費性電子產品中的負載開關或升壓轉換電路。這款互補型DFN3020 MOSFET還可用作半橋 (half bridge) 來驅動工業應用中的馬達負載。

這些MOSFET的結點到環境熱阻 (ROJA) 為83ºC/W，功率耗散可連續保持在2.4W，操作溫度也可低於SOT23封裝的MOSFET，有助於提高可靠性。

ZXMN2AMC (雙重20V N通道)、ZXMN3AMC (雙重30V N通道) 和ZXMC3AMC (互補性30V) DFN3020封裝的MOSFET現在已上市。

作者: atitizz 時間: 2011-5-17 11:10 AM
快捷半導體60V PowerTrench® MOSFET元件滿足設計人員對更低傳導損耗和開關損耗之需求能夠縮小電源尺寸，提高功率密度，同時提升設計效率
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DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用，以及伺服器的次級同步整流應用的設計人員，均需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的MOSFET元件，以期提高設計的效率。

為了滿足這一需求，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor®)開發出N通道PowerTrench® MOSFET元件FDMS86500L，該元件之設計可大大減低傳導損耗和開關節點振鈴雜訊(switch node ringing)，同時提升DC-DC轉換器的整體效率。

FDMS86500L是採用業界標準5mm x 6mm Power 56封裝的元件，它結合先進的封裝技術和矽技術，可大幅降低導通阻抗RDS(ON) (2.5mΩ @ VGS = 10V, ID=25A)，帶來更低的傳導損耗。

作者: atitizz 時間: 2011-5-17 11:12 AM
此外，FDMS86500L使用遮罩閘極功率MOSFET技術，提供極低的開關損耗 (Qgd 14.6 nC Typ.)，結合該元件的低傳導損耗特點，能夠為設計人員帶來更高的功率密度以應需求。

FDMS86500L MOSFET元件具有更出色的品質因子(RDS(ON) * QG)，提供高效率和低功耗，以期滿足效率標準和法規的要求。

FDMS86500L元件的其他特性包括採用下一代增強型自體二極體 (body diode)技術以提供軟恢復功能；MSL1穩固封裝設計；通過100% UIL測試，同時符合RoHS環保標準。

FDMS86500L是快捷半導體新型60V MOSFET產品系列旗下的首款元件，這些新型 60V MOSFET元件的推出，進一步強化公司中等電壓MOSFET產品系列。快捷半導體公司可提供最廣泛的MOSFET產品系列，讓設計人員能夠選擇多種技術，找到滿足應用需求的合適MOSFET。快捷半導體充分認識到空間有限之應用對更高電流、尺寸更小之DC-DC電源的需求，且瞭解客戶及其所服務的市場，因而能夠提供擁有獨特的功能、製程和創新封裝之客製化組合，為差異化電子產品設計提供解決方案。

價格(訂購1,000個): FDMS86500L 的單價為0.90美元
供貨：現已提供樣品
交貨期：收到訂單後8至10週

作者: amatom 時間: 2011-5-18 05:00 PM
標題: 友順科技提供完整POWER MOSFET產品解決方案
2011/5/18-國內類比IC業界唯一以IDM方式經營的友順科技公司，有鑑於高效能的功率半導體使用的發展迅速，除繼續著力於原有各類的IC研發外，自2006年亦積極投入Power MOSFET的研發及生產。

近年來，市場上對電源相關的半導體元件的高效率化，以及減少零件用量的期待也愈來愈高。Power MOSFET在電源供應裝置中是不可或缺的元件，為符合電子產品追求節能和降低系統功率損耗的需求趨勢，各廠商均不斷研發具備更高的能源轉換效率的產品，以滿足系統高效能、輕量化、小型化及高可靠度的要求，Power MOSFET主要發展趨勢也朝向低導通電阻、高速切換、高效能、高功率及低成本考量。

友順科技目前己擁有規格齊全及各類封裝型態的產品系列，在高壓MOSFET方面，從200V～900V/1A~22A及更高功率產品系列，採用UTC自行開發的DMOS製程，主要適用於電源供應器及機電產品巿場，如電腦、家電產品、事務機、工業用設備、汽車和各式照明設備等一系列交直流電源、交換式電源供應器、充電器、電動車、HID灯、節能灯、LED照明、UPS, 逆變器等，封裝別則包括大功率散熱型的TO-247/TO3P/TO-220F/TO-220等插件式封裝及TO-263/TO-252等SMD封裝等。

作者: amatom 時間: 2011-5-18 05:00 PM
在中低壓產品方面，又分Planar及Trench製程，友順科技己擁有種類眾多的低電壓、低電流系列Trench MOSFET產品，適用於主要採用25V和30V的MOSFET的電腦主機板，以及應用做為DC/DC轉換、充電、負載開關和信號開關功能的消費電子巿場，如LCD TV和遊戲機等；至於中壓產品有60V～200V產品系列，則主要採用Planar製程產品，Trench製程產品亦在發展中，可應用在消費性產品等電子電源、通訊電源系統等，封裝則以SOT-23、SOP-8等小型SMD封裝為主；除全系列Power MOSFET之產品外，UTC也發展類比整合型IC，將PWM Control IC與Power MOSFET整合的Power Management IC，提供高低壓及AC，DC電源管理的Total Solution。

秉持快速因應客戶及巿場的需求的理念，友順公司始終跟隨著終端產品的應用趨勢，持續不斷開發及推出適用不同應用領域的MOSFET產品；近日也再宣佈發行多款具成本效益且低RDS(ON)的產品，包括: UT12NN10是一顆採小型SOP-8封裝的N型雙通道，應用於LED TV及顯示器內部限流保護用產品、UFZ44是N-Channel/60V/50A，功率接近50W，採用TO-220封裝，應用於SMPS、及2-15A/900V的高壓MOSFET…等；另外，近期又再推出齊全的400V產品系列，電流從1A到22A，提供照明及電源巿場客戶更多新的選擇，在在都展現UTC在發展全系列MOSFET產品組合的成果及繼續深耕擴展MOSFET產品的決心。

作者: tk02376 時間: 2011-5-26 03:28 PM
標題: Diodes超小型MOSFET操作溫度低於大型封裝設備
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台灣— 5月26日— Diodes公司推出採用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET系列。該封裝產品僅佔用0.6 平方毫米的印刷電路板面積，較同類型SOT723封裝零件節省一半以上空間，其節點到環境熱阻 (junction to ambient thermal resistance; Rthja) 為256ºC/W，在持續運作情況下功耗為1.3W，而同類產品的功耗則多出一倍。

因此，該MOSFET能夠以更低溫度運作，並可節省空間，加上離板高度僅為0.4毫米，非常適合用於超薄型可攜式消費電子產品，包括平板電腦及智慧型手機。Diodes 率先提供額定電壓為20V、30V及60V的N通道和P通道設備，這些設備可用於多種可靠性高的負載開關 (load switching)、訊號開關 (signal switching) 及升壓轉換 (boost conversion) 應用中。

例如，一款額定電壓為20V的DMN2300UFB4 N通道MOSFET的導通電阻僅為150mΩ，比競爭對手的解決方案低50%以上，有助於大幅減少傳導損耗和功耗。而20V的DMN2300UFB4 P通道MOSFET也能提供相近的同級領先性能。這兩款MOSFET皆具備較高的靜電放電額定值 (ESD Rating)，分別為2kV和3kV。

作者: tk02376 時間: 2011-5-26 03:33 PM
快捷半導體推出Generation II XS™ DrMOS元件採用6mm x 6mm封裝提供高達94%的峰值效率
廣泛的產品系列可讓設計人員根據效率、特性和PWM控制器來選擇合適的元件
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高效率、高電流處理能力和小外形尺寸，都是電源設計人員為電壓調節器解決方案選擇元件時的最重要考慮因素。為滿足這一要求，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出一系列Generation II XS DrMOS [整合式驅動器 + MOSFET]元件，這些元件能夠提供高效率和高功率密度，可讓設計人員滿足不同應用的特定設計需求。

作者: tk02376 時間: 2011-5-26 03:33 PM
Generation II XS DrMOS元件採用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封裝，具有較高的系統效率，在12Vin、1Vout和25A條件下，重負載效率達91.5% 以上，峰值效率則超過94%。Generation II XS DrMOS元件可在2MHz開關頻率下運作，同時具有最高50A的電流處理能力。

快捷半導體利用其在MOSFET、閘極驅動器IC和封裝技術方面的技術專長，對Generation II XS DrMOS元件作出最佳化處理，提供更高的效率，並且開發新的功能。這些技術提昇使得Generation II XS DrMOS系列元件成為刀鋒型伺服器、高性能遊戲主機板、高性能筆記型電腦、顯示卡，以及高電流DC-DC負載點(point-of-load)轉換器等應用的理想選擇。

Generation II XS DrMOS系列元件提供5V和.3V三態電壓準位以匹配Intel® 4.0 DrMOS規範，同時與市場上的多種PWM控制器相容。這些元件能夠顯著減少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench® MOSFET遮罩閘極技術而產生的振鈴雜訊。同步FET還整合了一個蕭特基二極體，免除外部緩衝器電路，提高整體性能和功率密度，同時減少占位空間和成本。Generation II XS DrMOS元件還可以為客戶加入一項過熱警報功能，可在故障期間防止出現過熱狀况。

Generation II XS DrMOS產品系列能夠滿足不同客戶和應用需求。

作者: globe0968 時間: 2011-5-30 03:53 PM
恩智浦半導體NextPower MOSFET以業界最低RDS (on) 全面提升效率
恩智浦NextPower系列新增15款25V和30V高性能N-Channel邏輯電平MOSFET
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【台北訊，2011年5月30日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)宣佈其採用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將增添15款新產品並已開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面達到最佳平衡點，並具備業界最低的RDS (on) (25V和30V均為sub-1 mΩ型），是高性能、高可靠性開關應用的理想首選。傳統方法主要著眼於降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則採用超級接面技術使得低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡達到最佳化，進而達成強大的開關性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時提供傑出的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK為最堅固的Power-SO8封裝，尺寸精巧，面積僅5mm x 6mm，可在惡劣環境下提供出色的功率開關功能。

作者: globe0968 時間: 2011-5-30 03:54 PM
技術聚焦:

· 恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在六個參數方面展現其優異性能：
低RDS (on) : 具備業界最低RDS(on)的Power-SO8封裝產品，在SYNC FET或功率OR-ing應用下具有低I2R損耗、傑出性能等特點
低Qoss，有利於減少漏極與源極引腳間的損耗，當輸出引腳上出現電壓變化時，亦可降低輸出電容 (Coss) 中的損耗能量
低Miller電荷 (Qgd)，有利於減少開關損耗和高頻開關次數
SOA具備絕佳性能可承受超載和故障條件
低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅動電路中的損耗
出色的額定接點溫度Tj(max)，堅固的Power-SO8 LFPAK封裝為條件惡劣且需要高度可靠性的環境提供保障

· 主要應用領域包括同步降壓穩壓器、DC-DC轉換、穩壓器模組和功率OR-ing

相關引述:

恩智浦半導體功率MOSFET行銷經理Charles Limonard表示：「在25V和30V條件下達成業界最低的RDS (on)，這僅僅是其傑出性能的其中之一。最新NextPower元件的重大突破在於我們可控制MOSFET在各個方面的表現，超越導通電阻和柵極電荷，為開關應用帶來高性能、高可靠性和最大功效。」

作者: heavy91 時間: 2011-6-2 12:12 PM
標題: 快捷半導體的PowerTrench® MOSFET元件
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提高同步整流應用的系統效率和功率密度相較於先前的解決方案，品質因子提升多達 66%

高效AC-DC轉換器等應用的設計人員需要提升系統效率，同時還要將元件數目減到最少，因而構建具備快速開關速度、更高效率和功率密度的現代功率系統便是一非常重要的因素。

為了幫助設計人員因應此一挑戰，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為PowerTrench® MOSFET系列中的100V和150V 元件增添工業類型的封裝選擇，其中包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220 Full Pack和D2PAK-7L。

上述元件屬於中等電壓範圍功率MOSFET產品系列的成員，是優化的功率開關產品，它們結合了低閘極電荷(QG)、低反向恢復電荷(Qrr)和軟反向恢復寄生二極體，可在AC-DC電源中提供同步整流功能的快速轉換。

MOSFET產品系列的一部分，這些元件能夠滿足現今電子產品的電氣和散熱性能要求，在提高能源效率方面扮演著重要的角色。

作者: heavy91 時間: 2011-6-2 12:12 PM
這些元件採用具有電荷平衡功能的遮罩閘極結構，使用這項技術，其品質因子(QG x RDS(ON))較先前之解決方案降低達66%，為包含同步整流、微型太陽能逆變器和離線型UPS系統之應用，以及電訊電源分配PDU/BFU單元等產品之設計人員提供高效率的解決方案。

新產品採用低反向恢復電荷和軟反向恢復寄生二極體，可以減少系統中的電壓尖波或振盪，省去緩衝器電路，或替代額定電壓較高的MOSFET元件，有助於提升效率，並且降低設計的材料清單成本。

第一批採用工業類型封裝的元件有FDP083N15A_F102、FDB082N15A和 FDP036N10A N通道PowerTrench MOSFET元件，如同PowerTrench MOSFET系列中的所有元件一樣，這些產品具有快速開關特性和低閘極電荷，同時採用高性能技術以提供極低的RDS(ON)。此外，該系列元件採用符合RoHS標準的無鹵素和無鉛封裝，能夠滿足環保法規的要求。

新增的PowerTrench MOSFET元件擴充了快捷半導體中等電壓範圍MOSFET產品的陣容，是全面廣泛的PowerTrench

作者: globe0968 時間: 2011-6-14 11:29 AM
快捷半導體功率級非對稱雙MOSFET元件滿足電源設計人員對高功率密度和簡易設計之要求
新模組產品具有市面上所有5mm×6mm雙MOSFET解決方案的最大輸出電流
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電源工程師一直面對縮小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰，而在筆記型電腦、負載點(point-of-load)、伺服器、遊戲和電訊應用中，上述兩點尤其重要。為了協助設計人員面對這些挑戰，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模組。

FDMS36xxS系列元件在PQFN封裝中結合控制和同步MOSFET，以及一個單晶片內含蕭特基寄生二極體。這些元件的開關節點已於內部連接，能夠輕易進行同步降壓轉換器的佈局和佈線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET™)(Q2) 專門為高達30A的輸出電流而設計，可提供最佳的效率。FDMS36xxS系列將上述元件整合在一個模組中，可為代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，可有效節省線路板空間。

作者: globe0968 時間: 2011-6-14 11:29 AM
FDMS36XXS系列產品採用快捷半導體先進的電荷平衡架構(遮罩閘極技術)和先進封裝技術，可在高性能運算的額定崩潰電壓下，取得低於2mΩ的業界領先低側RDS(ON) 。該系列產品經過最佳化處理，以便儘量減低300kHz至600KHz範圍的綜合傳導損失和開關損失，為負載點和多相同步降壓DC-DC應用帶來可靠的最高效率。

FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET使用獨特的遮罩電壓調變架構和超低源極電感封裝設計，可提供低開關雜訊、低設計變化敏感度和較高的設計可靠性。低開關雜訊可以免除需要外部緩衝元件或閘極電阻的緩減設計，從而降低設計BOM成本，同時節省更多線路板空間。

FDMS36xxS系列元件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench®功率級非對稱N通道雙MOSFET。快捷半導體將會根據研究和客戶需求，推出更多的元件。兩款FDMS36xxS系列元件均滿足RoHS無鉛標準要求。

上述非對稱架構功率級雙MOSFET模組是快捷半導體全面廣泛的先進MOSFET產品系列的一部分，為電源設計人員提供適用於關鍵任務的高效率資訊處理設計之全面解決方案。要瞭解最新功率級產品資訊，請瀏覽公司網頁www.fairchildsemi.com/powerstage。

價格(訂購1,000個):
FDMS3602S 的單價為1.86美元
FDMS3604AS的單價為1.62美元

供貨：現已提供樣品
交貨期：收到訂單後8至10週

作者: tk02376 時間: 2011-6-14 04:33 PM
IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET 為低功率應用擴展封裝組合
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝，且配合IR最新HEXFET MOSFET矽技術，為一系列的功耗應用，包括智能手機、平板電腦、錄機、數位相機、筆記本電腦、伺服器網路通訊設備，提供超小型、高密度和效率的解決方案。

新款的PQFN2x2元件分別適用於20V、25 V和30 V，還有標或邏輯水平柵極驅動器選擇。這些元件需要4mm2的占位空間，並用IR最新的低電壓 N-通道P-通道矽技術，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR的新型PQFN2x2元件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也滿足我們客戶的需求，進一步小的封裝尺寸，結合基準矽技術。這些元件不但擁有超小尺寸和高密度，更非適合與高度數位化內容相關的應用。」

這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優化的P-通道元件，帶來一個更簡單的驅解決方案。同時，新元件的厚度少於1 mm，使它們與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。

作者: globe0968 時間: 2011-6-23 02:19 PM
Diodes推出全新MOSFET組合可減少直流馬達損耗

台灣— 6月23日—Diodes公司推出一對互補型雙MOSFET組合DMC4040SSD，可用於低壓單相/三相無刷直流 (BLDC) 馬達控制應用。該組合具有互相搭配的N通道及P通道導通電阻 (Rdson) 性能，可以將馬達負載的直流損耗平均分配並降到最低。

這對增強模式MOSFET的Vds為40V，可適用於控制冷卻、排氣扇、泵、壓縮機及印刷頭的24V直流馬達系統。當Vgs為10V時，這對互補MOSFET的導通電阻降至25mΩ，因此可有效限制傳導損耗，進而減少功耗並增加整體產品效率。

DMC4040SSD的額定持續電流為6A，額定脈衝電流為29A，使電機轉矩電流(torque current) 可達到馬達啟動或拋錨時所需支援的持續電流的五倍。DMC4040SSD採用業界標準的SO-8封裝，與同類型的單一MOSFET封裝相比，更能節省印刷電路板空間。

為創建一套完整高效的直流無刷馬達控制解決方案，Diodes特別使DMC4040SSD MOSFET封裝可與旗下的ZXBM101x單相預驅動馬達控制器系列，以及相應的霍爾傳感器共同部署使用。

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作者: globe0968 時間: 2012-11-19 11:57 AM
Microchip推出內建MOSFET驅動器的高電壓類比降壓PWM控制器，以及高速、小型封裝低阻值MOSFET系列
擴展Microchip的電源解決方案組合，以更高的整合度實現更高電壓、更高功率DC/DC應用的能力
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全球領先的微控制器、類比零件暨快閃技術供應商Microchip Technology，宣佈推出全新電源轉換控制器系列及其首個功率MOSFET元件系列。該系列的全新脈衝寬度調變（PWM）控制器和互補型的具小型封裝低阻值（FOM）的MOSFET系列的組合以支援高效率的DC/DC電源轉換設計，涵蓋了廣泛的消費電子和工業應用。這兩個全新系列彰顯了Microchip對於其實現更高電壓、更高效率、以及業界趨向更小電源轉換系統的這一承諾有顯著進步。

MCP19035是一個小型的、基於類比的PWM控制器產品系列，包括整合的同步MOSFET驅動器，可提供出色的瞬態性能。MCP19035元件可在4.5 - 30Vdc的寬廣電壓範圍下工作，開關頻率為300 kHz，並提供了工廠可調整 Dead-Time的功能設定，有助於設計師面對眾多種MOSFET元件時提供最佳化的性能。在與Microchip的MCP87xxx MOSFET或任何低low-FOM MOSFET組合時，MCP19035系列能夠實現高效率的（>96％）DC/DC電源轉換解決方案。

作者: globe0968 時間: 2012-11-19 11:57 AM
MCP87xxx系列高速MOSFET具有非常低的FOM，封裝在業界標準的5 mm×6 mm和3.3 mm×3.3 mm PDFN封裝內。新發佈的MCP87022、MCP87050和MCP87055元件，可分別提供2.2mΩ、5.0mΩ和5.5mΩ的導通電阻。這些全新MOSFET有助於實現高效率的電源轉換設計。

Microchip類比與介面產品部行銷副總裁Bryan J. Liddiard表示：「PWM控制器的MCP19035系列擴大了設計工程師在滿足其應用功率轉換需求時的選擇範圍。其廣泛的工作電壓範圍和整合的高功率同步驅動器能夠支援那些需要一個快速、採用類比控制器實現高效率、高功率密度解決方案。這些元件結合了Microchip的首款高速MOSFET產品，可實現產生超過96%效率的快速、高效電源轉換解決方案。」

MCP87xxx MOSFET系列也補充了Microchip現有的專注於SMPS的PIC® 微控制器及dsPIC33“GS”系列數位信號控制器的產品組合。Microchip的MCP14700同步MOSFET驅動器非常適合於驅動高速、低FOM MOSFET。當由微控制器驅動時，兩者可構成一個靈活的、高性能電源轉換解決方案。

開發工具支援

MCP19035系列的MCP19035 300 kHz評估板（產品編號#ADM00434）現已透過所有Microchip業務代表和microchipDIRECT提供。該評估板包括Microchip的全新MOSFET。與MCP87xxx MOSFET系列同時發佈的一款基於Excel的損耗計算器及使用者指南也已提供。

封裝及供貨

MCP19035和MCP87xxx系列現已提供樣品並投入量產。MCP19035系列採用3 mm×3 mm 10接腳PDFN封裝。MCP87022和MCP87050採用5 mm×6 mm 8接腳PDFN封裝，MCP87055採用3.3 mm×3.3 mm 8接腳PDFN封裝。

作者: innoing123 時間: 2012-12-4 02:08 PM
快捷半導體的 40V PowerTrench®MOSFET 產品在動力操控應用中提供了更好的電力控制功能及更高效率
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器件具有最低電阻和低總閘極電荷以降低功率損耗

汽車動力操控(Power Steering)系統設計工程師需要可提供更高效率和更好功率控制的解決方案。快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 的40V N 通道 PowerTrench®MOSFET 產品可協助設計者應對這些挑戰。

作者: innoing123 時間: 2012-12-4 02:08 PM
FDB9403 採用快捷半導體公司的遮罩閘極技術，改進了電阻並降低了電容。該器件提供比最接近競爭產品低 20% 的 RDS(ON)值，同時具備低 Qg值，可降低了功率損耗並最終提高整體效率。 FDB9403 MOSFET 產品作為基本的電流控制開關，有效地控制了電力，無任何浪費，因此非常適合於電力操控系統、懸架控制及動力傳動管理應用。

特點及優點：

• 在 VGS = 10V 和ID = 80A時，更低功率損耗的典型值 RDS(ON)= 1mΩ，從而實現更高效率
• 在 VGS = 10V和 ID = 80A 時，典型值 Qg(tot) = 164nC，功耗更低，從而實現更高效率
• UIS 能力
• 符合 RoHS 及 AEC Q101 標準

封裝及定價資訊（訂購 1,000 個，美元）
按請求提供樣品 - 收到訂單後 8-12 週內交貨
• FDB9403 採用 D2PAK TO-263AB 封裝，價格為 2.48美元。

快捷半導體在功率半導體器件及模組封裝方面的專業知識，結合大量測試、模擬及高品質製造經驗，使該公司提供的產品在最苛刻的汽車環境中亦能可靠地工作。由於擁有世界各地的設計、製造、組裝及測試基地，快捷半導體公司具有良好的裝備，從而滿足了汽車製造商在品質、可靠性及可用性方面的需求。

作者: innoing123 時間: 2012-12-10 01:30 PM
東芝推出新款N溝道低導通電阻MOSFET-產品採用最新第八代製程，可用於鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關

(20121210 11:55:40)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)推出了一款低導通電阻MOSFET—TPN2R503NC。該產品採用最新的第八代製程打造，可用於鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關。其他兩款第八代產品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被納入該產品系列中，成為現有型號的換代產品。所有三款產品均有助於降低設備厚度和總體尺寸，並可提高效率。

應用
1. 鋰離子電池保護電路
2. 手機電源管理開關

主要特點
1. 由於採用了最新的第八代製程，因此產品的導通電阻比現有的東芝產品要低。
2. 採用了TSON Advance封裝，可提供出色的散熱性能。
3. 高抗雪崩性能。

作者: mister_liu 時間: 2012-12-13 03:17 PM
快捷半導體的高壓 MOSFET 在 AC-DC 電源應用中提供業界領先的體二極體穩固性能
SuperFET® II MOSFET 提供更高效率及可靠性，同時節省系統成本及電路板空間
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高端 AC-DC 開關電源 (SMPS) 應用如伺服器、電信、計算及工業電源應用需要高功率密度；為了取得成功，設計者需要具有成本效益的解決方案，從而佔用更小的電路板空間並提高可靠性。美國快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號： FCS）透過引入 600V N-通道 SuperFET® II MOSFET 系列，協助設計者應對這些挑戰。

產品分為兩個系列：SuperFET II 及 SuperFET II Easy Drive。這些 MOSFET 在輸出電容 (Eoss) 中儲存較少能量，從而在輕載條件下實現更高效率，並透過同級最佳的體二極體穩固(Robust)性能提高在諧振轉換器中的系統可靠性。

作者: mister_liu 時間: 2012-12-13 03:17 PM
這些 MOSFET 採用先進的電荷平衡(charge balance)技術，提供極低的導通電阻和更低的閘極電荷 (Qg) 性能，因此品質因數 (FOM, figure of merit) 更低。這些器件包含多個整合性的特點，有助於在簡化設計中減少元件數量，從而獲得更高效率、更具成本效益的設計，其中包含一個閘極電阻器 (Rg)，能夠大幅降低閘極振盪並改進系統整體性能。

優勢及特點：

SuperFET II MOSFET
• 更快的開關速度，從而最大化系統效率
• 更大的功率密度
SuperFET II MOSFET Easy-Drive
• 易於設計及使用
• 優化的開關性能
• 低電磁干擾雜訊
• 在異常情況下可靠的運行
封裝種類與售價資訊（訂購 1,000 個，美元）
按請求提供樣品 - 收到訂單後 8-12 週內交貨

作者: sophiew 時間: 2012-12-18 08:02 AM
東芝為CMOS毫米波電路的發展開發緊湊型MOS可變電抗器模擬模型- 精確度從DC至毫米波且採用單模型 -

東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)今天宣布開發精確度從DC（直流）至毫米波(60 GHz)的緊湊型MOS可變電抗器1模擬模型。新模型由東芝和岡山縣立大學(Okayama Prefectural University)的Nobuyuki Itoh教授共同研製。

新的緊湊型MOS可變電抗器模型引進原始演算法來表達尺度效應，並可捕捉到支配60 GHz範圍的寄生效應的影響。針對元件大小不同的樣品，使用了1 MHz - 60 GHz的測量參數進行建模。一般而言，很難透過單模型來表示MOS可變電抗器，但是新開發的模型卻成功做到了這一點。

新模型能夠準確捕捉到寄生效應，這就為實現RF-CMOS產品的低功耗提供了支援。東芝將利用基礎技術來開發此類晶片，而這些晶片是該公司模擬與影像積體電路部門的主要裝置。受惠於目前已取得的成效，東芝預計將來可精確地對CMOS毫米波電路進行模擬。

透過自身的65 nm RF-CMOS技術，東芝已經打造出了元件長度從0.26 um至2.0 um不等的樣品，並使用這些樣品對新模型進行了驗證。所有尺寸的元件均取得了DC至67 GHz的精確度。

該模型的驗證工作是在60 GHz電路上完成的。東芝使用這種用於調頻元件的模型對60 GHz VCO控制電壓上的相位雜訊水準依賴性進行了測量，並與電路模擬進行了比較。結果顯示，測量精度達8 dB，優於傳統模型2。

這些研發成果在12月4-7日在臺灣舉行的亞太微波會議(Asia-Pacific Microwave Conference)上進行了展示。

1. MOS（金屬氧化物半導體）可變電抗器是一種平面元件，歷來都使用CMOS技術製造。通常來說，該元件廣泛用於CMOS VCO（壓控振盪器）電路的調頻元件。

2. BSIM（伯克萊短溝道絕緣柵場效應電晶體模型）是通常用於模擬MOS可變電抗器的傳統模型。該模型由加州大學伯克萊分校開發。

作者: amatom 時間: 2013-1-8 01:37 PM
瑞薩電子推出鋰離子電池充電控制IC支援大電流快速充電
以超小型封裝實現高效能2 A充電尺寸為2.47 mm × 2.47 mm
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2013年1月08日，台北訊－先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈推出R2A20057BM鋰離子(Li-ion)電池充電控制IC，適合採用一個鋰離子電池單元的行動裝置，例如數位相機及智慧型手機。R2A20057BM採用世界最小等級的封裝尺寸，內建降壓DC-DC轉換器並支援2 A大電流充電。

由於數位相機、智慧型手機及其他行動裝置的功能越來越強大，電流用量也逐漸增加，因此需要更大容量的鋰離子電池，以及較大的電流來為這些電池充電。然而，大電流充電系統需採用多個功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)及獨立的被動元件，而處理大電流也需要大尺寸的散熱結構，但同時又需要更小的安裝面積，特別是行動裝置。

為解決這些問題，新款R2A20057BM採用晶圓級封裝，將多個功率MOSFET與充電迴路整合於單一晶片以大幅縮小安裝面積，由於此封裝技術可降低封裝電阻，因此可供應大量的電流。另外，本產品整合了高效率的晶片內建降壓DC-DC轉換器，不僅可實現大電流充電，並可將發熱抑制在最低的程度。

作者: amatom 時間: 2013-1-8 01:38 PM
R2A20057BM電池充電控制IC的主要特色：

(1) 相較於先前的瑞薩解決方案可減少約62%的晶片表面積
瑞薩採用非常精細的高電壓耐受度晶圓製程及晶圓級封裝(WL-BGA、25-pin、0.4 mm間距)，因此可達到世界最小等級的2.47 mm × 2.47 mm極小晶片尺寸。另外，內建2 MHz高頻率降壓DC-DC轉換器，可使用小型多層晶片電感做為外部元件。晶片內建的25 V高輸入耐受電壓可提供內建的過電壓保護電路，無需外部的過電壓保護電路，有助於大幅縮小安裝面積。

(2) 支援USB電池充電規格Revision 1.2
新款R2A20057BM可自動辨識六種USB連接埠類型，包括USB電池充電規格Revision 1.2規定的三種類型，並自動設定輸入電流限值。

(3) 同時支援獨立作業以及I2C控制作業
新款R2A20057BM可做為獨立產品實作充電作業，或可透過內部積體電路(I2C)的命令輸入進行控制。I2C控制命令支援多種要求，包括充電開始/停止控制，並可變更參數值，例如充電控制電壓、充電電流及輸入電流限值。

(4) 內建自動負載電流分配功能
新款R2A20057BM利用內建的負載電流分配功能，為電池充電時控制系統的供電路徑，此分配功能會優先供電至系統，當輸入電流有限，例如電力經由USB介面大量流出，就會調整充電電流。如此在建立充電系統時，即無需增加大型外部元件，例如獨立開關。

(5) 內建保護功能以確保電池充電的安全
內建的保護功能可確保充電的安全，包括提供輸入/輸出過電壓保護、熱保護、充電計時器保護，以及採用熱敏電阻監控電池溫度。4.20 V/4.35 V ±0.5%的高精度充電控制電壓能以指定電壓為鋰離子電池安全地充電。

供貨時程
R2A20057BM電池充電控制IC現已開始供應樣品，並自2013年1月起量產，預估至2013年8月可達到每月50萬顆的產能。(供貨時程如有變更，將不另行通知。)

作者: amatom 時間: 2013-1-10 01:48 PM
東芝推出新款IGBT/MOSFET閘驅動光電耦合器工作溫度範圍為-40°C至125°C，有助於減少逆變電路的死區時間，提高效率

(20130109 17:32:09)東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布將推出採用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅動中等容量的IGBT或功率MOSFET。新產品TLP250H的最大傳輸延遲時間為500ns，光電耦合器間的傳輸延遲偏差為150ns，這樣的性能可減少逆變電路的死區時間(dead time)，提高效率。新產品使用了壽命超長的新LED，可支援-40°C至125°C的工作溫度。此外，該耦合器可將最低工作電壓降至10V（東芝之前型號的最低工作電壓只可降至15V），進而有助於降低功耗。該耦合器可應用於一系列產品中，包括高溫環境中使用的工業設備，家用太陽能光電發電系統，數位產品以及測量與控制儀器。該產品的樣品現已推出，並計畫於2月份投入量產。

應用
IGBT/功率MOSFET閘驅動器，功率調節器，通用逆變器，IH（感應加熱）設備，等等。

主要特性
1. 工作電壓：VCC=10 - 30V
2. 傳輸延遲時間：tpLH, tpHL=500ns (最大值)
3. 傳輸延遲偏差：±150ns (最大值)
4. 寬廣的保證工作溫度範圍：Topr=-40°C - 125°C
5. 峰值輸出電流：IOP=±2.5A (最大值)
6. 低輸入電流：IFLH=5mA (最大值)
7. 隔離電壓：BVS=5000Vrms (最小值)
8. 共模瞬態抑制：CMR=±40kV/μs

作者: tk02561 時間: 2013-1-22 04:10 PM
IR 全新300V功率MOSFET配備基準導通電阻有助於提升工業應用之系統效率
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出配備了IR最新功率MOSFET的300V元件陣營，藉以為各種高效率工業應用提供基準導通電阻 (RDS(on))，包括110-120交流電壓線性調節器和110-120交流電壓電源，以及太陽能逆變器與不斷電供應系統 (UPS) 等直流-交流逆變器。

全新功率MOSFET陣營具備極低的RDS(on)，有助於提升系統效率。若多個MOSFET並聯使用，設計師更可減少產品的元件數量。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR 300V MOSFET陣營配備了基準Rds(on)，能夠提升效率、功率密度及可靠性，適用於要求更佳系統效率之工業應用。」

全新元件符合第一級濕度敏感度 (MSL1) 業界標準及電子產品有害物質限制指令 (RoHS)。

作者: tk02561 時間: 2013-2-6 11:20 AM
瑞薩電子宣佈推出低導通電阻功率MOSFET以提供更高電源效率及小型伺服器電源供應器
相較於瑞薩早期ORing應用產品，新款MOSFET提供低50%的導通電阻

2013年2月5日，台北訊－先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈推出新款低導通電阻 [註1] MOSFET [註2] 產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing [註3] FET使用。

此款新產品具有業界最低的0.72 mΩ (典型值、30 V)導通電阻，比瑞薩早期產品低約50%，並具備高效率與小尺寸安裝面積封裝(8-pin HVSON)，能以較小的封裝提供高電流控制，有助於節省電力及電源組件的小型化，用於大型伺服器儲存系統。

以關鍵任務系統而言，通常會提供備援供電，亦即使用ORing FET搭配多個電源裝置，以維持伺服器儲存系統的高可靠性。這些ORing FET連接至各電源供應器的電源輸出線路。ORing FET在正常運作時會維持導通，但若其中一個電源供應器故障時，該電源供應器的ORing FET將切換為關閉狀態，以便將故障的電源供應器與其他電源供應器加以隔離，確保故障的電源供應器不會干擾系統電力。

正常運作時，電源輸出線路需處理數十至數百安培的大電流。ORing FET必須具備低導通電阻特性以避免導通損耗的增加或電源電壓的下降。

為因應上述需求，瑞薩以該公司的全新低導通電阻製程為基礎，目前已開發三款MOSFET產品。新款μPA2764T1A、μPA2765T1A及μPA2766T1A符合上述需求，可為電源供應裝置提供領先業界的低導通電阻以及更小的外型。

作者: tk02561 時間: 2013-2-6 11:20 AM
新款低導通電阻功率MOSFET產品的主要特色

(1) 業界最低導通電阻
新款μPA2766T1A提供業界最低的0.72 mΩ (典型值、30 V應用)導通電阻及5 mm x 6 mm小尺寸封裝，其導通電阻僅約為瑞薩原有產品的二分之一。如此可藉由降低網路伺服器及儲存系統所使用之電源供應器內的ORing FET的傳導損耗，提升系統整體的電源效率，這些系統也正是達成智慧型社會的關鍵應用。另外，還能藉由大電流來抑制電壓大幅降低的情形。即使是電流波動幅度較大的電源供應器，也有可能達到高精度的電源電壓。

(2) 8-pin HVSON封裝及小尺寸安裝面積，支援大電流控制
8-pin HVSON封裝提供低封裝電阻，因為它採用金屬板連結封裝內的FET晶片與針腳。如此再結合FET晶片的低導通電阻，儘管封裝尺寸僅有5 mm × 6 mm，最高亦能控制額定電流130 A (ID (DC))的大電流。多個ORing FET並聯連結至各電源供應器以提供大電流時，亦可利用最少的並聯數量以協助縮小設備尺寸。
三款新的MOSFET包括μPA2766T1A，其導通電阻額定範圍為0.72 mΩ至1.05 mΩ (標準值)，可提供更理想的產品選擇，以符合使用者在操作電流或環境情況方面的需求。亦可讓客戶供應最佳產品，有助於提升電源效率並降低空間需求。
瑞薩電子計劃持續強化此產品系列，繼續致力於降低導通電阻並創造更小的封裝以符合持續進化的客戶需求。

[註1] 導通電阻是功率MOSFET運作時的電阻。較低的數值表示損耗較少(導通損耗)。
[註2] MOSFET是「metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (金屬氧化物半導體場效電晶體)」的縮寫。MOSFET依據結構區分為P通道或N通道。此新產品為N通道MOSFET。
[註3] ORing是指一種組態，其中以多個電源供應器提供負載，自動執行電源電壓切換，或者由電源供應器分擔負載。這是透過功率MOSFET及控制電路實作。

關於低導通電阻功率MOSFET產品之主要規格，請參閱附件。

供貨時程
新的低導通電阻功率MOSFET已開始供應樣品，樣品價格因規格而異。瑞薩電子將於2013年2月開始量產，預估至2013年10月，三款產品的合併產能可達到每月500萬顆。(供貨時程如有變更，將不另行通知。)

作者: amatom 時間: 2013-3-4 02:27 PM
東芝將為行動裝置的直流-直流轉換器推出高速雙N溝道MOSFET-支援大電流的低電容產品可提升高速開關效率

(20130304 13:55:39)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布，該公司為智慧手機和平板電腦等行動裝置的大電流充電電路高速開關推出一款低電容雙N溝道MOSFET。

隨著智慧手機、手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置不斷增加新功能並對電池的要求日益提高，業界不斷透過提升充電密度及大幅提高充電電流和頻率來縮短充電時間，進而改善使用者體驗。東芝新款低電容產品SSM6N58NU是該公司雙N溝道MOSFET系列中的最新成員，適合用作大電流充電電路的高速開關。

應用
用作智慧手機、手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置的大電流（高達4A）充電開關。

主要特性
1. 大電流
2. 低導通電阻
3. 低電容
4. 小型封裝

作者: amatom 時間: 2013-3-7 02:36 PM
標題: 東芝推出100V低導通電阻N溝道功率MOSFET
(20130307 10:55:16)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低導通電阻、低漏電型功率MOSFET。該產品採用最新的溝道MOS製程打造，成為汽車專用系列中的最新成員。新產品TK55S10N1的導通電阻較低，搭載以最新第八代溝道MOS製程打造的U-MOS VIII-H系列晶片，並採用配備銅連接器的DPAK+封裝。該產品主要適用於汽車應用，尤其是開關穩壓器等需要高速開關的汽車應用。該產品現已推出樣品，並計畫於2013年4月投入量產。

作者: tk02376 時間: 2013-3-13 01:32 PM
TI 針對汽車及工業應用推出業界首款 48V 恆定導通時間同步降壓轉換器
Fly-Buck™ DC/DC 轉換器整合MOSFET 為單一輸出及多重輸出設計縮小尺寸並降低成本

(台北訊，2013 年 3 月 13 日) 德州儀器 (TI) 宣佈針對單輸出及多輸出電源推出三款整合高低側 MOSFET 的最新 48V 同步降壓穩壓器。該 650mA LM25017、300mA LM25018 及 100mA LM25019 Fly-Buck™ 轉換器，採用恆定導通時間 (constant on-time; COT) 控制架構，與需要多顆 DC-DC 轉換器的傳統設計相比，可銳減 40% 電路板空間。Fly-Buck 轉換器與屢屢獲獎的 TI WEBENCH® 線上設計工具搭配使用，可簡化並加速工業及汽車系統高電壓 DC/DC 設計。

LM25017、LM25018 及 LM25019 以最高可達 48 V 的輸入電壓支援非隔離式穩壓器和多重輸出裝置。接腳相容的 LLP 與 PSOP 封裝提供具有可擴充性的解決方案，充分滿足各種不同電源需求。每款 Fly-Buck 轉換器皆可配置正負電壓軌或隔離式多重輸出，並支援優異的交叉穩壓 (cross regulation) 效能。

Fly-Buck 轉換器與 TI 100V 600mA LM5017、300mA LM5018 及 100mA LM5019 寬泛輸入電壓穩壓器系列接腳相容。TI 針對 3.3V 或 5V 輸入電源與要求最高 2 W 的隔離式電壓功率設計提供 TPS55010 Fly-Buck 轉換器，滿足高效率及一次側穩壓功能。詳細 TI 高電壓負載點產品系列資訊，請參見網頁：www.ti.com/pol-pr。

Fly-Buck 轉換器主要特性與優勢
• Fly-Buck 轉換器可簡化各種不同電源設計，支援隔離多重輸出或正負電壓軌電源；
• 恆定導通時間 (COT) 控制架構提供優異的負載暫態回應，無需迴路補償，可降低成本，並簡化設計；
• 整合高低側 N 通道 MOSFET 可提高效率，無需外部蕭特基二極體 (Schottky diode)。

供貨、封裝與價格
採用加強散熱型 8 接腳 LLP 與 PSOP 封裝的最新 Fly-Buck 轉換器 LM25017、LM25018 及 LM25019 現已開始量產供貨，可通過 TI 及其授權通路訂購。LM25017 每千顆單位售價為 1.25 美元、 LM25018 每千顆單位售價為 1.12 美元、 LM25019 每千顆單位售價為 1 美元。通過 AECQ-100 認證版本將於 2013 年 5 月提供。

作者: sophiew 時間: 2013-3-15 10:17 AM
科銳第二代碳化矽功率 MOSFET的量產顯著節約功率轉換系統的成本新元件性價比增加了一倍

科銳公司 (Cree, Inc) (Nasdaq: CREE)宣佈推出第二代碳化矽 (SiC) 功率MOSFET，是能夠使系統實現高效率及更小尺寸、以及高成本效益的矽解決方案。這新型1200V耐壓功率的MOSFET提供業界領先的功率密度和切換效率，每安培成本只有科銳前一代MOSFET產品的一半。從性價比上，新型的功率MOSFET是尺寸更小及重量更輕的碳化矽系統，通過提高效率及降低安裝成本，協助OEM客戶降低系統成本，並為終端用戶節省額外花費。

德國弗萊堡 (Freiburg) 行內著名的Fraunhofer研究院 (Fraunhofer-Institute) 專家Bruno Burger博士表示：「我們已經在先進的太陽能電路中採用科銳第二代碳化矽功率MOSFET進行評估。它們擁有最好的效率，並能讓系統在較高切換頻率時運作，從而實現尺寸更小的被動元件，尤其是更小的電感器。這樣大大提高了太陽能逆變器的成本/效能折衷，有助開發更小、更輕及更高效的系統。」

在一些高功率應用上，這些新型SiC MOSFET的優越性能可削減50%~70%所需額定電流。經過妥當的最佳化之後，客戶現在能以與以往的矽解決方案相同或更低的系統成本，獲得碳化矽性能上的優勢。對於太陽能逆變器和不斷電系統(UPS)，效率會隨著尺寸和重量的減少而提升。在馬達驅動應用方面，可協助其功率密度增加一倍以上，同時提高工作效率，並較其它具有相同額定的矽解決方案提供多兩倍的最大扭矩。新產品提供的範圍已經擴展到包含一個更大的25毫歐姆晶粒，鎖定30kW以上功率水準的高功率模組市場；而80毫歐姆元件則為第一代MOSFET提供更低成本、更高性能的升級方案。

科銳功率及射頻事業部副總裁及總經理Cengiz Balkas表示：「有了這個新MOSFET平臺，我們在多個領域上都贏得客戶的導入設計。由於第二代SiC MOSFET受到迅速接納，我們不但提前為幾家客戶量產出貨，而且我們也正在依客戶要求加速量產。」

科銳現提供額定電阻為25毫歐姆及80毫歐姆的晶粒，前者作為50安培基本組件用於高功率模組；而80毫歐姆導功率MOSFET則採用TO-247封裝，以優越性能及較低成本，取代科銳第一代產品CMF20120D。封裝元件可通過代理商DigiKey、Mouser和Farnell公司即可購得。

作者: innoing123 時間: 2013-4-22 01:43 PM
科銳的碳化矽功率 MOSFET為台達能源系統公司實現下一代太陽能轉換器
碳化矽功率 MOSFET技術可顯著改善太陽能逆變器的重量、成本和效率

科銳公司(Nasdaq: CREE)與台達能源系統公司(Delta Energy Systems)共同宣佈成功達成太陽能逆變器(PV inverter)業內一項計畫，台達的新一代的太陽能轉換器將科銳的碳化矽(SiC)功率 MOSFET納入設計。碳化矽功率 MOSFET的加入，使下一代的太陽能逆變器在功率密度、效率和重量上達到重要的新里程碑。

台達能源系統公司的太陽能逆變器研究與發展主管 Klaus Gremmelspacher評論表示：“通過利用碳化矽功率 MOSFET，台達下一代的太陽能逆變器在功率密度上達到新的里程碑。對我們在實現輕型且具備業界領先效率的新型高功率轉換器的目標來說，科銳公司所提供的碳化矽功率 MOSFET是不可或缺的。”

科銳於2011年發表了首款碳化矽功率 MOSFET，具有降低損耗和提高太陽能逆變器效率及功率密度的功效；而性能更顯著提升的第二代矽功率 MOSFET將於2013年推出。在這項具里程碑意義的產品面市後，世界上最大且最受尊敬的電源管理解決方案供應商之一的台達能源系統公司(台達電子集團的子公司)，決定將科銳的碳化矽功率 MOSFET納入下一代太陽能逆變器的設計中。在11kW太陽能逆變器中採納科銳的1200V碳化矽功率 MOSFET後，台達已能擴大直流輸入電壓範圍，同時維持或甚至提升前一代產品的最高效率。台達預計在2013年第二季推出的11kW加速器(booster)，因為採用科銳的碳化矽功率 MOSFET，其直流輸入電壓從900V提升到1000V。

科銳電源的資深行銷主管Scott Allen博士表示：“我們很高興且榮幸像台達能源系統這樣的公司成為我們碳化矽功率 MOSFET產品的客戶。他們正使用中的1200V、160m-MOSFET能很快臻於完善，因為那是2011年發表的產品，而且又具備領先業界的性能和成本優勢。像台達電子等從事先端技術的客戶，如今也積極採用我們的碳化矽功率 MOSFET技術，不僅能使太陽能逆變器在尺寸、重量和成本等方面比採用矽減少20%~50%，同時能保持或提升效率水準。”

科銳提供的碳化矽功率 MOSFET封裝元件可經代理商DigiKey和Mouser購買，而晶粒則可從代理商SemiDice購得。要瞭解有關科銳公司及產品更多的資訊，請參閱公司網站www.cree.com/power，或聯繫科銳的在地銷售人員或經銷商。

作者: globe0968 時間: 2013-5-2 02:06 PM
快捷半導體的Quad-MOSFET 解決方案，可提高主動橋式應用的效率，且無需散熱
四個 60 V MOSFET 整合在單個封裝內，可提高系統效率，取代二極體橋電路，適用於緊湊型設計及節省電路板空間
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在高畫質緊湊型主動橋式應用中（如網路攝像機）產生過多熱量，可引起圖像畫質問題。與之類似，熱雜訊也可能會影響系統的圖像感測元件，進而降低攝像機的畫質。典型的散熱解決方案透過增加元件數量來調節熱漲落(thermal fluctuations)，這使得本就複雜的設計變得更加複雜，並且使電路板空間變得更加混亂。美國快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號： FCS） FDMQ86530L 60 V Quad-MOSFET 為設計者提供一體式封裝，有助於解決這些棘手的設計難題。

作者: globe0968 時間: 2013-5-2 02:06 PM
FDMQ86530L 解決方案由四個 60 V N 通道 MOSFET 組成，採用快捷半導體的 GreenBridge™ 技術，將功率損失性能提高了十倍，從而改善了傳統二極體電橋的傳導損失及效率。該元件採用熱性能增強，節省空間的 4.5 x 5.0 mm MLP 12 接腳封裝，無需使用散熱器，實現了緊湊型設計，並在 12 V 及 24 V AC 應用中可提高功率轉換效率。

規格：

• 最大 RDS(ON) = 17.5 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 8 A
• 最大 RDS(ON) = 23 mΩ，需 VGS = 6 V、ID = 7 A
• 最大 RDS(ON) = 25 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 6.5 A

封裝種類與售價資訊（訂購 1,000 個，美元）

按需求提供樣品－收到訂單後 8 至 12 週內交貨

FDMQ86530L 產品採用 4.5 x 5.0 mm MLP 12-引腳封裝，售價 1.38美元。

FDMQ86530L 是快捷半導體公司全系列分立式 MOSFET 組合產品的一部分，提供該產品進一步實現了公司的承諾：提供最具創新意義的封裝技術，為當今最先進的系統實現體積最小化、熱性能及效率最大化。

作者: tk02561 時間: 2013-5-17 07:58 AM
標題: 英飛凌針對高達 300A 電流應用推出全新 TO 無鉛封裝
【2013 年 5 月 16 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 宣佈出全新的 TO 無鉛封裝產品，能減少封裝電阻、大幅縮小尺寸，還能改善 EMI 特性。產品包含最新一代的 OptiMOSTM MOSFET，適用於具有高功率和穩定性需求的應，像是堆高機、輕型電動車、電子保險絲 (eFuse)、負載點 (PoL) 和電信系統等。

全新 TO 無鉛封裝的設計可耐受達 300A 的高電流。封裝電阻較低，因此在所有電壓等級下都能達到最低的 RDS(on)。封裝尺寸比 D2PAK 7pin 60%，能將設計體積減到最小。TO 無封裝的體積大幅減少 30%，讓堆高機等應用所需要的電路板空間更小。高度減少 50%，在機架或刀鋒伺服器等一些需要小巧體積的應用中尤其具備優勢。此外，封裝的寄生電感較低，因此 EMI 特性更佳。

英飛凌低電壓功率轉換深協理 Richard Kuncic 表示：「隨著 TO 無鉛封裝的推出，英飛凌將成為第一家推出 0.75mΩ 60V MOSFET 的半導體公司。產品可以減少堆高機應用中所需並聯 MOSFET 的數量，同時提高功率密度。此種封裝能為我們的客戶帶來重大優勢，滿足高功率應用的需求，提供最高等級的效率和可靠性。」

再加上，TO 無鉛封裝的焊接接觸面積增加 50%，因此電流密度得以降低。如此避免在高電流量和高溫下發生電遷移，進提升可靠性。與其他無鉛封裝不同的是，TO 無鉛封裝採用銲錫的溝槽引腳，因此能用肉眼檢查。

此種全新封裝是功率應用的最佳選擇，能滿足應用對高效、優異可靠性、最佳 EMI 特性和最佳散特性等的需求。

上市時間
TO 無鉛封裝目前已開始提供 30V（最高 0.4 m?）、60V（最高 0.75 m?）、100V（最高 2.0 m?）和 150V（高 5.9 m?）等規格的樣品，預計自 2013 年第三季開量產。

作者: ranica 時間: 2013-6-5 04:43 PM
新的LGA封裝MOSFET幫助將空間受限的智慧型手機及平板電腦應用的能效及電池使用時間提升至極致
單節及雙節鋰離子電池充電/放電保護電路因高性能覆晶晶片MOSFET而受益

2013年6月5日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的MOSFET元件，用於智慧型手機及平板電腦應用，作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關的關鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。

這兩款元件符合RoHS指令，適用於單節及雙節鋰離子電池應用，提供領先業界的導通阻抗(RDS(on))性能水準，使用平面閘格陣列(LGA)結構，以提供小型的低高度設計，使其適合用於通常空間受限的智慧型手機及平板電腦應用。EFC6601R的額定最大源極至源極電壓(VSSS)為24伏(V)，EFC6602R的額定最大VSSS為12 V。兩款元件都採用2.5 V供電電壓工作，採用共漏極結構，包含內置保護二極管。

安森美半導體的三洋半導體產品部MOS產品總經理秋庭隆史說：「自從鋰離子電池面市以來，安森美半導體一直在開發及提供充電/放電保護電路開關MOSFET。我們積累的專業知識和技術使我們能夠開發出這些微型元件，更進一步延長電池使用時間及提升能效。」

安森美半導體計劃在年內再增添5款EFC系列MOSFET元件，説明從事更寬廣範圍的行動設備設計人員實現減小方案尺寸及延長電池使用時間的應用目標。

封裝及價格
EFC6601R及EFC6602R採用無鹵素EFCP封裝，每5,000片批量的單價分別為0.80和1.00美元。

作者: tk02376 時間: 2013-6-10 04:49 PM
本帖最後由 tk02376 於 2013-6-10 04:51 PM 編輯

IR新款IRS44273L精密低側閘極驅動IC採用SOT-23-5L封裝

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出採用了SOT-23-5L高度精密封裝的IRS44273L低側閘極驅動IC，有效提供高驅動能力。

IRS44273L易於使用，並且為IGBT及MOSFET閘極驅動器提供簡易的解決方案，從而利用最小的電路板面積，帶來典型1.5A拉電流和灌電流能力、快速開關效能及整合式欠壓閉鎖保護功能。全新元件更具有以往只適用於SO-8等較大封裝的功能，促進更精密、更經濟實惠的系統設計。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「全新IRS44273L採用了SOT-23-5L封裝，為低側驅動器提供目前市場上最高的驅動電流，使設計師得以利用該元件來代替面積較大的SO-8封裝元件，大幅減少解決方案的尺寸。」

IRS44273L在封裝的兩側都配備了兩個輸出引腳，透過靈活的布線來簡化系統設計。此外，該元件包含了非反相輸入，並且與CMOS及LSTTL控制器兼容。

規格

元件編號	封裝	IO+ / IO-(典型)	TON / TOFF (典型)	邏輯
IRS44273L	SOT23-5L	1.5A / 1.5A	50ns / 50ns	非反相

產品現正接受批量訂單。全新元件符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS)。

作者: innoing123 時間: 2013-6-14 10:30 AM
標題: 東芝為射頻/類比應用推出新的低功耗MOSFET設備結構
(20130613 16:59:51)東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）宣布使用CMOS相容製程開發高功率增益電晶體。該電晶體可有效降低高頻射頻/類比前端應用的功耗。詳細資訊將於6月12日在2013年超大型積體電路技術及電路研討會（Symposia on VLSI Technology and Circuits）期間公布，本次研討會將於2013年6月11日至14日在日本京都舉行。

智慧手機和平板電腦等無線和行動裝置的快速成長正推動對低功耗和高性能射頻/類比電路的需求。但是，由於電晶體擴展會導致噪音和能量增益效率的下降，因此很難將數位電路廣泛使用的先進設備和製程技術應用至射頻/類比電路。

東芝透過一種新設備結構（使用兩種不同材料作為一個金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的閘電極）和一種製程整合方案（採用廣泛使用的常見半導體製造方法）解決了這一問題。這種方法實現了奈米級閘長控制。電晶體的實驗結果顯示功耗顯著降低，並且作業速度沒有出現任何下降。

這種設備結構的獨特特徵是兩種材料（n型矽和p型矽）之間的薄氧化物阻擋膜，這種膜可以抑制雜質互擴散。閘電極區域中可以實現高電場，從而提高放大器效率。不同的閘電極材料採用不同的閘氧化膜厚度。這種結構在飽和狀態下可實現控制良好的設備屬性，即便在低工作電壓下也可實現。這種新設備製程還適用於先進數位大型積體電路製造所使用的高介電閘極絕緣層。

作者: innoing123 時間: 2013-7-1 09:48 AM
東芝擴大用於基地台和伺服器的功率MOSFET陣容
推出擁有頂尖[1]低導通電阻性能和高速交換性能的60V產品

東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布為其用於基地台和伺服器的通用直流-直流轉換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產品。這些產品使用最新的第八代低電壓溝槽結構，並實現了頂尖[1]低導通電阻和高速交換性能。即日開始量產。

作者: ranica 時間: 2013-7-11 01:57 PM
快捷半導體全新 MOTION SPM® 5 系列產品為小家電提供溫度感測與穩定的 EMI
模組已針對嚴苛應用環境中的效率及最大可靠度進行最佳化
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馬達控制系統設計人員需要能在嚴苛應用環境提供最佳化效率、確保最大可靠度的解決方案。為了應對這一挑戰，快捷半導體公司（紐交所代碼： FCS) 已開發 SPM® 5 智慧型功率模組系列，提供 3 相 MOSFET 變頻器(Inverter)解決方案，可為設計人員提供 AC 感應馬達 (ACIM : AC Induction Motor) 與無刷直流 (BLDC) 馬達變頻器解決方案，適用於最高 200W 的馬達，包括風扇馬達、洗碗機及各種小型工業馬達。

作者: ranica 時間: 2013-7-11 01:57 PM
全新的 SPM 5 系列包含六個快速回復 MOSFET，以及三個用於閘極驅動的半橋 HVIC。上述裝置提供低電磁干擾 (EMI) 特性及最佳化的切換速度。

低 RDS(ON) MOSFET 的精密驅動可大幅降低 EMI，提供最大的切換效率。內建的電壓過低鎖定(UVLO)與溫度感測單元(TSU: Thermal Sensing Unit)可為 SPM 裝置提供本機保護，連接的控制器 IC 也可即時監控模組的散熱效能。

Motion SPM 5 SuperFET® 系列中的 FSB50x60SF(S) 裝置採用 600V 超接面 MOSFET 技術，FSB50xxxA(x) 則採用 250V/500V FRFET® 技術。SPM 5 SuperFET 系列是業界第一款適用於小型家用裝置和小型工業驅動裝置的 600V 超接面 MOSFET 模組解決方案。上述技術提供優於 IGBT 型功率模組或單晶片解決方案的耐用性與更大的安全運作區域 (SOA : Safe Operation Area)。

此新款 SPM 系列在迷你的 29mm x 12mm 封裝中包含三個靴帶式二極體 (bootstrap diode)，額定運作電壓分別為 250V、500V 及 600V。小尺寸的設計及簡單的電子介面，使其非常適合需要小尺寸、快速上市及設計擴充性的應用，例如內建馬達應用，以及組裝空間受限的其他應用。此系列的裝置可為設計師提供當今應用所需的能源效率、小尺寸及低 EMI。

作者: ritaliu0604 時間: 2013-7-22 09:36 AM
標題: 東芝推出650V系統超接面MOSFET DTMOS IV系列
(20130719 10:52:38)東京--（美國商業資訊）--東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布推出第四代超接面MOSFET DTMOS IV系列650V設備。作為該系列的首款產品，TK14A65W已經推出，並計畫於2013年8月全面投入量產。

該系列採用最新的單磊晶製程打造，其每單位面積導通電阻（Ron•A）較現有的650V DTMOS II系列產品約降低了50%2，這就使其能夠採用緊湊封裝，有助於提高功效，縮小產品的整合尺寸。

作者: innoing123 時間: 2013-7-23 02:33 PM
科銳的碳化矽功率MOSFET協助Delta Elektronika BV公司開發新一代高效率和高可靠度的電源供應器
擴展的產品組合Cree® MOSFET可使產品功率損失減少21% 並提供使用減少一半元件數量的簡單架構

科銳公司(Nasdaq: CREE)宣佈新擴展的1200 V碳化矽(SiC) 功率MOSFET產品組合，將被納入Delta Elektronika BV公司最先進的電源供應器之中。Delta Elektronika 展示了與採用傳統矽技術設計的電源供應器相比，整體電源損耗減少21%及元件數量減少達45%的新電源供應器。

Delta Elektronika BV總裁Job Koopmann表示：「我們很高興在產品系列中採用科銳新型的碳化矽電晶體。它能夠同時提升效率和產品的功率密度，在切換效率的表現上也相當出色，控制MOSFET亦簡單容易。這種元件可協助我們繼續開發更多可靠的產品，滿足客戶的期望。」

自1959年以來，總部設於荷蘭的Delta Elektronika BV，一直是生產高可靠度及高品質電源供應器的領先企業，一系列的工業應用如工廠用的專業設備、汽車和工業電源轉換等。它的電源供應器通常能達到高效能及低雜訊水準，產品的長使用週期也是眾所周知。由於在最新的電源供應器系列中採用科銳先進的第二代碳化矽功率MOSEFET，Delta Elektronika BV在配置和提供高可靠度的先進技術上領先業界。

作者: innoing123 時間: 2013-7-23 02:34 PM
科銳功率元件與射頻產品部門總經理Cengiz Balkas表示：「我們很高興Delta Elektronika BV成為眾多採用我們最新一代碳化矽功率MOSFET產品的其中一家企業。Delta Elektronika BV擁有超過半世紀生產市場上其中一些最可靠、高效率和小型的電源供應器的歷史和傳統。重視效率、可靠性和功率密度的工業電源供應器市場，對碳化矽功率MOSFET技術而言是一個重要市場。我們新的第二代碳化矽功率MOSFET產品組合獲得市場熱烈的歡迎，當中包括了用於5-10 kW市場的160 m-Ohm MOSFET產品。」

科銳於2013年3月發表的第二代碳化矽功率 MOSFET，得到整個電力產業的支持，並且在數個重要的應用上獲得採用的次數變得愈來愈多，其中一家大型製造商正在評估將我們的解決方案，應用在他們下一代高效率太陽能逆變器(PV inverter)的產品設計中。在擁有碳化矽技術的前提下，電源供應器製造商能減少元件數量、協助提升可靠度，同時維持或提高電源供應器的效率。提升功率密度也會導致尺寸、重量、體積等方面的減小，在某些情況下甚至可以降低電源供應器的成本。對比採用傳統矽技術設計生產的標準電源供應器，碳化矽已被證明是可實現兩倍以上功率密度的技術。

作者: innoing123 時間: 2013-7-30 08:56 AM
東芝將為行動裝置的高電流充電電路推出超緊湊型MOSFET 高功耗封裝陣容擴大

東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布，該公司已經為智慧型手機和平板電腦等行動裝置的高電流充電電路的開關推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。

隨著更多功能加入智慧型手機和手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置以及對它們的電池提出更多要求，公司不斷顯著增加充電電流來縮短充電時間，以提高電荷密度和改善使用者體驗。新的超緊湊型SSM6J781G和SSM6J771G是東芝高功耗封裝的高電流MOSFET陣容的最新成員。即日起開始量產和出貨。

可應用於智慧型手機和手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置的高電流充電開關。

推薦的電路包含高壓側開關（P溝道）、結合升壓控制LSI的高壓側開關（N溝道）以及低壓側電池保護的控制開關（N溝道）。

主要特點有高電流、低導通電阻、低電容、小型封裝（1.5 x 1.0 mm；WCSP6C）以及高功耗。

作者: innoing123 時間: 2013-9-16 08:27 AM
德州儀器推出首款整合型步進馬達前置驅動器進一步擴大馬達驅動器產品陣營進階步進控制技術為工業應用實現靜音驅動'
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(台北訊，2013 年 9 月 13 日) 德州儀器 (TI) 宣佈推出首款整合型步進馬達前置驅動器，進一步擴大其馬達驅動器產品陣營。該 DRV8711 具備與業界最優異之晶片內建微步進分度器的高度可配置性，以及失速檢測與可便捷高效調節任何馬達的進階電流調節功能。外部 MOSFET 可控制步進馬達，支援最低熱耗散以及較效能最接近的同類產品高出20% 的可擴展輸出電流，讓設計人員可客製化其設計的輸出電流。這款步進馬達前置驅動器適用於各種工業應用，包括紡織機械、視訊安全監控、ATM、機器人、辦公自動化設備以及舞臺照明等。

作者: innoing123 時間: 2013-9-16 08:27 AM
DRV8711 的主要特性與優勢：
• 可客製化的驅動器等級：柵極驅動器支援每 400mA 汲極電流下高達 200mA 的源極電流，並支援可調節迴轉率、空載時間與導通時間，可充分滿足應用需求。該元件可驅動具備內建充電泵的外部 N 通道 MOSFET，進而提供更多設計選項以及更低成本的解決方案；
• 流暢的動態曲線可實現更高的效能：採用支援達 1/256 微步進效能的整合型微步進分度器驅動步進馬達。自我調整消隱時間與各種電流衰變模式，包括慢、快、混合與自動混合衰變等，可實現流暢的動態曲線，進而最佳化馬達效能；
• 內外部失速檢測功能：設計人員既可透過內部失速檢測特性輕鬆檢測失速情況，也可透過處理可選擇性地反電動勢 (BEMF) 輸出以檢測失速情況，並透過外部控制器採取糾正措施。這可協助設計人員將馬達失速干擾降到最低；
• 易用性與高度可配置性：SPI 介面讓客戶可針對輸出電流、微步進模式、電流衰變模式以及失速檢測功能進行程式設計，可較同類元件降低系統複雜性及簡化設計；
• 穩健、可靠與保護功能：DRV8711 內針對馬達過電流、前置驅動器過電流、過溫以及欠壓故障情況的保護功能可支援系統保護，並實現高度的系統可靠性與穩固性。

工具與支援
DRV8711EVM 可評估該前置驅動器。此款評估模組 (EVM) 不僅包含低功耗 MSP430F2617 微控制器 (MCU) 與外部 NexFET 功率 MOSFET，而且還可透過電源排針外部提供高達 52V 的電源，並能提供透過圖形化使用者介面 (GUI) 與 MSP430F2617 MCU 通訊的 USB 介面。此外，所包含的步進馬達還可用來評估控制器效能。

TI E2E™ 社群的馬達驅動器論壇可為工程師提供強大的技術支援，並可向 TI 專家諮詢相關問題。

供貨情況、封裝與價格
採用38 接腳 HTSSOP PowerPadTM 封裝且具備導熱墊的 DRV8711 現已開始供貨，其每千顆單位建議零售價為 2.75美元。

作者: globe0968 時間: 2013-9-23 01:44 PM
美高森美針對RF和寬頻通信應用推出新型較大功率和較高電壓 MOSFET器件
VRF2944在50V供電電壓下具有業界最高的輸出功率

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation, 紐約納斯達克交易所代號：MSCC)擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導體(VDMOS) MOSFET產品系列，宣佈推出VRF2944 和VRF3933，它們是為了可在2-60 megahertz (MHz)工業、科學和醫療(ISM)頻率範圍運作而設計的兩款更大功率、更高電壓(V) 器件，目標應用包括需要大功率和高增益，但卻不會影響可靠性、穩健性或相互調變失真的商業和國防RF功率和寬頻通訊。

與包括SD2933的競爭器件相比，業界領先的VRF2944器件在50V供電電壓下可提供400W或提高33%的輸出功率。美高森美公司的較大功率器件可以讓客戶將現有系統的功率增加33%，或減少其RF功率系統的每瓦費用。此外，該MOSFET器件還整合了一閘極電阻，此舉可用來提升寄生電阻，以保持60MHz的最大工作頻率。VRF2944器件與美高森美的前一代產品VRF2933相似，能夠在最高65V供電電壓下運作，單一VRF2944器件可提供675W的輸出功率。

VRF3933器件能夠在最高為100V的供電電壓下運作，並且提供300W輸出功率。這款更高電壓MOFET器件還可提供更高的輸出電阻，更容易與50Ω負載匹配。例如，四個VRF3933器件兩兩並聯，而且這兩個並聯對器件採推挽式形式，能夠通過4:1變壓器，使用83V供電電壓向50Ω負載發送1.1 kW功率。

美高森美公司VRF產品系列的主要特性包括：
• 高於大多數競爭器件的電壓，可實現較高的輸出功率：Po與V2成比例；
• 氮鈍化晶片具有高可靠性；
• 金金屬噴敷(gold metallization)和金線打線可提升可靠性，並且
• 可借助美高森美的應用工程技術團隊來獲得設計支援

作者: atitizz 時間: 2013-11-13 09:48 AM
Power Integrations 推出高頻率雙晶順向式 IC，可大幅降低成本與佔位面積

(20131113 10:06:42)美國加州聖荷西--(美國商業資訊)--Power Integrations (Nasdaq：POWI) 這家專門提供高效電源轉換IC的領導廠商，今天宣布推出 HiperTFS™-2 IC 系列，將雙晶順向式和返馳式電源供應器控制 IC 與整合式高壓 MOSFET 結合在一起。如此高度整合下，省去了超過 20 個元件，因此尺寸外型更小且功率密度更高。這個主電源轉換器提供 66 kHz 和 132 kHz 切換頻率選擇，如此能夠使用極小的磁性元件，來降低系統成本。

HiperTFS-2 IC 在滿載情況下，能源效率超過 90%。此外，峰值功率為 175%，能滿足新一代 Intel CPU 的要求。這個單晶片完成了一個雙晶順向式主電源 (66/132 kHz) 和返馳式 (132 kHz) 待機電源供應器，以小型、雙列 eSIP™ 封裝，提供高達 364 W 的總輸出功率 (峰值功率為 586 W)。安全功能包括欠壓保護、過壓保護、過溫保護、過電流保護和短路保護。變壓器重設控制功能可在所有情況下防止發生飽和。

Power Integrations 產品行銷經理 Chris Lee 表示︰“HiperTFS-2 IC 使得通過80 PLUS銅牌和80 PLUS銀牌認證的電腦、遊戲主機電源轉換器和工業產品等應用，可以採用小型化的電源供應器。加入高壓側 MOSFET 驅動器後，讓設計人員不再需要使用脈衝變壓器和其他支援元件，進而簡化設計並縮減磁性元件的體積 (及成本)。」

採用HiperTFS-2 IC 的最新參考設計 DER368，將說明峰值功率負載為 250 W 而待機功率為 10 W 的 12 V、180 W 電源供應器，樣品現已上市，單價為 1.74 美元，訂購數量為 10000 件。

作者: amatom 時間: 2014-2-19 01:38 PM
vago Technologies針對馬達驅動與逆變器應用推出兩款新高度整合智慧型閘極驅動光耦合器
功能齊全的2.5A與4A閘極驅動光耦合器可以大幅節省系統成本與電路板空間，提升整體電源效率與可靠度

【二○一四年二月十九日】有線、無線與工業應用類比介面零組件領導供應商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 宣布推出兩款新高度整合智慧型閘極驅動光耦合器，ACPL-336J與ACPL-337J分別擁有2.5A與4A軌對軌輸出，可以直接推動高功率MOSFET或IGBT。新產品具有高電流軌對軌輸出、內建LED驅動電路、主動米勒箝位、高DESAT去飽和遮蔽電流源以及電壓過低鎖定(Under Voltage Lock-Out, UVLO)回授控制電路，為馬達控制與電源逆變器應用提供完整且高成本效益的閘極驅動解決方案。

Avago隔離產品事業部行銷總監Kheng-Jame Lee指出：「為了滿足最新應用的高功率與高效率需求，閘極驅動設計變得越來越複雜，已經採用Avago經市場驗證HCPL-316J的客戶希望能夠擁有更高的關鍵閘極驅動功能方塊晶片整合度。新ACPL-336J與ACPL-337J不僅可以節省閘極驅動設計的外加零組件數量，也為馬達驅動與逆變器應用的精簡閘極驅動光耦合器解決方案立下新的標準。」

作者: amatom 時間: 2014-2-19 01:38 PM
ACPL-336J/ACPL-337J產品特點
• 高電流軌對軌輸出，可以節省輸出緩衝電路並提高電源效率
• 內建LED驅動電路、主動米勒箝位與高DESAT去飽和遮蔽電流源，節省系統成本與電路板空間
• 整合短路保護以及錯誤(FAULT)與電壓過低鎖定(UVLO)回授控制電路，提高驅動系統可靠度並保護IGBT
• VIORM=1414VPEAK高強化絕緣電壓，提供高電壓應用可靠的防失效安全保護
• 8.3mm爬電距離與電氣間隙，符合嚴格系統級安全規範要求
• 典型50kV/µs高CMR，避免高雜訊環境下的錯誤驅動
• 符合CSA、UL和IEC安全規範，帶來快速系統級安全反應與上市時程

供貨情況
Avago的ACPL-336J與ACPL-337J智慧型閘極驅動光耦合器目前已經可以正式供貨。如需樣品與產量，請洽詢Avago直接銷售管道或全球經銷合作夥伴。

作者: innoing123 時間: 2014-3-6 01:13 PM
標題: 科銳發表業界中最強大的碳化矽蕭特基二極體
科銳CPW5系列 Z-Rec二極體將碳化矽 (SiC) 優勢擴大至兆瓦 (megawatt) 的電力系統市場，可協助提升效率同時降低成本

科銳公司 (Nasdaq: CREE) 宣布推出新型CPW5 Z-Rec®高功率碳化矽(silicon-carbide, SiC)蕭特基二極體產品，為業界第一個已可商用化的50安培SiC整流器系列。這些新型二極體專為在從50 千兆 (kW) 到超過1兆瓦 (MW) 的高電力系統中使用SiC技術，提供成本降低、效率提升、系統簡化以及高可靠度的優勢，能夠實現要求嚴苛的應用，包括太陽能/太陽能光電轉換器(PV inverter)、工業用電源、感應加熱、電池充電站、風力發電變流器和牽引逆變器。

科銳的CPW5蕭特基二極體特別為方便50安培的二極體與50安培的MOSFET或IGBT直接配接而開發，以單一CPW5整流器取代多個低電壓、低電流的SiC蕭特基二極體或矽PiN二極體，有助降低系統的複雜程度和成本。由於SiC的開關過程中消除了電壓超量的問題，因此可以藉著降低最大電壓額定值和消除緩衝電路來進一步降低成本。

APEI公司業務發展總監Ty McNutt表示：「科銳的CPW5系列SiC蕭特基二極體是我們高性能功率模組和電子電力系統中的重要組成部分。其低順向電壓降 (voltage drop)、快速的開關速度和擴展的溫度性能，使我們能在許多應用，例如高功率馬達驅動器和太陽能光電轉變器中提升功率密度和效率。」

科銳 CPW5二極體可實現新一代的高電流Si/SiC IGBT模組。與傳統模組相比，混合式Si/SiC的IGBT模組的開關損耗可銳減達43%，同時還可抑制電壓及電流超量、開關延遲時間(dead time)和冷卻需求。另一個好處是設計工程師可利用與傳統模組相同的閘極驅動器設計和電路，從而可方便及立即執行系統。此外，科銳CPW5二極體也提供了一個具有超過500安培反覆電流和2000安培非反覆電流的正向峰值浪湧電阻，在最惡劣的電氣環境下也能提供較高的可靠性。

SmiDice執行長Dan Cormack表示：「SemiDice是以晶圓和晶粒方式提供科銳SiC功率產品的獨家經銷商，我們很高興能供應CPW5系列的Z-Rec蕭特基二極體。我們正看到客戶對50安培蕭特基二極體的需求增加，並深信Cree作為高階SiC二極體製造領域的全球領先者，將可提供我們客戶所期望的品質和性能，協助他們將系統成本和尺寸降到最低。」

CPW5系列Z-Rec蕭特基二極體包括1700V/50A、1200V/50A、650V/50A和650V/30A組合。SemiDice公司現已提供新型CPW5二極體的裸晶。

作者: mister_liu 時間: 2014-3-20 01:48 PM
IR堅固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET為電訊電源應用提供基準效能

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRFH7185TRPbF 100V FastIRFET功率MOSFET，為電訊應用內的DC-DC電源提供基準效能。

IRFH7185TRPbF利用IR全新100V FastIRFET製程，提供基準的導通電阻閘極電荷品質因數 (Rds(on)*Qg figure of merit)，以實現更高效率和功率密度，並且提高系統可靠性。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IRFH7185TRPbF提供極低導通電阻，加上閘極電荷比同類型元件顯著較低，所以從輕載到滿載都能達致高效能。新100V FastIRFET元件提高雪崩電流密度達20%，藉以為DC-DC電訊電源提供行業最堅固耐用的解決方案。」

IR FastIRFET元件可配合各種控制器或驅動器操作，從而使設計更靈活，更以小佔位面積實現更高電流、效率和頻率。IRFH7185TRPbF符合工業級標準及第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準，並採用了5x6 PQFN行業標準封裝，備有不含鉛且符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的環保物料清單。

規格

封裝

元件編號

在25°C下最大Id

在10Vgs下

典型/ 最高RDSon (mΩ)

在4.5V下典型QG (nC)

在10Vgs下R*QG

PQFN 5×6

IRFH7185TRPBF

123A

4.2

151.2

作者: ritaliu0604 時間: 2014-3-25 01:02 PM
德州儀器針對大電流馬達控制及電源設計推出 40V 至 100V NexFET™ MOSFET
最新中電壓功率 MOSFET 包含採用 TO-220 封裝的最低導通電阻80V 及 100V 元件

(台北訊，2014年3月25日) 德州儀器 (TI) 宣佈推出採用 TO-220 及 SON 封裝的 14 款功率 MOSFET，該產品支援 40V 至 100V 輸入電壓，可進一步壯大其深受歡迎的 NexFET 產品陣營。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道元件，可為各種大電流馬達控制及電源應用提供優異的散熱效能。

最低導通電阻
兩款最新 80V 及 100V NexFET 元件採用 TO-220 封裝，可在不影響高閘極電荷情況下實現業界最低導通電阻，進而可在更大的電流下為設計人員提供更高的電源轉換效率。CSD19506 可在高達 80V 的輸入電壓下支援 2.0 mΩ的 Rds(on)，而CSD19536 則可在 100V 輸入電壓下實現 2.3 mΩ的 Rds(on)。這兩款產品都採用支援高累增崩潰效能的塑膠封裝，支援高壓力馬達控制應用。此外，設計人員還可透過參訪 TI 獲獎型 WEBENCH® 線上設計工具便捷選擇最新產品並模擬電源設計。

簡單易用的評估模組
TI 還推出了幾款基於 60V NexFET 產品的簡單易用型評估模組，所有評估模組均可透過 TI eStore™ 訂購：
• 步進馬達前置驅動器：DRV8711EVM 評估模組基於與 NexFET 配對的 DRV8711 步進馬達控制器，可驅動一部大電流雙極步進馬達或兩部有刷 DC 馬達；
• 馬達驅動器 BoosterPack：BOOSTXL-DRV8301 套件是一款基於 DRV8301 前置驅動器的 10A 三相位無刷 DC 驅動級，適用於學習無感測器無刷控制技術與驅動級設計的設計人員；
• 數位電源：UCD3138PSFBEVM-027 可幫助電源開發人員設計數位控制、相移離線、12V、360W 電源轉換器應用；
• 負載點控制：TPS40170EVM-597 評估模組支援 TI TPS40170 同步降壓控制器以及兩個 NexFET 元件。

供貨情況與價格
CSD19506KCS 與 CSD19536KCS N 通道元件現已開始投入量產，可透過 TI 及其全球授權販售者網路進行訂購。每一款元件均採用 3 接腳、標準 TO-220 封裝，CSD19506每千顆單位建議零售價為 2.30 美元，而CSD19536每千顆單位建議零售價為 2.30 美元。此外，TI 還提供採用 5 mm × 6 mm無鉛 SON 封裝的 40V、60V、80V 以及 100V FET。

作者: atitizz 時間: 2014-4-24 04:17 PM
IR為工業應用擴充StrongIRFET系列新推出60V MOSFET備有極低導通電阻

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列，為多種工業應用推出60V元件，包括電力工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源二次側同步整流。

全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻 (RDS(on))、極高的載電流能力、軟本體二極體，以及有助於提高噪聲免疫能力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過行業最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。新元件提供插入式及表面黏著D2-PAK封裝選擇。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR 60V StrongIRFET元件系列具有極低的導通電阻，而且完全通過嚴格的行業級雪崩測試，以確保產品堅固耐用。新元件提供基準效能MOSFET選擇，旨在為工業市場作出優化。」

作者: atitizz 時間: 2014-4-24 04:18 PM
規格
採用了穿孔式封裝的60V StrongIRFET

元件編號	BVDSS	在25°C下的ID	在VGS=10V下的最高導通電阻	在VGS=10V下的閘極電荷	封裝
IRFB7530	60V	195A	2.0	274	TO-220
IRFP7530			2.0	274	TO-247
IRFB7534			2.4	186	TO-220
IRFB7537			3.3	142	TO-220
IRFP7537			3.3	142	TO-247
IRFB7540		110A	5.1	88	TO-220
IRFB7545		85A	5.9	75
IRFB7546		58A	7.3	58

作者: tk02561 時間: 2014-4-29 11:33 AM
標題: 東芝推出小型SO6封裝的光電耦合器
(20140428 18:01:33)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)半導體和儲存產品公司今天宣布，該公司推出小型SO6封裝的光電耦合器。新產品TLP3905和TLP3906即日起投入量產。

光電耦合器採用不含MOSFET晶片的光控繼電器結構。用戶可透過將光電耦合器與外部選用MOSFET相結合，從而建立一個隔離繼電器。這樣可獲得更大的電壓和電流，超越現有光控繼電器產品的性能。

新產品TLP3905和TLP3906能保持東芝現有產品TLP190B和TLP191B的基本性能，同時能夠透過將工作溫度增加至125°C（最大值）以及將絕緣電壓升至3750Vrms（最小值），以擴大應用領域。此外，TLP3906整合了一個控制電路，可釋放MOSFET閘極電荷，從而加快斷開速度；這一速度約為TLP3905的三倍。另外，TLP3906可保證LED觸發電流，以確保VOC（最小值）*，從而更易於降低LED電流的功耗。新產品適用於測試應用中的線路開關或PLC應用中的高電流控制。

*VOC：開路電壓

作者: globe0968 時間: 2014-5-29 02:07 PM
英飛凌推出ThinPAK 5x6 體積最小的 CoolMOSTM MOSFET 適用於適配器、消費性電子及照明應用

【2014 年 5 月 27 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司今日推出全新無引線表面黏著 (SMD) 封裝的 CoolMOSTM MOSFET – ThinPAK 5x6。體積最小的ThinPAK 5x6 CoolMOSTM MOSFET 適用於適配器、消費性電子及照明應用。

行動裝置的充電器、超高畫素電視、LED 照明必須滿足各式極具挑戰的要求。消費者渴望超薄的高效能產品，因此，製造商需求體積精巧、提供高效能、具有成本效益的半導體解決方案。藉由減少佔據印刷電路板 (PCB) 面積的元件尺寸及重量，有助於節省可觀的空間需求。例如，根據 Strategy Analytics (2014) 的預估，全球智慧型手機市場年成長率將達 9.4% (2013 – 2018)。

充電器的發展趨勢則是朝向更小、更快、更有效率的解決方案前進。ThinPAK 5x6封裝高度僅 1mm， 5mm x 6mm 的極小面積，相較於傳統 SMD 封裝如 DPAK，體積減少了 80%，讓製造商更有彈性，可設計出更小的充電器。ThinPAK 極低的寄生效應，例如比傳統式 DPAK 更低的源極電感，可以在全負載條件下降低閘極電壓震盪，並且將切換過程的電壓尖波減到最低，比起傳統式 SMD 可減少達 40%，改善裝置及系統穩定度及使用便利性。

ThinPAK 5x6 確保工程師在 PCB 設計時有更大的彈性以及更好的切換效能，達成更有效率的電源轉換，同時也能縮小應用的整體系統尺寸，例如低功率適配器、照明及薄型電視。而之前發表的 ThinPAK 8x8 產品系列，則在較高功率應用，如伺服器及電信 SMPS，擁有絕佳的市場接受度。

上市時間

目前已開始提供ThinPAK 5x6 封裝的工程樣品，預計將於 2014 年 9 月開始量產。

作者: tk02561 時間: 2014-6-19 01:29 PM
IR為工業應用推出大罐型DirectFET MOSFET系列備有極低導通電阻

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大型罐DirectFET MOSFET系列，適用於要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的高功率直流馬達、直流/交流逆變器等工業應用，以及動態ORing熱插拔和電子保險絲等高電流開關應用。

全新7mm x 9mm x 0.7mm大型罐封裝元件提供卓越的導通電阻效能，從而實現較低的導通損耗及更理想的系統效率。這款大型罐產品與中、小罐型DirectFET元件相似，備有雙面散熱功能，可提供最佳傳熱效能和功率密度。DirectFET還提供最佳的裸片對佔位面積比，有效縮減電路板尺寸。加上0.7mm的超薄厚度，新元件為受空間限制的高功率工業電源設計提供理想的解決方案。

與DirectFET系列的其他元件一樣，全新工業用大型罐封裝元件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。此外，DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單，可迎合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了含鉛上片，雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限，但豁免將於2016年到期。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「DirectFET系列新增大型罐封裝元件後，繼續領導業界作為市場上最可靠、最高效的MOSFET封裝產品之一。全新大型罐DirectFET系列的佔位面積比D2PAK等傳統的大型塑膠表面黏著功率封裝顯著減小，而且增加了上方散熱效能，因而非常適合受空間限制的長壽工業電源設計。」

全新40V到150V大型罐封裝元件符合工業級標準及第一級濕度敏感度 (MSL1)。

作者: amatom 時間: 2014-6-27 02:21 PM
TI 推出業界首批支援整合型 MOSFET 的大電流 PMBus™ 轉換器
20-A 及 30-A SWIFT™ DC/DC 降壓轉換器支援電壓、電流以及溫度監控
[attach]20056[/attach]

(台北訊，2014年6月27日) 德州儀器 (TI) 宣佈推出業界首批具有 PMBus 介面的 18-V、20-A 及 30-A 同步 DC/DC 降壓轉換器。該 SWIFT TPS544B20 及 TPS544C20 轉換器採用小型 QFN 封裝並支援整合型 MOSFET，可在空間有限的高功率密度應用中驅動 ASIC，充分滿足有線及無線通訊、企業與雲端計算以及資料儲存系統等各種不同市場需求。這些轉換器與 TI 屢獲殊榮的 WEBENCH® 線上設計工具配合使用，可簡化電源轉換，加速電源設計時程。

作者: amatom 時間: 2014-6-27 02:21 PM
上述高整合轉換器支援 0.5% 的參考電壓誤差精準度以及全差動遠端電壓感測，可滿足深次微米處理器的電壓需求。可選 D-CAP™ 或 D-CAP2™ 自我調整導通時間控制模式簡單易用，不僅支援高速負載暫態響應，而且還可減少外部元件數量。可編程設計性和輸出電壓、電流及外部溫度的即時監控，加上透過 PMBus 的故障報告，不僅可簡化電源設計，提高可靠性，還可減少元件數量，降低系統成本。觀看影片，瞭解 PMBus 介面降壓穩壓器的各種優勢。

對於不支援輸出電壓、電流及電路板溫度遙測技術的 PMBus 應用，TI 提供 12-A SWIFT TPS53915 降壓轉換器。瞭解有關 TI 完整SWIFT 產品系列的更多詳情。

TPS544B20 與 TPS544C20 的主要特性與優勢
• 整合型功率 MOSFET 支援 20-A 及 30-A 持續輸出電流；
• 晶片上 PMBus 介面和非揮發性記憶體可簡化電源設計，支援電壓、電流以及溫度監控，並可達到電源客製化；
• 可選 D-CAP 或 D-CAP2 自我調整導通時間控制模式並無需輸出電容與迴路補償，可最小化外部元件數量；
• 其他特性包括內部緩啟動、輸入欠電壓保護以及過熱關機等。

作者: tk02561 時間: 2014-7-28 11:50 AM
IR 60V StrongIRFET MOSFET擴充系列備有標準和高效能功率封裝極低導通電阻適合工業應用
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，並提供多種標準和高效能功率封裝選擇。全新MOSFET備有極低的導通電阻 (RDS(on))，適合電力工具、輕型電動車 (LEV) 逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源 (SMPS) 二次側同步整流等多種工業應用。

作者: tk02561 時間: 2014-7-28 11:51 AM
經過擴充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式和表面黏著封裝選擇，其中IRF7580M元件採用超薄精密的中型罐 (ME) DirectFET封裝，可提供高電流密度，還有效縮減整體系統尺寸及降低成本，因而非常適合受空間限制的高功率工業設計。

新的60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款元件，全部配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻、極高的載電流能力、軟本體二極體，以及有助於提高噪聲免疫能力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過行業最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR廣泛的60V StrongIRFET MOSFET產品系列提供多種封裝選擇，並具有針對工業市場的低導通電阻和高電流能力，使設計師能夠基於性價比準則靈活選擇最適合其應用的元件。」

與DirectFET系列的其他元件一樣，全新IRF7580M中型罐封裝元件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。此外，DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單，因而適合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了含鉛上片，雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限，但豁免將於2016年到期。

採用表面黏著封裝的60V StrongIRFET

作者: mister_liu 時間: 2014-8-28 11:30 AM
標題: 東芝的分離式半導體產品策略
東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba) (TOKYO:6502)力爭透過在成長型市場中提供分離式元件實現業務穩定擴張。

業務環境日新月異，智慧型手機、平板電腦、無線基地台和資料中心等市場不斷擴大，汽車正越來越智慧化，風力發電等新能源日益發展（主要在新興市場國家），而且產業對能源效率的重視前所未有。

小信號設備和光電(OPTO)元件

小信號設備和OPTO元件是該業務領域的基礎產品，自去年以來需求強勁。我們的每個生產據點，包括自泰國水災之後搬遷廠址的東芝半導體（泰國）公司(TST)，目前均開足馬力營運。我們的OPTO元件光電耦合器已連續四年保持全球第一的市占率。我們致力於透過擴大TST規模、擴大高附加值領域的產品陣容（主要是在工業市場），以進一步提高生產力，以及透過回應市場變化和擴張來擴大業務。

功率元件

金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)是我們重點關注的產品，我們將透過發揮性能、品質和供應能力方面的綜合實力來為客戶提供支援，以滿足中國的工業市場及強大的日本汽車廠商的需求。中國市場可望實現進一步擴張。我們已經獲得下一代汽車產品的訂單。我們將繼續提高加賀東芝電子(Kaga Toshiba Electronics) 200mm生產線的產能，並繼續為客戶提供解決方案。

此外，隨著下一代產品利用新材料因應多元市場需求，我們將為高電壓、高頻率領域推出碳化矽(SiC)元件，為超高頻率領域推出氮化鎵(GaN)功率元件，以及為白色LED推出矽基氮化鎵(GaN on Si)製程技術。我們還將與內部系統公司攜手合作。我們將在未來引領市場擴張。

東芝分離式半導體業務(Toshiba Discrete Semiconductor Business)將提前因應未來的需求，以在全球市場中實現業務成長。

作者: sophiew 時間: 2014-9-15 02:30 PM
德州儀器高電壓轉換開關為always-on智慧電錶及家庭自動化設計節省能源
700-V 電源管理轉換開關將靜態功耗減少 50%
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(台北訊，2014年9月12日) 德州儀器 (TI) 宣佈推出支援不足 100uA 業界最低靜態電流的 700-V 轉換開關，其功耗是現有解決方案的一半，進一步擴大了 TI 針對離線 AC/DC 設計的高電壓電源解決方案陣營。該 UCC28880 控制器高度整合 700-V 功率 MOSFET 和高電壓電流電源，可提高輸出電流高達 100mA 的 always-on 非隔離式電源系統的整體能源效率，充分滿足智慧電錶、家庭自動化設備以及大型家用電器等應用需求。

TI 高電壓電源解決方案產品部首席技術官 Dave Freeman 指出，全球數以億計的智慧電錶透過不斷消耗電網電源來測量能源使用情況並向公共事業單位提供回饋。雖然這些電錶耗電量相對較小，而且其耗電也不向用戶收取費用，但將這些設備供電所需的能源進行累加後發現，降低其能源消耗也非常重要。TI 最新高電壓電源解決方案等最新電源轉換技術將有助於智慧電錶大幅降低能耗。

作者: sophiew 時間: 2014-9-15 02:30 PM
UCC28880 高電壓轉換開關不僅可降低系統成本，最小化電源整體尺寸，同時還可保持高效率與高系統效能。設計人員可使用該轉換開關創造降壓、升降壓以及反向等不同轉換器拓撲，無需增加額外的半導體元件。

UCC28880 的主要特性與優勢：
• 業界最低功耗：由於負載降低，靜態電流可降低至 100uA 以下；
• 縮小應用尺寸，降低整體系統成本：該電路在 29.4 平方毫米的微小型 7 接腳SO 封裝中高度整合 700V MOSFET、啟動電流源以及內部電流感測功能。此外，由於無需外部補償，可進一步減少元件數量，縮小電路板空間；
• 過大電流下的優異系統效能：除了電流限制功能之外，控制器的電感器電流失控保護也有助於在負載短路情況下提供保護，確保設計可靠性；
• 過熱保護：該裝置提供支援遲滯重啟的過溫保護功能，可確保安全工作；
• 增加沿面距離與間隙：高電壓接腳隔離在封裝的一側，其可最大限度增大高低電壓接腳的間隙。

基於 UCC28880 的離線 AC/DC 參考設計 (PMP8550) 不僅可讓設計人員快速設計總體解決方案尺寸為 38 毫米 × 32 毫米 × 22 毫米的低成本、低功耗非隔離式高側降壓轉換器，其支援 13V 的電壓，同時還可生成高達 100mA 的輸出電流。該參考設計採用整合開關的降壓轉換器，可用於眾多工業應用。設計原理圖、CAD 檔以及測試結果可供下載。

供貨情況及售價
整合 700V FET 的 UCC28880 轉換開關現已開始供貨，採用 7 接腳 SOIC 封裝，建議售價為每一千單位 0.55 美元。UCC28880 低側降壓評估模組 (EVM) 與高側降壓 EVM 包含可下載 PSpice 模型，建議售價為 49 美元。

作者: tk02561 時間: 2014-9-15 04:18 PM
標題: 東芝針對超低功率MCU開發穿隧場效應電晶體
(20140915 15:40:10)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布針對超低功率微控制器(MCU)開發採用新工作原理的穿隧場效應電晶體(TFET)。該工作原理已經被應用到使用CMOS平台相容製程的兩種不同的TFET開發中。透過將每種TFET應用到一些電路塊中，可實現大幅降低MCU的功耗。

9月9日和10日，東芝在日本筑波舉辦的2014年固態元件與材料(SSDM)國際會議上的三場展覽中展示了其TFET。其中的兩次展覽是建立在與日本產業技術綜合研究所(AIST)合作研究團隊綠色奈米電子中心(GNC)的共同研究基礎上。

無線設備和行動裝置的需求快速成長，正帶動著大型積體電路(LSI)超低功耗的需求成長。在這種形勢下，我們急切需要創新設備，以降低工作電壓，減少待機洩漏電流。使用量子穿隧效應新工作原理的隧道場效應電晶體已經吸引了大量關注，能夠取代傳統的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)實現LSI的超低功耗運作。

由於III-V化合物半導體等新材料具有實現高性能的潛力，因此近來就是否可引進這些新材料應用於TFET進行了廣泛調查。然而，由於特殊製程利用導致的困難，將這些材料應用到目前的CMOS平台較為困難。

東芝已透過為採用通用CMOS製程的一些主要電路塊最佳化TFET特性，解決了這一問題。該方法使TFET輕鬆安裝至現有生產線中成為可能。東芝開發了兩種型號的矽基TFET，一種用於具有超低洩漏電流和最佳化導通電流的邏輯電路，另一種用於具有極低電晶體特性偏差的SRAM電路。兩種型號均使用垂直型穿隧操作，以增強穿隧屬性。此外，邏輯TFET使用精確控制的磊晶材料生長製程確保使用碳和摻磷矽(phosphorus doped Si)的隧道結形成過程。這裡提及的矽/矽鍺(SiGe)結也已被全面評估，以確保最佳化配置。因此，該設備的導通電流相較於矽TFET高兩個數量級，而且N型和P型TFET的超低關態電流相同。對於SRAM型號的TFET開發，東芝已提出新穎的TFET運作架構，無需形成結構化隧道結。它可消除製程變異性，並顯著抑制電晶體的特性偏差。

東芝將展示這些TFET與傳統的MOSFET在MCU中的整合，以使總功耗降低十分之一或更多，到2017年將目標瞄準商用產品及使用。

作者: globe0968 時間: 2014-9-18 11:05 AM
科銳的碳化矽MOSFET協助日本推動日益擴大的太陽能基礎建設
日本Sanix公司最新的太陽能逆變器採用科銳C2M系列碳化矽MOSFET 以實現最佳的系統性能、可靠性和定價組合
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科銳公司(Nasdaq: CREE) 日前宣佈其1200V、80毫歐姆的C2M™系列碳化矽(SiC) MOSFET已獲得日本Sanix公司採用，納入其新型9.9kW三相太陽能逆變器的設計內，而該逆變器用於正在快速成長的日本太陽能市場中的商用化太陽光發電系統。

作者: globe0968 時間: 2014-9-18 11:05 AM
Sanix公司總經理Hiroshi Soga表示：「藉著與科銳的夥伴關係和其擁有的碳化矽技術，我們能夠在競爭激烈的日本太陽能市場中取得更高的市占率。科銳的碳化矽MOSFET對Sanix而言非常重要，使我們得以實現效率和散熱設計目標。和我們考慮中的矽超級接面MOSFET (silicon super-junction MOSFET)相比，碳化矽開關在我們的太陽能逆變器電子中可降低損失超過30%以上。科銳最新一代C2M系列碳化矽MOSFET除了可提供大幅的效率增益外，在定價上也具有競爭力，因此可以取代電壓、耐用性和效率都較低的矽功率MOSFET。」

科銳1200V 的C2M0080120D MOSFET用於太陽能逆變器的初級功率轉換階段，提供更快的開關特性，而開關損失甚至僅為同等評級的額定電壓900V矽超級接面MOSFET的三分之一。藉著大幅減少開關損失，科銳的碳化矽MOSFET能實現較少的系統總能量損失、較高的頻率切換、以及較低的操作溫度。這些優點提升了轉換效率，同時降低系統的尺寸、重量、複雜性和熱管理要求。在系統層級方面，系統性能獲得提升、成本得以降低、而太陽能逆變器的壽命也得以延長。

科銳功率和射頻部門總經理暨副主席Cengiz Balkas表示：「我們非常高興見到Sanix在其新型9.9kW太陽能逆變器中，採用科銳1200V C2M系列碳化矽MOSFET技術。科銳碳化矽功率裝置能為太陽能逆變器的效率、可靠性和成本等方面提供顯著的優勢，並且隨著Sanix公司不斷擴大在日本太陽能市場的市占率的同時，為其提供關鍵性的競爭優勢。」

科銳的C2M系列碳化矽MOSFET經證實比傳統的矽技術可實現高達三倍之多的功率密度，並提供了1200V和1700V，範圍從1Ω至25 mΩ的型號選擇。C2M系列的MOSFET自2013年三月上市以來受到一系列工業功率應用產品採用，並持續面臨需求不斷增加的情況。科銳目前所提供的碳化矽MOSFET產量，主要是供應給Sanix和其他太陽能逆變器製造商，此外還有工業電源供應器、輔助功率轉換器、電池充電器及馬達驅動器的製造商。

作者: ritaliu0604 時間: 2014-9-25 09:44 AM
麥瑞半導體推出新型 85V 全橋 MOSFET 驅動器以應對電池供電工具的技術改進

加利福尼亞州聖約瑟市2014年9月24日電 /美通社/ -- 高性能線性和電源解決方案、局域網以及時鐘管理和通信解決方案領域的產業領導者麥瑞半導體公司 (Micrel, Inc.) (Nasdaq:MCRL)，今天推出一款 85V 全橋 MOSFET 驅動器 MIC4606 ，該驅動器具有自我調整停滯時間和擊穿保護功能。這款元件是麥瑞半導體最初於2013年推出的極其成功的 85V MOSFET 驅動器系列的成員，專注于滿足多種應用不斷增加的電力需求。85V MIC4606 系列是麥瑞半導體為滿足電池供電的工具、不斷電供應系統、無線電控制的玩具和不斷增加的無人機市場的需求，而實施的戰略的一部分。 MIC4606 目前已開始批量供應，採用 4mm x 4mm QFN 封裝，以1000片為單位批量購買，每片價格為1.37美元。

麥瑞半導體高性能線性和電源解決方案部門行銷副總裁 Brian Hedayati 表示：「無處不在的電動工具市場悄無聲息地經歷了技術上的改進，透過添加控制演算法，提高使用者生產效率和安全性，並延長產品使用壽命。麥瑞半導體的 85V 全橋 MOSFET 驅動器提供先進的電路設計，其自我調整停滯時間可帶來較高的電源效率，而擊穿保護可增強可靠性。 MIC4606 是業內最堅固、最節能的全橋 MOSFET 驅動器之一，旨在滿足步進電機、直流有刷和無刷電機以及直流/交流逆變器等眾多應用的需求。」

MIC4606 結合了全方位的功能和技術解決方案，旨在實現電源效率最大化。自我調整停滯時間電路主動監測全橋，最大限度地縮短高邊和低邊 MOSFET 轉換的時間。擊穿保護電路防止錯誤輸入和雜訊造成高低邊 MOSFET 同時導通。該元件還提供較寬的工作電壓範圍（5.5V 至 16V），以達到最高的系統效率。5.5V 的低工作電壓能延長電池供電應用的執行時間。這些特色使得 MIC4606 成為業內要求最嚴苛的電池供電電機應用（包括電動工具和直流/交流逆變器等）的理想解決方案。此外，85V 的工作電壓提供了很大的餘量來防止電機驅動和電源電路中常見的電壓尖峰。 MIC4606 採用16引腳 4mm × 4mm QFN 小型封裝，工作結溫範圍為-40°C至125°C。

作者: tk02561 時間: 2014-10-29 08:11 AM
標題: 東芝推出汽車用單通道高邊N溝道功率MOSFET閘極驅動器
(20141028 17:41:38)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下半導體和儲存產品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)閘極驅動器TPD7104F。新產品是一個適用於電荷泵的整合式電路，與東芝的傳統產品相比，工作電壓更低[1]，為VDD(opr) = 5至18V。出貨即日起啟動。

新產品主要規格

1.BiCD 0.13μm製程
2. 供電電壓：VDD(opr)=5至18V
3. 內建過流保護功能
4. 內建過流診斷功能
5. 輸出電壓
VOUT=VDD+8V（最低值）@VDD=5V，IOUT=-100μA，Tj=-40至125°C
VOUT=VDD+10V（最低值）@VDD=8至18V，IOUT=-100μA，Tj=-40至125°C

6.小型封裝
PS-8 (2.8mm x 2.9mm)

應用
適用於汽車應用，驅動12V蓄電池所使用的高邊N溝道MOSFET，包括用於怠速停止系統和電動助力轉向系統(EPS)的半導體繼電器和半導體負載開關。

注釋：
[1] 與“TPD7102F” (VDD=7至18V)相比

作者: globe0968 時間: 2014-10-29 11:20 AM
IR為工業應用擴充StrongIRFET系列新推出75V MOSFET備有極低導通電阻
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列，為多種工業應用推出75V元件，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流。

全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻 (RDS(on))、極高的載電流能力、軟本體二極體，以及有助於提升雜訊免疫力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過業界最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。新元件採用穿孔式封裝。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR 75V StrongIRFET元件系列具有極低的導通電阻，而且完全通過嚴格的產業級雪崩測試，以確保產品堅固耐用。新元件提供基準效能MOSFET選擇，旨在為工業市場作出優化。」

作者: tk02561 時間: 2014-11-6 02:09 PM
標題: 東芝推出40V電壓功率MOSFET U-MOSIX-H系列
(20141106 10:34:37)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下的半導體和儲存產品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)U-MOS IX-H系列。與東芝傳統的U-MOS VI-H系列相比，新系列減少了76％的導通電阻，實現業界頂級的低導通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關電源的效率。樣品出貨即日起啟動。

注釋：
[1] 截至2014年11月4日。東芝調查
[2] Qoss：輸出電荷

主要特性
*業界頂級的低導通電阻：0.85mΩ（最大值）
*業界頂級的低RDS(ON)・Qoss：60mΩ・nC

應用
適用於伺服器和電信基地台的高效率開關電源

主要規格

RDS(ON) Ciss Qoss
元件名稱封裝 VDSS (V) 最大值 (mΩ) 典型值典型值
VGS=10V時 (pF) (nC)
TPHR8504PL SOP Advance 40 0.85 7370 85.4

作者: heavy91 時間: 2014-11-13 12:47 PM
IR為工業應用擴充StrongIRFET系列新推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列，為多種工業應用包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流推出75V元件。

全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列搭載可提升低頻率應用效能的極低導通電阻 (RDS(on))、極高載電流能力、軟本體二極體，以及有助於提高噪聲免疫能力的3V典型臨限電壓。產品系列包括採用堅固7引腳D2-Pak封裝的IRFS7730-7P，提供最高僅2 mΩ的導通電阻和240A峰值電流。該系列的每款元件都完全通過業界最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案，並另提供穿孔式封裝選擇。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR 75V StrongIRFET元件系列搭載極低的導通電阻，而且完全通過嚴格的產業級雪崩測試，提供基準效能MOSFET選擇且優化工業市場，確保產品堅固耐用。」

作者: ritaliu0604 時間: 2014-12-3 11:54 AM
IR電池保護MOSFET系列為行動應用提供靈活實惠解決方案
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 針對鋰離子電池保護應用推出一系列IR最新低電壓MOSFET矽技術元件，包括IRL6297SD雙通道DirectFET MOSFET。

作者: ritaliu0604 時間: 2014-12-3 11:54 AM
全新功率MOSFET備有極低的導通電阻，藉以大幅減少導通損耗，提供20V和30V N通道及P通道組態元件。閘極驅動最高可從12VGS起，適用於內含兩個串聯電池的電池保護電路。IRL6297SD在精密且能高效散熱DirectFET小型罐封裝內提供兩個採用共汲極組態的20V N通道MOSFET。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR針對電池管理的廣泛MOSFET產品系列提供各式產業封裝標準以及為精密設計而設的雙DirectFET小型罐封裝選擇。新元件具有低導通電阻，可替代較大封裝尺寸的MOSFET，從而節省電路板空間及系統成本。」

所有新產品符合第一級濕度敏感度 (MSL1) 及電子產品有害物質限制指令 (RoHS)且不含鉛、溴和鹵。

作者: sd5517805 時間: 2015-8-5 12:54 AM
電腦電源和智慧型環保電源產品帶來高效率和高可靠性

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