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標題:
請問在OD上打滿CO是為了???
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作者:
u9513349
時間:
2010-7-8 10:58 PM
標題:
請問在OD上打滿CO是為了???
1.如題在OD上打滿CO是為了降低電阻值嗎
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也會降低寄生電容嗎？？？還有啥其它功用呢???
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2.因為現在我們公司用新製程在劃ＬＡＹＯＵＴ,我常常被ＮＷＥＬＬ和ＤＥＥＰ ＮＷＥＬＬ稿混
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請問啥ㄇ時候要用到ＮＷＥＬＬ 和 ＤＥＥＰ ＮＷＥＬＬ呢？？？
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3.為了節省面積,常常會把ＰＩＭＰ和ＮＩＭＰ連起來,請問在任何情況下ＰＩＭＰ和ＮＩＭＰ都能連起來嗎？？？
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4.現在公司會高電壓製程ＭＯＳ的ＰＯＬＹ加一層ＭＥＴＡＬ1然後在ＭＡＴＡＬ1上打ＣＯ,之前畫沒有這樣.
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請問在ＭＡＴＡＬ1上打ＣＯ會有啥功用呢？？？
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ＰＳ：我是ＬＡＹＯＵＴ新人,請高手能幫忙解惑！！！
作者:
nebula0911
時間:
2010-7-9 10:13 AM
1.既是降低電阻,亦是降低寄生電容.我個人的想法是讓body電位趨近於電源位準,讓mos的動作會更趨進於設計值.
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2.一般來說deep nwell 大多用於隔離之用,不管是怕干擾別人還是怕別人干擾,效果還蠻有效的.deep nwell的電位是來自於nwell.但通常會把一般pmos的nwell電位和提供deep nwell 的nwell電位分開,這樣的隔離效果會比較好.
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3.只要rule ok.當然可以.但若是高壓製程,不建議這樣作,避免一些不必要的問題(例如latch up....)
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4.我想應該是要降低gate端的連接等效電阻值.
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以上純屬個人的一些想法,希望對你有用
作者:
fish1121
時間:
2010-7-9 03:38 PM
u9513349 請問你公司是單純製作MOS的喔
作者:
smilodon
時間:
2010-7-10 11:16 AM
1.假设你说的OD是MOS device，对于65nm制程要求至少有两个Contact，这是提高可靠性的需要，对于电阻的减小很有限，通常我们认为每个ohm contact大概有5ohm，但是OD上的电阻会大的多；对于寄生电容的降低不会起到作用，因为寄生电容主要是Source Drain和衬底的结电容以及边缘电容，只和S D的面积
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以及横向侧边面积有关；
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2.Nwell就是做PMOS时用到的MASK，而Deep Nwell需要多使用一层MASK，它的作用是用在NMOS下面，同时周围用Nwell围起来，这样子Nwell以及Deep Nwell形成了底面积为矩形的盒子，使NMOS的Bulk与Psub被隔开，可以接不同于Psub的电压。Deep Nwell上的电压与Nwell相同，通过Nwell中的Guard ring接电压；通常接AVDD；
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3. 可以
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4. 你说的制程我没有用过，不过不是在Metal上打Contact，应该是在Poly上打Contact接到Metal1上，对于大尺寸MOS期间也要这样连接，否则Gate上电阻不一样，会造成导通时间的不同，而在Gate上都接上Metal，可以使所有Gate上的阻抗几乎相同，尽量同时工作。
作者:
zhiyong.gao
時間:
2010-7-29 11:09 AM
支持smilodon ！
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我认为就是这个样子的
作者:
milo_li
時間:
2010-8-9 05:08 PM
smilodon 说的相当详尽！
作者:
dreamflying61
時間:
2010-8-11 08:51 PM
回復
4#
smilodon
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正在学习中，今天又有收获了！
作者:
chriskomh
時間:
2010-9-8 03:53 PM
我記得 也可以增強可靠度
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