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標題: 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤 [打印本頁]
作者: answerbyme    時間: 2010-6-6 12:13 AM
標題: 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤
小弟LAYOUT完電路後，有碰到密度問題，後來也補上各個METAL密度後，DRC後密度已經解決了...9 w, I8 R- a$ b+ N  M# |
但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤，我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...8 j% P- z7 Q! C2 u1 m) F7 i
想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!
作者: motofatfat    時間: 2010-6-10 02:27 PM
把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些0 c& e3 Q. S1 b5 C1 l- P
才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨
, z% p! M0 W9 V7 e" `( B7 SPAD CELL　粉多時候是經驗直
作者: m851055    時間: 2010-6-10 05:58 PM
請把rules的描述詳細說明，可能的話也把圖示PO上來。
作者: answerbyme    時間: 2010-6-11 02:50 PM
回復 3# m851055 $ x( y" H+ G6 b6 H
不好意思...我DRC錯誤的圖如下...
  B5 Y. d3 S; C  R0 \9 H3 T0 k希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!+ _4 ^: l; x0 i. L
) |; u9 Y. t* q4 p3 s* Q
    [attach]9954[/attach]
作者: m851055    時間: 2010-6-11 07:25 PM
就把大於35um的Metal做個slots就好了，要不就是用多條小於35um的metal畫。
作者: answerbyme    時間: 2010-6-13 01:22 AM
回復 5# m851055 & Y1 ^4 E! y7 z6 H5 p& c. \

# N; F& c& G: L* I% h多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...
% x/ U, b* j5 T% v$ Y$ {( `可否解釋一下...不好意思!!
作者: m851055    時間: 2010-6-13 07:36 AM
回復 6# answerbyme
) Y- B- y0 }4 g
: J$ x4 r$ A2 ?0 N
$ J8 d5 Y3 H& Q4 @9 g   大於35um 的metal在中心處挖掉metal，一般DRC paper尚有可參考圖示
作者: motofatfat    時間: 2010-6-14 02:46 PM
slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10 ' K0 e+ j' z+ C. h; y
如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開; g$ t& M7 P( N& t# E9 a) C% o
如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師
/ e2 {' h$ c' S5 x  G9 |6 f看看  有時候可以忽略
作者: ponyshih    時間: 2010-6-15 02:24 PM
如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.! t5 F4 V# e7 n/ \9 ~% Q
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.
作者: answerbyme    時間: 2010-6-15 04:04 PM
回復 9# ponyshih 6 @2 R6 \6 Q/ B+ |5 G# _1 F4 s4 [

' s0 F5 L/ k$ ?/ z; q0 s8 X謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..
( f  G- E" X  z" R# {! }6 b小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!
作者: nebula0911    時間: 2010-6-30 11:06 AM
關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.
5 M3 p" H+ ~5 X. w; v# N8 f6 Z在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!
作者: semico_ljj    時間: 2010-7-1 11:53 AM
理解slot 最好的方法是看Design Rule！



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