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標題: MOS的寄生電容 [打印本頁]

作者: YuanII 時間: 2010-5-29 09:08 PM
標題: MOS的寄生電容
想請問一下，如果要拿MOS當一顆電容，N或P哪種的容質較大? 為什麼呢?
那如果對PMOS與NMOS來說，PMOS的Cgs大還是NMOS的Cgs大? 為什麼呢?
那PMOS的Cgd大還是NMOS的Cgd大? 為什麼呢?
請大大幫忙解惑........感恩!!

作者: niko0417 時間: 2010-10-28 06:10 PM
(神經大條中)
不考慮操作電壓因素的話
不都是gate oxide電容?

作者: shangyi 時間: 2010-10-29 05:05 PM
是阿...厚度都一樣... 應該是一樣大
可能只有閘極電壓不同...會有些微不同

作者: renzhq 時間: 2011-1-19 12:21 PM
一般的话会用n注入沉底的nmos，这样的话，电容比较稳定

作者: billionwong 時間: 2011-2-6 01:20 PM
both are same, but with different threshold voltage. using P or N depends on the application.

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