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標題: VDD、GND line的寬度如何拿捏 [打印本頁]

作者: 372412    時間: 2010-4-29 01:05 PM
標題: VDD、GND line的寬度如何拿捏
VDD、GND line的寬度如何拿捏
作者: gkny    時間: 2010-5-7 04:21 PM
要看你的lis檔電流有多大) [; S" W- i4 a* P5 c- D4 k$ ^
然後再看製程檔有個地方會說電流多大~就要多大的寬度
( z# b: o1 S, w/ [舉例: 如果是.35製程: w7 {( C% L. e$ z1 P- X$ I: A
     電流3mA就要layout畫3U7 Q: g7 h. N8 \7 R+ C7 o5 H$ t
但通常VDD與GND最少也要20~30U
作者: m851055    時間: 2010-5-9 03:40 PM
Design rules文件有時會寫Contact M1 Via1 M2...可通過電流量
作者: kj.guo    時間: 2010-5-9 10:16 PM
还需要考虑走点电阻 如果走线实在太长 电压drop 可能导致chip 内部得到的电压太低而fail
作者: 592gigi    時間: 2010-5-21 11:06 AM
应该是越粗越好吧。。。。
作者: tsung105    時間: 2010-7-6 11:36 AM
能大就大也要考慮到IR Drop
作者: smilodon    時間: 2010-7-10 11:31 AM
1 从EM角度考虑,计算所有的电流值,根据Process manual计算;" _/ a) ~# l2 }' n
2 与Circuit designer讨论,IR drop的要求
作者: junior    時間: 2010-7-21 01:24 PM
那如果說 我的電流1mA  那power的線也可以畫20u~30u嗎
作者: ivor999    時間: 2011-4-1 06:19 PM
主power line 取決於IC動作時需要的電流有多大,可以請designer 決定.通常15um~30um都有,也有更大的.但是太寬會有metal slot的rule必須注意.否則會產生集膚效應 . 另外主power line的寬度也會影響ESD的能力.所以也不能太小.至少15um以上應該比較適當.
作者: h2off0202    時間: 2011-5-9 02:33 PM
1.主要要了解RD能接受最小的寬度為多少,(基本上當然越寬越好,不過還是有面積考量)
4 q$ d9 q( i' A1 S! x9 m6 L2.每一主幹接到多少BLOCK,還有多長,這些都是IR DROP須要考量的




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