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標題:
有個FLASH的問題
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作者:
dysyase
時間:
2010-4-27 04:27 PM
標題:
有個FLASH的問題
[20奈米NAND Flash大戰引爆 三星、美光、東芝全面較勁]
9 e; h+ N, K! }3 d
這是今天再網路上看到的一篇新聞~亂轉不太好所以就沒轉上來了~
. T$ l9 f/ ]' @0 j
我的問題是~之前~45的時候不是說~會有讀取次數減少的問題嗎~那~20不就更慘~為何製程縮小會造成~讀取次數減少的問題~
作者:
Nobody
時間:
2010-4-28 02:10 PM
因為 floating gate 電子越來越少 一點點的干擾就可引起讀取失敗
% z/ |" `# Z/ ?! i$ ~, U& k
floating gate 電容 ~ 1fF
) }+ { @" \' Q2 |
一個準位的電壓 = 3v
3 y+ x' y! m* J
Q=CV = 1x10^-15 x 3 = 3x 10^-15
$ |' a" f6 D6 X# z) q; i5 A
一個電子電荷 = 1.6 x 10 ^-19
% _6 g4 q W2 G: c/ |8 P
floating gate 上一個準位差別電子數只有 3x10^-15 / 1.6x10^-19 ~ 1.9 x10^4 個電子
) I$ w- B" T5 v% J6 B( T
如果偏移了 10% , sense 可能就 failed ,
* _9 i, k3 I+ G0 g& b9 i3 K" F
讀取限制在 100k 次 , 每讀取100次對 floating gate 的影響必需降到 1.9x10^4x0.1/10^3
8 \) H/ u: }, Y" |+ j- [& C
1.9 個電子以下 , 你知道這是多少電流嗎 , 假設讀取 100 次時間= 100 us
; |( \7 @9 E/ i0 u& h' T
i= dQ/dt ~ 1.9x1.6x10^-19 / (100 x10^-6) ~ 3 x 10 ^-14 A = 0.03 pA
8 p7 j8 n8 a. ~) c
nand flash 的 read disturb 和data retention 問題 在越來越精細的製程只會越來越嚴重
8 S. `& W6 A- O
只能靠ecc 和一些存取的限制來彌補
/ t8 K/ W$ C# X# q
可參考 "nand 快閃記憶體" 曾德彰 科大文化出版 一書
作者:
likc
時間:
2010-6-3 05:38 PM
Very Good!! Thanks for professional answer.
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