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標題: Al process 和Cu process的比较请教 [打印本頁]

作者: kenliao18    時間: 2010-4-23 03:08 PM
標題: Al process 和Cu process的比较请教
在Al 工艺中一般都没有max metal density 的要求,而且max metal width的要求也比较宽松;6 b3 N1 j$ T. L5 E$ ?/ h
而在Cu工艺中一般都会有max metal density 的要求(比如80%),而且max metal width 也会比较严格一些.
( U2 q$ h3 j# b, k6 X6 g2 a这个在工艺上是怎么考虑的???! Y0 R/ b! d# n
& l$ p- t, o3 Y( ?
以上,谢谢.请求高手指点...
作者: kenliao18    時間: 2010-4-27 02:59 PM
没人懂吗?呵呵.自己做沙发啦!!!
作者: babater125    時間: 2010-4-28 07:47 PM
Cu製程的CMP,  對Metal density的要求比Al高
/ U# |$ |! A, I7 P8 e因為怕會有dishing的問題.
作者: leiyonghui    時間: 2010-4-29 09:45 PM
我没有用过CU工艺,我有些不理解关于max metal density
2 k# a2 U6 |& E" F* g  ^
$ U6 H) z3 W% f* e  @1 u/ B我们平时只关注AL的min metal density。。。。我理解对于越高的metal density平坦度越高啊。。。请教怎么考虑的。。。。什么是dishing。。。
作者: fly1986    時間: 2010-4-29 10:04 PM
如果超过mux density的话会出现怎么样的问题。dishing是什么情况
作者: shmiyi    時間: 2010-5-18 02:42 PM
max metal density 怕根本無法蝕刻下去9 r! r4 J/ Y! n
單位濃度不夠
作者: m851055    時間: 2010-5-18 08:24 PM
因為蝕刻液灑在Wafer是固定的,所以min/max density就需要定義,避免尺寸變形。




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