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標題: 关于mos的drain直接接到pad [打印本頁]

作者: L_ju 時間: 2010-4-16 09:11 PM
標題: 关于mos的drain直接接到pad
mos的drain 直接接到pad 的话一般都要把这个drain 面积做大,类似esd mos的rule,可是如果中间接了电阻的话这个drain要不要做大面积呢?
在老东家以前我记得好像是5k以下的一般做大面积,再大一点的就没做了,也没有个标准,好像都是根据芯片,经验,等判断的,请问大家,你们的东家要求多少欧姆以下drain才会做大面积呢?

作者: tsung105 時間: 2010-7-6 11:50 AM
基本上是ESD的關係如果drain市直接街到PAD,MOS就要照ESD rule layout,而如經過電阻在接到PAD那就不用了(阻值200歐姆)

作者: smilodon 時間: 2010-7-10 11:37 AM
楼上说的正确，通常有Drain 直接接PAD，MOS需要Double Guard ring，且对Drain与Gate的距离有要求，这些都是Foundry的要求和在哪家公司没关系，基本就是从抗ESD的角度考虑的。

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