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標題: 請問各位大大,關於MOS電容下極版問題 [打印本頁]
作者: tommy01    時間: 2010-4-12 06:07 PM
標題: 請問各位大大,關於MOS電容下極版問題
若是NMOS做的電容
% f* n; }0 ?! S9 s+ G: Z8 ?' D上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,那下極版是基底還是N通道呢?我有查書說明有三種狀態
3 p' I/ e- d+ u! x1,通道未型成時
! [. |( Z6 ^  |7 J2,三極管區
( f5 S* E; F8 E3,飽和區/ D- A7 X, U4 @+ l
但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好7 s0 `  h" K1 C3 _0 @; G; I: u8 b
這樣是操作在哪一狀態呢???
作者: kkk000777    時間: 2010-5-3 08:21 PM
3,飽和區
' N& |0 v+ j0 Y" l$ w0 N7 F通常 depletion 都要形成，電容值才會穩定8 \* ?. i. P0 Q* k0 z  [
所以使用的範圍 Vg 會超過 Vtn ,
$ b) ]1 ~/ I8 q. K* S如果想要使用雙向電容的話，可以用 barrier N+ , let mos always turn on.
作者: poseidonpid    時間: 2010-5-5 10:56 AM
通常應該是工作在  (2,三極管區)，因為MOS電容的S,D,B三個腳位會是接在一起，Vgs=Vgd，所以是在三極管區，在電路設計上，MOS電容通常是由W和L的面積算出來的，但會非常不準，通常是用在穩壓用，而且在不同的電壓時，電容值會不同(Razavi的類比IC設計第二章)，要大於Vth後電容值才會較穩定，且不適合當雙向電容使用(如OP的miller 補償電容)。
作者: semico_ljj    時間: 2010-5-5 11:01 AM
工作在反型层 状态
作者: chungming    時間: 2010-5-28 12:17 AM
example for NMOS :* h" r9 u& ?. w% |8 t* b1 w
Vg > Vth MOS at deep triode region, MOS Cap at strong inversion  T) C: K* L  {" `. s/ H- \8 [5 }$ X
Vg <Vth MOS OFF, MOS Cap at accumulation* x2 Y+ O. A: n+ c
; o! k8 Q5 v3 I  U  _  I$ p7 `
You can see Razavi Chap2 pp. 39! G9 ?" A: Z! B9 f! n9 o* k
Good Luck ~ !



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