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標題: 关于design rule中max current density [打印本頁]

作者: pph_cq 時間: 2009-12-15 10:56 AM
標題: 关于design rule中max current density
通常design rule中都会提供一个metal跟via的最大电流密度，这个rule是在什么条件下得到的？
在设计power mos的时候一定要按照这个rule来计算metal的宽度吗？如果电流密度超过1-2倍会怎么样？芯片会失效吗？

作者: pph_cq 時間: 2010-5-5 10:15 AM
在很多已经量产的power ic中，电流密度都超过了design rule上的最大值，那比较稳妥的经验值是多少呢？有人说是3倍？毕竟在metal layer比较少的情况下，完全按照design rule的值来计算，要流过几A的电流是需要很宽的metal的。

作者: semico_ljj 時間: 2010-5-5 11:14 AM
如果电流密度超过1-2倍会怎么样？
这个很难说，TSMC 可能没事，其他的难说！
再说这个和使用环境有很大关系！

作者: kenliao18 時間: 2010-5-5 05:37 PM
一般来说,设计都应该留有裕度的.但是在比较关心面积的时候,可能不希望牺牲太多面积去走线.但还是不希望超出金属所能承受的范围.尤其是超出太多,而且是持续大电流的话,估计就比较危险了吧...
另外一个受影响的就是使用寿命啦!比如按照要求设计可以使用十年,超出范围了,可能只能用上两三年了.
个人看法而已.

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