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標題:
pn junction 的電路的設計與layout
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作者:
gyamwoo
時間:
2009-11-6 05:02 PM
標題:
pn junction 的電路的設計與layout
我在課本中和同學有提到在訊號線上用兩個逆偏的diode可以當作esd的簡單的裝置。而且在layout中
' O9 e3 d3 C: x6 m! @6 e4 Q
也可以解 anttena rule的錯誤。其電路圖如下：
" E( B; ]* i* r6 Q! |2 r
* z8 s; Y( _9 j6 ?2 }
而我畫的layout圖如下：
& g, u; W. z' d* j
6 e6 X, y9 q) |. a R4 S2 I+ c- ?2 U
9 x- X; v* f, w* `/ I
我現在有個疑問。因為這個不是lvs會被認成二極體的，所以rcx抽出的postsim應該不會有這些diode。
% t& O6 t0 p5 P9 c% ~* V0 \
我是想要知道在台積電的0.18um cmos製程中。這樣的pn接面其特性是如何？
; T/ _: _( `. w1 f
1.pn接面導通的電位多大？跟pn接面的面積有沒有關係
# O+ ?& d2 S5 |/ t* p
2.導通電流多大？跟pn接面的面積有沒有關係
0 X! X" t. X9 a4 v U2 V4 _+ f- B
3.逆偏崩潰電壓多大？跟pn接面的面積有沒有關係
0 v+ U* g- `1 d$ P
9 |* ^$ D, J4 a% j0 S
拜託有人能給我一點指引，謝謝。
作者:
lu123sd
時間:
2009-11-11 11:15 PM
標題:
此貼有意思~
此貼確實有點意思~
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6 b' M, S4 Y! v- b) S* E \
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