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標題:
laser trimming layout应该注意哪些
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作者:
jian1712
時間:
2009-10-30 12:38 PM
標題:
laser trimming layout应该注意哪些
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈，laser trimming的layout需要注意什么，先谢谢了。
作者:
小包
時間:
2009-10-31 12:36 AM
標題:
回復 1# 的帖子
使用laser trimming，要看你是給哪家做的，跟他們要rule，照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。
0 I$ s! s6 V Q
一般情況，都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type（metal fuse或poly fuse）要一樣，同一個chip的fuse最好擺在一起，可以節省trimming的時間，如果不能擺一起，擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
作者:
jian1712
時間:
2009-11-2 01:39 PM
標題:
回復 2# 的帖子
非常感谢你的回到，另外我还有些问题:
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1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些
% u; I% T2 [$ X6 b" V8 j
2,fuse上面是否需要开窗口，这个在rule里面没有提到
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3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面，而且和fuse用的同一个layer，那么如果fuse上面开窗口的话，L mark上面应该也要开窗口吧
# L, N' n5 f: `5 b2 H2 x6 W% c* l# Y
4,L mark可否放在fuse的附近，而不放在die的corner附近
作者:
小包
時間:
2009-11-2 10:44 PM
標題:
回復 3# 的帖子
1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd，有些在線路的設計上就是只能用metal fuse，因為poly fuse相當於一個電阻，有些則是都ok。另外要注意的是，如果使用METAL FUSE，要注意METAL 厚度多少，若是有使用厚METAL，可能會有TRIM不斷的疑慮~
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2、fuse上一定要開窗口，不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer（一般是用passivation/CB），不過一定有說要多大的開窗，只是用的名詞不同，譬如說有的會定義side wall包FUSE多少，SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商，沒寫就太跨張了~
" J4 g' z* s. }+ |; c w
3、Lmark是給機器定位用的，所以也要開窗哦~~
0 k- J& O9 l$ x5 ?+ z
4、LMARK可不可以放在FUSE旁，似乎沒有硬性規定，只要符合RULE就OK了，基本上我們都是放在CHIP有空的地方。
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本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯
]
作者:
jian1712
時間:
2009-11-12 04:30 PM
回復 4# 的帖子
7 o8 R: |) h1 o# a, W9 i! _
非常感谢你的回复，但我仍有一些问题请教：
+ |1 k8 U6 M- @8 _ z2 I
1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口，在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层，那么即使开了窗口（就是把fuse上的passivation刻蚀掉），但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的，但是poly fuse不一样了，poly上面的oxide和passivation都很厚，足有几个um,那么这样的话，poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来（通过过刻蚀实现），才能trim。在这里我主要关心的是，fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?
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2.fuse和L-mark都需要开窗口，那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值，因为我拿到rule里面要球开窗口，但是没有具体的尺寸
/ x$ `; ~! i9 S. L D1 G* N4 R
3.L-mark在rule里面可以只放一个，而且位置随意
8 N) M8 @( X* T4 ]
4.为了节省trim的时间，多个fuse的摆放，有没有什么特殊的要求，rule上面写到可以摆放在一排
作者:
小包
時間:
2009-11-12 08:54 PM
回復
5#
jian1712
5 C( { d, J: _; R; @% w+ b. F4 }5 I
) K( {( J2 w- e$ y
1。理論上是不管你有什麼layer存在，只要上面有cb這層layer，就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim，我個人的想法是沒有問題的，因為laser trim是打雷射的能量進去，它應該是可以打穿od以上的layer，只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦，關於你的疑慮應該去請教你們的廠商，因為這些東西每家不一樣，有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠，目前為止我們下過的沒有發生過。
* u' E3 u5 f& D( j v
2。一般會比pad稍為小一點。
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3。其實lmark放在fuse近一點是最好的，因為機器在對到mark的時後，移動到fuse的距離會比較短。
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4。多個fuse的時後，|||||| |||||| |||||||→最好；
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) @; U" z/ @0 o1 I- G( U
|||||→普通
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, R0 S& z8 k5 V7 C
|||||
0 e- K! V/ K) X
≡≡≡→最差。一堆直的，一堆橫的最差，因為chip要轉向，lmark要重新對
作者:
jian1712
時間:
2009-11-18 09:23 AM
回復
6#
小包
* F$ o2 K; e6 d" j
谢谢
作者:
leoyangqi
時間:
2009-11-21 09:26 PM
又学到很多呀呵呵呵，很感谢
作者:
fpas445
時間:
2010-2-4 08:54 PM
剛出社會的新手
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這些專業知識
( j$ n9 i6 k/ o* u
對我來說
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是非常有幫助的
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感謝老前輩的提供知識
作者:
fpas445
時間:
2010-2-4 08:58 PM
剛出社會的新手
( i0 \! n* Z. q; v
這些專業知識
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對我來說
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是非常有幫助的
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感謝老前輩的提供知識
作者:
antoniocc
時間:
2010-3-19 05:16 PM
雖然沒作過LASER TRIMMING
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先學下來以備不時之需囉
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謝謝分享
作者:
yuany
時間:
2010-3-24 04:30 PM
学习了一下
* L, g6 y9 b1 i4 g: _# [
哈哈哈
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谢谢分享
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/)
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