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標題:
laser trimming layout应该注意哪些
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作者:
jian1712
時間:
2009-10-30 12:38 PM
標題:
laser trimming layout应该注意哪些
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
作者:
小包
時間:
2009-10-31 12:36 AM
標題:
回復 1# 的帖子
使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。
5 Y# Q( C) h0 }" `/ a4 ?
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
作者:
jian1712
時間:
2009-11-2 01:39 PM
標題:
回復 2# 的帖子
非常感谢你的回到,另外我还有些问题:
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1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些
- c5 n5 S& H9 Y3 Z- M. ^
2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到
- b9 b8 |( ?, I( B0 \& E# T8 i
3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧
+ u) a$ O& Q9 M9 M$ T, O0 Y
4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
作者:
小包
時間:
2009-11-2 10:44 PM
標題:
回復 3# 的帖子
1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~
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2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~
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3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~
4 ~, f0 a8 Z. v
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。
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本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯
]
作者:
jian1712
時間:
2009-11-12 04:30 PM
回復 4# 的帖子
% N' P) B/ J& j& W4 H {4 X$ H5 f0 S
非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
) T6 Z" q( Z2 M) X) i
1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?
6 z" p6 k- I! e
2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸
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3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意
& g* l0 O8 I$ A- @5 O+ P' Y/ h- C
4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
作者:
小包
時間:
2009-11-12 08:54 PM
回復
5#
jian1712
+ Y& ]. @) V' y' l
1 n! ]) R2 h& Y" O1 p
1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。
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2。一般會比pad稍為小一點。
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3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。
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4。多個fuse的時後,|||||| |||||| |||||||→最好;
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4 J: g0 ?, t1 u4 s- |' u1 E
|||||→普通
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|||||
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≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
作者:
jian1712
時間:
2009-11-18 09:23 AM
回復
6#
小包
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谢谢
作者:
leoyangqi
時間:
2009-11-21 09:26 PM
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
作者:
fpas445
時間:
2010-2-4 08:54 PM
剛出社會的新手
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這些專業知識
! N. B8 e5 W2 u* Z# }$ M
對我來說
, k& H% R3 i! o, R1 r
是非常有幫助的
6 f9 Y0 Q1 w2 s g# @, A& n
感謝老前輩的提供知識
作者:
fpas445
時間:
2010-2-4 08:58 PM
剛出社會的新手
f* s( k! n2 O" \* s
這些專業知識
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對我來說
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是非常有幫助的
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感謝老前輩的提供知識
作者:
antoniocc
時間:
2010-3-19 05:16 PM
雖然沒作過LASER TRIMMING
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先學下來以備不時之需囉
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謝謝分享
作者:
yuany
時間:
2010-3-24 04:30 PM
学习了一下
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哈哈哈
2 D9 \" P4 D; E; d! g( z
谢谢分享
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/)
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