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標題: 請問在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好 [打印本頁]
作者: james65chan    時間: 2009-8-28 01:50 PM
標題: 請問在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好
有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容，, ]- K" j9 Z- W
請問各位先賢在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好0 H4 o/ V# j& A8 a
5 M& X4 W' r7 i
P/N MOS 如何達到穩壓的效果
作者: shucai    時間: 2009-8-30 10:37 PM
从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.
作者: james65chan    時間: 2009-8-31 01:25 PM
嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.
0 b3 H4 m1 H- }+ M- `是否就應用 pmos 電容，
* v7 w4 `, R1 w2 z5 D1 \8 C# F因其include 在nwell 中，
/ U/ h4 r* A+ A! X6 c+ P沒錯DRC RULE會較大，影響size.3 M+ N! t( x* V* B' M' e4 F" t
6 `! r9 `9 g* Y9 B% ]
& q5 a' v/ r6 I9 W0 ]
所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎？
作者: duanzy    時間: 2009-8-31 05:19 PM
个人看法，仅供参考：
* o' ^1 j- J; s( ?; n1 `0 V" Q5 Q
( ?+ }0 Q) a9 h. s8 \/ b3 A7 S用PMOS做电容的时候，PMOS的NWELL与衬底（p型）形成一个反偏二极管，当地线上来一个瞬间大电流，能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然，在栅极上加一个小电阻是常用的做法。
  M& L- X! B& m( E7 l1 _- q. N9 S! x8 r% w7 U, d/ C- I
但是PMOS的电容比NMOS的电容小，如果不考虑ESD的可靠性方面，单从电容滤波方面考虑的话，NMOS应该比PMOS好~
作者: motofatfat    時間: 2009-9-4 01:18 PM
同意樓上的看法2 T* ?. O5 B8 c0 G
以原理來看
* d- z- Q, d  n" jPMOS 的載子 是 電洞: G2 s3 I; c4 ?* a% H- T
NMOS 的載子 是 電子
7 z( i6 H4 {9 U2 S# p2 F1 {電子移動較快
0 h2 i& t% M4 `8 \如果無其他考慮
9 K* e9 y$ \( U, JNMOS 似乎 較佳



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