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標題: 跪求… [打印本頁]
作者: extrc    時間: 2009-8-27 07:58 PM
標題: 跪求…
請問板上大大，lay ESD mos 有什麼須要注意的地方嗎? 感恩感恩…
作者: clarkhuang    時間: 2009-8-28 12:41 PM
正統的話 應該還是按照DESING RULE 去畫  比較不會有問題喔
3 P# B, y" V, n希望這建議對你有幫助
作者: james65chan    時間: 2009-8-28 01:34 PM
標題: ESD mos
1. poly width 選定$ ]$ d1 w, O8 H$ a2 e+ k
2. cont 到 poly gate 的距離
4 f3 W# T% W* a$ ]$ t) @3. cont 到 od edge 的距離. l4 s$ f& d9 \6 ?" a
4. P/N mos 的距離4 d) I1 R4 H; Z6 c8 s- `$ t
5. ground ring width. z  F. a( i5 r/ _: M3 s
6. 是否加 dob-Ring
+ ^  ?2 e; W: O$ p7. P/N mos width 的選定
作者: motofatfat    時間: 2009-8-28 02:44 PM
同意樓上ㄉ看法, g* c8 [& H8 f% [
粉多時候是經驗值0 s" H: L  M) Q  g& I
ESD mos
8 R. N: N5 W; \  C& K1. poly width 選定
1 d9 M; u9 V" c" F2. cont 到 poly gate 的距離-------  通常是 一般rule  ㄉ 2-3 倍左右
+ X8 \/ v; Y7 w- P2 F4 K5 G3. cont 到 od edge 的距離  ------  通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:1
8 a, d1 k. A. A0 Q- o3 e3 B4. P/N mos 的距離
6 O6 f) v! j+ s/ T0 K& ~! {3 q5. ground ring width-   ---------  通常是2個VIA 以上的寬度! t# {! Y# J( F
6. 是否加 dob-Ring      ---------  通常是一定要ㄉ% P0 c6 M& k$ x: G
7. P/N mos width 的選定
  z; P8 g5 N" x3 Y   補充一點4 P: ]# Q! ]+ S8 K
8.看製程 決定 RPO  or ESD LAYER ㄉ使用
作者: rice019    時間: 2009-8-29 12:03 PM
還有metal線也必須注意 source 跟 drain 的metal line注意平均 還有最後可以用top metal做補強 top metal 較厚可以承受比較大的電流
作者: extrc    時間: 2009-9-4 09:04 AM
感恩感恩… & [* g& E7 l, J% ^1 g
讓我又多學了一些相關知識了



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