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標題: 請問一下BJT的導通電壓? [打印本頁]
作者: leaf1989    時間: 2009-7-8 08:06 PM
標題: 請問一下BJT的導通電壓?
各位大大我想要請問一下.35製程BJT的VBE導通電壓為多少?我看它裡面的參數值都看不懂哪個是關於它的電壓~
, X% o! ?7 D3 |) o1 Z, w  |請麻煩說明一下要怎麼看?我指的是PNP10、5跟NPN10、5的兩種情況。
作者: corsair    時間: 2009-7-9 10:41 PM
可以直接畫出來阿
# n9 A. l' e) l( vlx0(XX)就可以畫出Vbe對電壓or電流得值
; E6 a/ w( G8 Y! n, O  [另外在p-sub standard process中0 w: o; r; d4 n4 D; ?7 i: e, o
PNP不需要額外的mask，但NPN就要喔
# q( e6 y% [6 F; [; _7 o  K7 N9 Z+ v10跟5應該是指emitter的邊長吧
作者: shangyi    時間: 2009-7-9 11:29 PM
看不懂問題....2 K0 v5 A4 q1 z( V4 g
VBE不是跟電流有關???: p' l2 W3 g2 S" I. C* K
印象中 VBE=(kT/q)*ln(Is/Io)....如果沒記錯的話!!
! U+ J. @0 b  {$ i' _& \所以你的導通電壓是指??
作者: leaf1989    時間: 2009-7-10 12:25 AM
VBE=(kT/q)*ln(Is/Io)這個我知道~不過製程裡面有IO嗎?我不知道要帶什麼值進去?
% N. {5 P( F4 ]2 @大大 lx0(XX)就可以畫出Vbe對電壓or電流得值?可以說明詳細一點嗎?以下是參數值
5 m0 Q& c' \& A.MODEL pnp10 PNP (                               LEVEL  = 1                  
+ d' X) f2 J7 B; o- T8 ?) z. g+ BF     = 6.35            NF     = 1.01            ISE    = 2.95E-17           
8 ~, C# I% c  U' B+ NE     = 1.9             IS     = 2.95E-17        RB     = 71                 # i8 l3 v- ~. E" C  d
+ IRB    = 9.5E-4          RBM    = 0.1             RE     = 2.35               4 o* T4 c9 Z& G# d
+ IKF    = 1.95E-3         NKF    = 0.549           VAF    = 300                " C' f# Q; M. s) R) m/ ?/ r
+ BR     = 0.01116         NR     = 1               ISC    = 2.95E-17           
. S' Y+ g6 G+ w" O( v+ NC     = 1.1             RC     = 21.08           IKR    = 0.087818           
# T# `2 J  n3 \+ VAR    = 7.8             TBF1   = 6.7E-3          TBF2   = 8E-6               # k+ q/ X9 T4 ~$ q% K1 h
+ TNE1   = 9E-5            TNF1   = 9.5E-5          TRB1   = 3E-5               : S( L9 C, H$ o
+ TIRB1  = 9E-4            TRM1   = 9.44068E-6      TRE1   = 5E-4               + b/ s) M) }- s' ]7 ]
+ TIKF1  = -3.5E-3         TVAF1  = -9E-4           TBR1   = -7E-4              ( W0 J9 T) u' H2 d$ F3 H
+ TBR2   = 9.5E-6          TNR1   = 9E-5            TNC1   = 1.50731E-3         ( {5 u! h1 K4 Y7 ?# d, m2 f
+ XTB    = 0               XTI    = 3               TRC1   = 0                  2 N; F! ?* [3 E9 ^  ~& j
+ TIKR1  = -3.9E-3         EG     = 1.18            CJE    = 1.55101E-13        
! ?4 S  ~$ e- T+ VJE    = 1.23623         MJE    = 0.662557        FC     = 0.5                : \$ n6 t: Y8 G1 O' h$ q' K& G
+ CJC    = 3.131405E-14    VJC    = 0.552774        MJC    = 0.32993            4 b3 p& L4 P" E6 X* Y0 r- K4 [+ ~
+ TLEVC  = 1               CTE    = 4.87874E-4      CTC    = 2.63294E-3         
0 m# i. G1 J( j: D; _. W- G+ TVJE   = 2.16319E-3      TVJC   = 2.955E-3        TREF   = 25                 
+ j) h( U1 x0 Y" t7 W0 r+ v+ SUBS   = 1               TLEV   = 0               )5 f3 o2 H7 p9 V  e

9 K( D8 {4 G/ k/ R6 D. D" E8 P9 R[ 本帖最後由 leaf1989 於 2009-7-10 12:27 AM 編輯 ]
作者: shangyi    時間: 2009-7-10 11:15 AM
抱歉...我上面的標號用的不清楚...
/ s2 O6 N' U4 z) Q因為以前BJT都只用在bandgap diode的使用上3 x, n0 z! k4 H. Q7 Y
正確標示應該是8 w  X" w" R  i& Z% I
Ic=Is*exp(Vbe/Vt)
' t( N( I  T- |: Z& y3 Y( T& UIc = collector current , Is = saturation current; U6 o, S1 Z1 I6 S' K
怕我講的不清楚(功力不夠) 請詳看Smith bipolar章節9 }) S& C$ J1 M
另外model 參數定義 可搜尋關鍵字! k" V' V$ ]5 x% |7 b( i
"hspice elements and device models manual "$ G. P0 b: j2 y# m- l& h
有文件可下載 或上mosis找找: y, d: T) Q+ a- U# r& _
而lx0(node) 為Vbe, lx1(node)為vbc, lx2為Ic  lx3為Ib$ x) B% M( I# p" Y
lv2為initial condition Vbe  lv3為initial condition Vce7 }2 n' x+ [% O+ {3 `. N$ |
想知道其他 lx lv 參數定義 可搜尋關鍵字 "hspice manual"
  e6 j3 x7 y8 R, ]4 r! X下載官方release 的文件(只是是舊版的)
作者: leaf1989    時間: 2009-7-10 09:31 PM
我已經解決以上的問題了，謝謝大大。



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