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標題: 中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電 [打印本頁]
作者: semico_ljj    時間: 2009-7-2 01:39 PM
標題: 中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電
深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響( B0 c) v) R' w7 H
---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性
2 `; O) C3 {* M( T# v: ~. k! n# V' D! |9 C* ]; J0 B
一、前言$ F+ C3 x5 d2 i1 N9 C: |" ^
二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體9 J$ j0 `# m* J( a$ E0 \
三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理- z2 S+ l9 x+ A
四、實驗結果與分析推論; O, `( v( n! A: W# x7 A2 d
五、結論1 m# ~  ~; X7 t
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作者: alienwarejian    時間: 2015-5-10 03:41 PM
為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限
作者: sbm81tw    時間: 2018-11-28 04:16 PM
感謝樓主用心的分享使我們得以成長！% Y( q9 S$ _3 m$ b( |. n9 U! g

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作者: k200630901    時間: 2019-1-26 08:56 PM
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作者: balam2018    時間: 2019-3-13 07:04 PM
感謝樓主用心的分享，您使我們得以成長！~
作者: sslin    時間: 2021-6-7 10:28 AM
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謝謝大大分享，
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深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響8 k- y4 K1 g& M, _

" G( z( {* y. k( ?5 a9 [9 ~2 ~5 D先下載 看看- v2 M- @4 i* g! b  p  E- J
作者: myokd    時間: 2022-11-24 12:28 AM
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