# P: [$ T) T9 e& e[ 本帖最後由 alab307 於 2009-6-25 12:09 PM 編輯 ]作者: dylan8 時間: 2009-7-7 12:31 AM
一般ESD會先量測試路徑未受ESD stress前的I-V curve 0 h6 K* T: p0 B. ?. }) B4 o: B與受ESD stress後的I-V curve做是否SHIFT 30%來判斷是否FAIL 6 M% ~! s& h2 N8 h就MOS來說 常見到的是接面崩潰的曲線 3 S6 V; F/ P0 }. s/ F9 n受ESD stress後 曲線會向Y軸中心飄移5 _3 ]3 i& s& M
超過30%及判定失效作者: hyseresis 時間: 2009-7-9 10:02 AM
請問樓上大大(dylan8): @& S5 d4 d$ M9 y2 |! S" B9 Fstress前 是指封裝前嗎? 5 H" F/ ^! t& J3 T% }接面崩潰的曲線向Y軸中心飄移,可否有圖可以參考參考??& |) g$ s- X4 Z
謝謝作者: HanGu 時間: 2009-7-16 09:29 PM
在做 I-V curve trace 時,會把 power 和 ground 接到地,然後在測試 pin 上施加正負電壓。 # x; P4 N' [+ t) f; `如果你的 esd protection 為對 power GGPMOS 和對 ground GGNMOS 的架構。就會看到電壓向正方向和向負方向 , Z$ a, _, g: @" g, c8 }電流分別是兩個forward的diode特性。如果是對 ground GGNMOS 的架構,電壓正方向,電流表現出 diode reverse * m4 ]; Z4 g. ?bias 的特性。通過比較 esd zapping 前後 pin 的 I-V curve 就可以判斷出pin是否在此 esd % W# o1 {0 L8 P+ T電壓下 fail or pass.作者: dylan8 時間: 2009-7-17 04:02 PM
封裝後的IV curve * G! c) U0 P% W# o6 l' e1 Csorry 我不會貼圖.. / f1 Q' M. V' T7 b再簡單的說即 3 M4 F. _+ y! R( R! X( n, [, M測試前後curve/ |! A: G( l9 S$ O! A& c$ |, b
shift 超過30%便判定失效作者: wesleysungisme 時間: 2009-7-18 01:34 AM
You can check JESD22-A114F. It's free. You can download it(http://www.jedec.org) and know the detail of test requirement.( Y# K3 ~/ n* N( S
/ W# B- D0 s8 O [3 x3 qAs for why need to measure the IV curve, it is because this method is the fastest way to detect whether your IC is damaged by ESD stress or not(compare with ATE). but you should always use ATE to check your IC after ESD stress. , w z" z2 u+ R' M% Q; M4 b