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標題:
ALLEN的CMOS模集设计第133页的问题
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作者:
super_gu
時間:
2009-6-20 09:48 AM
標題:
ALLEN的CMOS模集设计第133页的问题
各位大侠：
3 X% U1 D4 I# L9 n. M0 h6 v0 c
小弟在研习ALLEN的CMOS模拟集成电路设计的时候，在第133页有一个图4.3-7。对于这个图我有些疑问。希望各位大侠不吝给与帮助和解答。万分感谢。
1 T \! g5 [6 I( U: M9 n
问题如下：
& }8 r" q& J. [1 R
M4的W/L是M1,M2,M3的1/4，因而假设4个MOS管都饱和的话，那么M4的VDS=2VON+VT，M3的VDS=VON,M1的VDS=VON,M2的VDS=VON，M5的VDS=VON，这样M5的DRAIN电压为2VON，但是M5的DRAIN链接到了M3的GATE端，而M3的GATE端电压为VT+VON，这就有矛盾了，如果M5的DRAIN电压为VT+VON，则M5的VDS电压为VT，而M5的VGS=VON+VT，不可能使M5进入饱和区工作了。这里我就感到有些困惑，M5工作在什么状态呢？
作者:
shangyi
時間:
2009-6-20 08:48 PM
VDSM5 = VT VGSM5 = VT+VON
) v$ a! V! _ t! `; U/ Z
if VDSM5 >= VGSM5 -VT
& a# L. b- ~$ E/ m3 f' B0 I
=> VT >= VON
$ m9 H) i: _; l2 ^- h7 k
that M5 can be operated in saturation region.
作者:
122013137
時間:
2009-6-22 12:22 PM
第133页有一个图4.3-7没有M5啊~？ 你的是英文2版？
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