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標題: power mos layout的sub接触？ [打印本頁]

作者: scy8080 時間: 2009-6-18 03:57 PM
標題: power mos layout的sub接触？
power mos layout通常面积很大，如果功率管中间不加sub接触孔，sub接触全部放在周围，那么中心的管子衬偏势必狠严重，从而RDSON势必很大。种情况怎么处理？请教各位达人。

作者: semico_ljj 時間: 2009-6-19 01:12 PM
每隔一段插入sub，比如50um！

作者: pkjordan 時間: 2009-6-22 09:51 AM
可做成特殊power mos 使用
普通mos 也可以變化型的

作者: shkao0201 時間: 2009-6-23 09:28 AM
你必須要做butting contact,如果你沒有做butting contact,則Vsb太大,body effect嚴重就可能使中央的mos燒毀.

作者: alai 時間: 2009-7-13 11:42 AM

原帖由 semico_ljj 於 2009-6-19 01:12 PM 發表 e1 Y! X) K/ F+ {2 Y, \1 b! \
每隔一段插入sub，比如50um！

要看具体的运用场合，如果power Mos驱动的是感性负载，在断电的一瞬间有大电流回冲。会引起latch up的问题。
这种情况下。大家插入sub的距离，在允许的情况下，还是越小约好。50um可能是不够的。像DC-DC，每个MOS 的
source都做butting 。

大家互相学习，分享经验很快乐。

作者: lnxmj 時間: 2009-7-27 02:37 PM
標題: 至少确保一定距离内加上subcont。
至少确保一定距离内加上subcont。为节省面积，一般作成buttign cont

作者: lethalkiss1 時間: 2009-7-27 10:49 PM
mos可以画成环状啊，中间放个sub。正方型， 6边行。。。

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