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標題: 通過大電流的MOS的畫法 [打印本頁]

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作者: fengxing9999    時間: 2009-6-10 10:50 AM
標題: 通過大電流的MOS的畫法
各位，通過大電流的功率級MOS的layout該如何處理呢?（350mA上下）
3 s3 \: Q- n' y/ ?
( u2 o# y' s' D哪位有類似的layout可以參考嗎？

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作者: scy8080    時間: 2009-6-10 03:35 PM
同问功率管的layout?功率管采用何种版图？waffle or bent-gate? bent-gate版图怎么画？

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作者: lin.weite    時間: 2009-6-10 11:46 PM
Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
- u% \0 z! u. ?: M" AMetal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
: _; x4 L  l' d. X5 Q3 C/ S: ?如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

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作者: fengxing9999    時間: 2009-6-11 11:08 AM

原帖由 lin.weite 於 2009-6-10 11:46 PM 發表
Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
5 u+ u7 l( X$ K* lMetal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

2 g% A$ W0 l2 J* v4 o1 i
  {* ^* m9 r- n這部分也了解一些，我主要的問題是MOS的結構，
3 Z9 y; t9 a$ w0 [. H4 Z0 }
查文章很多功率級的MOS都有什么網格柵，蛇形柵等畫法，這些都是怎么畫的啊？

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作者: sheu    時間: 2009-6-12 09:00 AM
大MOS分成多個小MOS, 並聯方式(multi-finger)連接,
注意電流大小, 寄生電阻, Layout力求對稱.

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作者: 愛情玉手    時間: 2009-6-12 10:10 AM
到底是對稱比較重要?
還是面積比較重要?
或是電氣特性重要?
4 I* x' l. D2 @6 ~* P- i還是看RD比較重要????????

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作者: garyinhk    時間: 2009-6-15 03:52 PM
同問，我也想知道bent-gate和waffle是怎樣的構圖~

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作者: daidai    時間: 2009-6-17 12:42 PM
標題: Waffle layout reference
"High Performance Low-Voltage Power MOSFETs with Hybrid Waffle Layout Structure in a 0.25μ Standard CMOS Process"
Yoo, A.; Chang, M.; Trescases, O.; Wai Tung Ng
% B$ `! {# i+ gPower Semiconductor Devices and IC's, 2008. ISPSD '08. 20th International Symposium on
3 Q, G, u- p" f9 P, F! o$ `: E* XDate: 18-22 May 2008,  Pages: 95 - 98

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