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標題: 通過大電流的MOS的畫法 [打印本頁]
作者: fengxing9999    時間: 2009-6-10 10:50 AM
標題: 通過大電流的MOS的畫法
各位，通過大電流的功率級MOS的layout該如何處理呢?（350mA上下）
8 ]) A5 F; G, f2 y! P2 V: H) f: G9 D: c1 ~
哪位有類似的layout可以參考嗎？
作者: scy8080    時間: 2009-6-10 03:35 PM
同问功率管的layout?功率管采用何种版图？waffle or bent-gate? bent-gate版图怎么画？
作者: lin.weite    時間: 2009-6-10 11:46 PM
Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
& S9 o3 z5 ?, m3 \2 GMetal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
- f" I2 ^" v/ Z  p/ i9 i如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!
作者: fengxing9999    時間: 2009-6-11 11:08 AM
原帖由 lin.weite 於 2009-6-10 11:46 PM 發表 ; b1 s% Y, t! Z2 c8 Z
Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
: v* O5 d. L$ ~7 A5 B  R, }; JMetal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
/ I* n0 J/ F- y- Z0 k! N' X如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

% a  c# h! c/ W; j' t% G# H
. t$ f4 x7 O! S( P1 E4 X這部分也了解一些，我主要的問題是MOS的結構，2 }* W( T, [% o. |
9 d, ]0 l1 ^# `- h' h$ U4 g
查文章很多功率級的MOS都有什么網格柵，蛇形柵等畫法，這些都是怎么畫的啊？
作者: sheu    時間: 2009-6-12 09:00 AM
大MOS分成多個小MOS, 並聯方式(multi-finger)連接,: a, P5 f: g8 a& J$ X1 C# t
注意電流大小, 寄生電阻, Layout力求對稱.
作者: 愛情玉手    時間: 2009-6-12 10:10 AM
到底是對稱比較重要?
/ n" E6 @* Y! ?* g1 C- r還是面積比較重要?, B. v) D4 N. D8 b* X7 l
或是電氣特性重要?
# j' l! Q* B' B4 k還是看RD比較重要????????
作者: garyinhk    時間: 2009-6-15 03:52 PM
同問，我也想知道bent-gate和waffle是怎樣的構圖~
作者: daidai    時間: 2009-6-17 12:42 PM
標題: Waffle layout reference
"High Performance Low-Voltage Power MOSFETs with Hybrid Waffle Layout Structure in a 0.25μ Standard CMOS Process"
8 V; v, G( z: M' w& ZYoo, A.; Chang, M.; Trescases, O.; Wai Tung Ng
8 X- ?3 z. K5 o* o. ~! i& G7 E3 zPower Semiconductor Devices and IC's, 2008. ISPSD '08. 20th International Symposium on) W% l* q. X- b/ ^. [1 f7 j
Date: 18-22 May 2008,  Pages: 95 - 98



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