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標題:
请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢？thanks
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作者:
viag
時間:
2009-5-12 10:06 PM
標題:
请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢？thanks
我准备用smic .13或tsmc.18 1p6m rf工艺，
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需要在mim电容下面放器件来节省面积，
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有这么做过的大大讲下需要注意哪方面呢？
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谢谢
作者:
lynker
時間:
2009-5-18 11:37 AM
几层金属的工艺呢？如果金属层够多的话（5M，6M），建议在电容和底层器件之间加层GND的金属进行隔离，然后下面放器件这样屏蔽比较好。但是注意器件和屏蔽层的寄生电容。
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如果没那么多金属层，不能屏蔽的话，电容下面放电阻，问题应该不大。
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电容下面要是直接放置管子的话，可能要具体问题具体分析了。看楼下的大大们的建议了，我也只知道这些。
作者:
corsair
時間:
2009-5-18 11:32 PM
其實以MIM cap來說
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正常是用到最上面兩層（ex.1p5m 用m4, m5)
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所以基本上寄生電容已經很小了
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當然如果能做shielding更好
作者:
viag
時間:
2009-5-23 02:43 PM
哦。现在改用1P8M了，我准备在5M,6M加两层金属地屏蔽，
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我下面准备放置管子，及电阻，
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用软件提取参数仿真时不知道可不可以提取出方面参数的影响？
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