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標題: GGNMOS 與 GCNMOS做ESD [打印本頁]

作者: shkao0201 時間: 2009-5-7 04:53 PM
標題: GGNMOS 與 GCNMOS做ESD
請問各位: GGNMOS 與 GCNMOS做ESD protect,哪一個比較好呢??又各有何優缺點??

作者: semico_ljj 時間: 2009-5-8 12:26 PM
现在“GCNMOS做ESD protect”用的比较多，但是GGNMOS比较简单，普通过2KV的也可以！

作者: daidai 時間: 2009-5-14 08:58 AM
標題: lower trigger voltage
GCNMOS has lower trigger voltage than GGNMOS. That means GCNMOS can protect internal core more.

作者: klim 時間: 2009-6-24 01:45 PM
標題: Which the kind of GCNMOS is better?
GCNMOS其實可以細分成兩種,
一種是有實際的電容在NMOS gate端;
另一種為使用寄生的電容, 故只會有實際的電阻在NMOS gate端,
請問那一種比較好?

作者: dylan8 時間: 2009-7-7 12:35 AM
應是實際電容較好...可直接評估保護元件開啟時間
寄生電容不易判斷大小

作者: semico_ljj 時間: 2009-7-10 12:19 PM
其实GGNMOS的耦合Cap也足够了，一般应用也可以了！耦合Cap的值不需要很精确！

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