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標題: 请问MOS电容的分析 [打印本頁]

作者: tjuhxz 時間: 2009-5-7 04:31 PM
標題: 请问MOS电容的分析
在IC设计中在使用大电容且要求不太精确的地方，可以用柵作為一極，SDB連接作為一極的NMOS來代替，這樣單位面積電容大，節省很多面積。經過模擬分析都知道，MOS電容除了在弱反型區外，電容值一般比較穩定，那麼在如下電路中要是將CLi和CLi-1都用MOS電容代替，只要保持足夠的值，有什麽問題嗎？在模擬結果中有較好的性能，但是同事提到用這樣會有更大損耗，影響電路性能，但是也解釋不清，請大家指點！
事先謝過

作者: 122013137 時間: 2009-5-8 11:49 AM
栅电容倒好说，关键是与之串接的PN电容Cdb Csb跟反偏电压的关系~

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