Chip123 科技應用創新平台
標題:
關于一個低壓低功耗基準電壓源的問題！
[打印本頁]
作者:
JTR6907
時間:
2009-5-2 07:21 PM
標題:
關于一個低壓低功耗基準電壓源的問題！
在下最近正在徬真一個一個低壓低功耗基準電壓源，如下圖所示
& t6 P% A% l7 H; e
! N! ~& X2 b/ q! G/ Q
7 Q, y- ^. k4 z
其中M1 M3是高Vth管子，工作在亞閾值區，其他管子均工作在飽和區。現在的問題是，電源電壓穩定性（LNR）很差，前仿结果在电源电压从0.8V∼2V变化时，输出Vref变化10mV左右，而论文的测试结果是，Vref在0.9V∼4V的电源电压范围内变化6mV。
( O' m9 D0 k$ ?! K5 `
我所有的管子在我关注的范围内（電源電壓0.8V∼2V）都是工作在饱和区的（有两个必须在亚阈值区，但Vds均保证大于4×VT），我所有的管子的L均取10um，除了希望降低Vth之外也希望降低宽长比减小电流。有些管子的宽我取了250nm，也是为了降低vth和宽长比，这样就有了W/L＝250n/10u这样的倒比管，不知道有没什么问题。。。。另外，由于我的电流取得很小（两个支路是26nA左右），不知道leakage的影响是不是很大？似乎前徬真的時候看不齣有漏電流。下面是我所有管子的参数，这个基准电压源结构是全MOS管实现的，无电阻无电容无BJT，总电流论文上做到了室温下40nA。我用的是chrt0.18的工艺，
; @5 r, S, R: b" M7 q
M1:id=26.7nA W/L=10um/10um vth=497mv
& o2 {6 M Q, \6 m
M2:id=100nA W/L=1.145um/10um vth=336mv
J( C( J/ I9 ?1 q$ x6 L* n
M3:id=26.7nA W/L=2.85um/10um vth=487mv
, S# {/ @4 P8 p) L
M4:id=100nA W/L=220nm/10um vth=245mv
8 E C2 d$ o. @
M5:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv
) ?* E3 |7 ]% G1 j+ U& o* L
M6:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv
! {$ Z2 x- r& H3 R
M7:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
+ B5 H6 }2 ~; ?5 a; i* e. I
M8:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
" ~! a* T* l! [& ], Q0 U. ^8 ^% T% d
M9:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
' K& J0 O/ N7 T5 R) b& W$ p
M10:id=100nA W/L=4um/10um vth=321mv
; W! \* Z; j% H. W0 t) C5 f
Vgs1,2=400mV Vgs3,4=450mV Vgs5,6=-400mV Vgs7,8,9=-350mV Vgs10=438mV
: l8 x* d) u! b- E" X
痲煩各位大大給點建議，怎樣纔能提高LNR。謝謝！
0 g9 C$ ~5 X4 E! s3 L
3 |! Q# j b3 a7 e$ _
[
本帖最後由 JTR6907 於 2009-5-2 07:23 PM 編輯
]
作者:
JTR6907
時間:
2009-5-2 07:24 PM
自己先頂一下。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/)
Powered by Discuz! X3.2
自己先頂一下。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。