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標題: SRAM and RF SRAM, 1port, 2port? [打印本頁]
作者: alvin0411    時間: 2009-4-28 10:58 PM
標題: SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?
請問各位前輩.
) X' u! S' \+ S1 k+ y+ oSRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
$ Y9 R. y$ c/ O7 ^4 J1 c) A然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.
5 D, S3 l' I/ y) x! G( [) g
+ C" ~3 h6 N2 W7 c- |+ i請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?. E  C6 y) N0 T$ G9 _6 W

! C; [& C' k3 d, e對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
作者: stanlly9    時間: 2009-6-7 11:03 AM
首先，定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
0 u# T& n3 S6 }) ]我碰過的例子，也許是大部分的例子。
% @- O5 b( y: P2 T; e5 i' None-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀、1寫。5 \; |- q- M* W  K
dual-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條，address 2條]* R' W) ^# a6 e, o1 P+ `
two-port 是在1個clock cycle之內支援：2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條，address 2條]& l6 i  q+ k+ Y

- r  _& f2 i2 gSARAM跟Register-file的差距在於密度問題，當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]
/ Z: D$ }2 V1 ]% `. Y+ ^3 U, m4 }  z普通情況而言，SRAM的密度比較大，同樣面積底下可以塞多一點資料，但是他的address line的最低要求要比較大) K% _7 b  |- q+ H& J: }
可能address line一定要8個bits左右，但是使用者未必會使用到這麼多entries。5 R0 n4 |8 @' K, u; o" Z" ?

  \- s; q1 {6 |Register-file則是可以擁有比較小的entries，但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...
作者: masonchung    時間: 2009-9-22 11:48 AM
你寫的 dual-port 和 two-port  反過來嚕4 c3 L5 E. |( B/ o9 O
我用Faraday Memaker 產生
; B+ R. p0 c) }  H- ?$ C( w. p; y9 X+ |7 Q3 A! Z* r  Z) X4 w* t+ L
two-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條，address 2條]2 H, |- M5 W& ]5 y( b. O3 n
dual-port 是在1個clock cycle之內支援：2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條，address 2條]- t6 |1 o) I# v& K& [

( n7 K5 P! b/ c6 x6 `有錯請指正~
作者: memcad    時間: 2009-10-12 11:51 AM
標題: 回復 1# 的帖子
dual port sram 一般基于8管SRAM结构，读出靠的是sense Amplifier，需要复杂的写入和读出逻辑，面积很大，而且都是硬IP，用到的metal层多，一般要block 3层metal。所以，APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是：规模可以做大，一般是大于16Kb，规模阵列，可以shink最小drc rule面积利用率高。
4 d8 x" x" |; qregister file一般是基于latch结构的存储单元，用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大，<1kb，优点是读写控制用standard cell做，可以APR，因此可以merge到整个设计中，共用走线通道，可以放在core中。



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