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標題: PMOS，buck,source,drain接地，gate接正电位，电容？ [打印本頁]
作者: Behzad    時間: 2009-4-16 06:11 PM
標題: PMOS，buck,source,drain接地，gate接正电位，电容？
各位大大，我在参考以前的项目时，发现有用PMOS当作电容用，30um x30um，M=48。但是buck，source，drain接地，gate接高电位，挺让我费解的，要是NMOS倒是可以理解。请教过一些人，说这种会引起latch up的问题，而且形成不了电容。有达人帮我解答这个问题么，先谢谢啦。
( o- ^8 d1 b  `8 V3 |$ c: c: R3 ]2 {% p9 z: H6 C
PS：我用HSPICE run simulation，发现无论是NMOS和PMOS效果几乎一致。9 L# A: J4 K# V! q/ ?/ v
; Y! p- L7 w! l) G( b  w
[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-16 06:14 PM 編輯 ]
作者: shaq    時間: 2009-4-17 01:09 PM
我想那是 Accumulation MOS(AMOS) 當 cap 用吧。' Z" S2 g1 R/ W. e( {
AMOS  就是 NMOS 作在 N-Well 中，電容值有較佳的線性度。" w5 e1 Q9 P& x8 G0 x
所以我想你大概是看到 MOS 外面圍的是 N-Well 就認為他是 PMOS 吧。  ) h* J. e) \- J

, Z5 L% X' `( ^& s! m) p- ^事實上他是 AMOS, NMOS in N-Well.
作者: Behzad    時間: 2009-4-17 04:14 PM
標題: 回復 2# 的帖子
谢谢您的回复，不过我有看过layout，是Nwell上面又有P+,不太像是NMOS，依然谢谢您！
作者: alab307    時間: 2009-4-17 06:58 PM
如果你有學過MOS CV-Curve就知道
. Q# q; ]) l' F% r此PMOS工作在accumulation區域8 b% Q- F, x+ r: S. t" n6 Z9 `( h
一樣有電容% x# W( f. N; s7 l$ Q, J; \! ]( {( Y
7 t$ p* f' C/ `. z: j- z: _
至於NW接地, 是有可能會Latch-up, 6 K2 T/ `/ ~9 e6 i8 o
就小心一些, 也沒那麼容易啦
! R1 I& m6 A( b& Y4 D; ~
6 i5 g( l1 w7 Z0 v. g[ 本帖最後由 alab307 於 2009-4-17 06:59 PM 編輯 ]
作者: qweri    時間: 2009-4-20 12:44 AM
c=k/Tox# [& q3 Y) ~9 X" ?+ M7 ~7 t

% k& I  U% W6 Q2 e# T/ @用NMOS 或PMOS效果好像是一樣吧?+ |' L3 }! r' c+ y
不知道為什麼特別選P來做?
作者: Behzad    時間: 2009-4-20 02:52 PM
原帖由 alab307 於 2009-4-17 06:58 PM 發表 5 X) A- M5 Z) z
如果你有學過MOS CV-Curve就知道
; T- K; l; r. u( K3 A9 k此PMOS工作在accumulation區域) |8 K; I- V& b0 E5 ?( `( F
一樣有電容; u( P2 I2 G/ S) c

! \3 s# D# J9 j" K4 ^至於NW接地, 是有可能會Latch-up,
" H9 l0 l/ l% f( [  r: O1 E' \就小心一些, 也沒那麼容易啦

: _" L. u+ }2 M( K  m& h
8 I, [, p. [- @8 ~$ h) V  c) T我对这个不太明白，就我看到的文献来说，A-MOS是NMOS in N-well，对于PMOS，bulk,source，drain已经是最低电位，gate下面会invert?如果不能invert，那么这个能当作电容用的么？我对这块不太清楚，请继续指教，谢谢。
作者: Behzad    時間: 2009-4-20 02:55 PM
標題: 回復 5# 的帖子
我想PMOS实现起来有点困难吧，因为gate下面好像不会形成channel啊？如果能形成channel自然一样，但是如果不能形成channel，我就有点担心。
作者: chinwei    時間: 2009-4-20 04:43 PM
不知道PMOS這樣接作電容的話，會不會有什麼問題??
9 ]1 {8 Z9 C! ~請各位賜教!!5 k0 ~; I/ a5 A: T) l0 L
2 j- N  j6 `) e6 c, N
PS. gate 接地，其餘的腳位接在一起，在接至某个正電壓。
作者: qweri    時間: 2009-4-21 10:46 AM
同樣一個公式c=k/Tox9 a9 j& D* y; y' q
accumulation和inversion時的c值是一樣的  只有在depletion時較低0 I: ~1 _6 |% ^" e+ X  I. j/ S
可以看書中有圖
3 X/ U4 N* M6 f* Q4 o7 G! E
( M5 i0 U- v" }! d6 o) j所以如果給的電壓夠正，雖然沒辦法invert可是可以用他在acc時的電容: h8 @' y3 q- l! c7 B

3 A& q- ?% K) g: X5 Eamos我不知道你說的是不是depletion mode的
: l/ C- N1 C- q# V% N' m$ D就是原本不加電壓時通道已經形成，加上正電壓把他deplet掉就是把他關掉9 T. `- S8 T1 {  `0 R4 H
我不知道這跟他的電容值有關嗎?, l$ j9 @$ B7 \8 T8 R
基本上我猜只會把他的整個cv curve shift，猜是只有Vt的變動6 ]0 R1 N7 K0 f
想不到什麼線性度問題，請問有書上有寫嗎，有寫原因嗎 謝謝
作者: alab307    時間: 2009-4-21 10:50 AM
我再說一次
* p& [: L$ z  B- ~當PMOS  gate給高電壓, D/S/B接低電壓時候# i+ q2 P( |0 h" Z/ q* A0 ^! z9 D
NW是n-type, 可以提供負電荷, 在表面累積負電, 稱做accumulation
' }! W% l! Z. [! }1 u4 o9 |(如在NW累積正電, 稱做invertion)
8 ]& D6 {+ U& Q( @
5 T" w$ T8 a3 C, x/ k1 U- z3 `: k只要有兩個極板, 可以累積charge, 就可以形成電容
作者: Behzad    時間: 2009-4-21 11:48 AM
標題: 回復 9# 的帖子
感谢您的回复。至于AMOS，我是根据一篇paper来看的，他所说的AMOS是指NMOS in N-Well，不是指pmos了。我贴上这个paper吧，供参考。
: _4 H1 T$ A1 P+ [. d2 e' x
$ D. N# @; ~8 d8 x[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-21 11:50 AM 編輯 ]
作者: alab307    時間: 2009-4-21 12:46 PM
我第一次聽稱這個MOS為A-MOS,
1 V4 H7 f6 M0 |" d/ B* w不過沒差, 原理差不多+ h3 p% x* v4 o& v4 X# b
唯一有差的是A-MOS無法inversion, / R  R5 J- n5 m3 }/ u+ ?% c
所以偏壓在accumulation區域電容才比較大
# U) C2 t$ a& S7 ?! O
$ X3 n4 p" u9 \PMOS則是偏壓在inversion or accumulation都可以有大電容
作者: qweri    時間: 2009-4-21 01:08 PM
AMOS 一樣可分N跟P, P1 j; Y2 M- T4 E5 k, }: g7 `5 h
0 {  S/ n, F$ ?
不同的WELL只是調他的Vt而已0 |6 [3 j9 ~) z% Z2 V) j
照你的說法! e* I* W/ ^& h) x- l6 Y- f
NMOS ON NWELL  e: e5 d$ L% Q( d+ h
PMOS ON PWELL就可以了9 O, P; H2 G- }  Y) B
/ E& c- E4 E/ r: `/ n
也不一定要改整個WELL調CHANNEL表面的DOPPING CONCENTRATION就行了
作者: hvpower    時間: 2009-4-22 05:33 PM
NMOS作到N WELL 上面 我覺得
' }, s' a0 j: {1 x7 _* T不就是一個多晶- 襯底電容吧？
作者: renzhq    時間: 2009-4-23 05:10 PM
其实mos做电容的时候，电容稳定的区间比较大。这个可以从C_V曲线看出来的，NMOS电容随着栅压的增大会有一个区间逐渐变化，最终稳定。。。
# ]+ m( ~% l" [1 M0 \* XPmos电容的这个区间要比NMOS的小，但是如果PMOS的buck、s、d接上高电平的话会和NMOS接地的情况差不多。。。# Z' }( T. f$ n4 I; `+ T; t$ o1 S1 B
也可以把NMOS的栅接负压（好像不太常用。。。）这样会改善mos电容的线性度
作者: liload    時間: 2009-4-24 09:04 AM
如果用NMOS来做没有双井 buck只能接地  pmos栅极接高电位 也可以让pmos处于强反型区
作者: andrew_wee    時間: 2009-5-19 10:09 PM
15樓說得不錯，我現在就是在模擬nmos管和pmos管的C—V曲綫，尋找一個結合點，來提高Mos管的線性度。但是這個結合點真的不容易找啊，希望哪位高手能指點一二。
作者: 賴永諭    時間: 2009-5-21 09:07 AM
PMOS 作電容..不是Source Drain and buck 接高電位 ,gate接你要穩壓的點嗎 ???# H7 P: ^# `5 p0 y4 [2 E
其它接法沒有做過ㄝ??????
% Q$ P3 j: }3 y2 ?0 Wthanks!!!
作者: savage1394    時間: 2009-5-22 09:28 PM
pmos的gate接正电位，bulk、source、drain接地，这样pmos工作在积累区，电容几乎就是栅电容的全部，有什么觉得奇怪，从来就是这么用的啊。如果换nmos，反而效果会变差，因为当VGS=VT的时候，mos总电容会突然变得极小，电容值不稳定。
- a( u; s  M( k$ L( w* H还有，为什么说pmos电容这么接回容易latch-up？我没看出来？谁能画个等效电路。相反，我觉得所谓了AMOS，就是nmos做在nwell里，我到觉得他出latch-up的可能性极大，对照书上的latch-up示意图，一画就能画出来。
作者: hana84    時間: 2009-6-25 05:00 PM
can somebody explain how to latch up ？
作者: heshufeng    時間: 2009-6-29 01:35 PM
不清不除的問題，卻有這麼多人在回答！
& G# S; o: Q; @樓主說的版圖有很多種情況，沒有指明
作者: aleck    時間: 2009-7-10 11:04 PM
嗯~~又學到了一種新的知識~~~( V( ]! T8 S- w3 U8 }  _, l6 G' d
感謝各位大大的分享
作者: jeffshein    時間: 2009-10-20 02:31 PM
有句名言說  凡事留下來的絕不是偶然( K: |# P7 c9 B& ~
而被淘汰的  也非必然
2 ~  ?4 A1 Y  z( h2 b' B* {既然要做電容 PMOS都是用在對VDD 而且需要NWELL
1 [% m9 a! j" T7 x# w% LNMOS 都是對地 不需要NWELL 以單位面積的電容量來看+ @6 ]+ [3 x/ P( s9 a% G+ n3 o
NMOS占便宜 不須拿PMOS來對地產生電容吧



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