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標題:
body端輸入，gain的算法？
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作者:
cwt1128
時間:
2009-4-1 03:23 PM
標題:
body端輸入，gain的算法？
想請問一下，如果輸入訊號是由body端灌進去的，他的Gain的算法是怎麼求的？
! I8 F. _( B. R2 X) g- t
例如：如果正常從gate灌的話，gain就是gm*(ron//rop)
作者:
chenjun77
時間:
2009-4-2 11:17 AM
標題:
回復 1# 的帖子
body电压从一阶效应看将会控制阈值电压vth
4 p. Q% Q, @2 B# \, r
vth=vth0+gamma*(sqrt(2*phi+vsb)-sqrt(2*phi))
7 M3 d+ D5 g+ v1 B* b
而Id=bata*(vgs-vth)^2*(1+lambda*vds)
" }# F7 R: A+ y) d' U+ b
gm'=d(Id)/d(vsb)
" M& Z( c3 I* r
因此gain=gm'*(ron//rop)
作者:
g923964
時間:
2009-4-13 06:45 PM
標題:
body端輸入，gain的算法？
找出gmb.
0 X+ f7 q6 V6 }0 K
gmb=id/vbs, gm=id/vgs
6 i2 S S, U' C$ g
但不太懂為什麼要這麼做?
作者:
yuchung
時間:
2009-5-2 06:58 PM
g大是正確的
; [0 x) o8 S, ` d$ T c
去Hspice的output file找gmb值
1 x* h2 ]( C. w. U6 i* u) c
但是這樣的schematic基本上是亂搞
" i% Z) ~. r- ^3 J! A5 A* m
沒有人會從body灌信號
' I$ B# Z4 w9 m
(gain很小 又有substrate noise 還要擔心會不會latchup 沒人會這樣做吧
)
作者:
tshiu
時間:
2009-5-2 09:20 PM
IEEE有很多篇關於從bulk端灌訊號的OPAMP
6 @- v+ R+ u, z6 O8 q- Z
可以到IEEE搜尋鍵字多看幾篇paper
( {* h: k$ l, }: q" c8 B1 X
應該可以找相關公式推導
作者:
corsair
時間:
2009-6-10 01:17 AM
關鍵字應該是要找bulk driven
5 O( T8 W7 J5 F
通常是使用在low power的design
作者:
joel4746
時間:
2009-6-17 04:35 PM
從bulk灌電壓，主要是想在low VDD時，又想ICMR大，偷input pair的Vth。
* ^, N5 w6 h5 x1 o1 @: ^
假設VDD=1v，ICMR又想rail to rail，假設N、PMOS的Vth又降不下來，
4 z' x( |! o+ F1 J6 w. m* }
foundry又沒提供low Vth的device，用bulk driven是一種偷Vth的方法;
. o; D6 w+ ?1 ]
但也是有缺點，印象中好像是gain變小，從gm變為gmb去推導，也會有接面漏電流出現...
8 g$ m& C% u( B1 Z' C8 z; v3 u
至於Vth能掉多少，大約是你偷Vbs的1/10。
0 u% Q3 }( V5 {9 e6 \
請各位指教了~
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