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標題: 怎么實際測試一個電源芯片的過流值 [打印本頁]

作者: hvpower    時間: 2009-3-22 01:12 PM
標題: 怎么實際測試一個電源芯片的過流值
設計了一個芯片  芯片的過流檢測是NMOS功率管下面串聯一個電阻 通過將電阻電壓和一個內部基準值做比較 來判斷過流與否。 由于需要一個很精確的過流值  所以就需要實際測試下過流值 來TRIMMING
2 W% b1 O5 e1 W* E+ \但是有一個問題 就是我們設計的芯片電流是1.5A過流值, 我們想的辦法是在功率管的漏端PAD直接加電流進去,PAD也只能扎2個針 但是測試的針單個最大只能通過250mA的電流 所以測試不到大電流情況。 有沒有什么其他 的方法可以來測試這個芯片的過流值了7 p, c8 L$ `+ {" v
。請各位大大指點。
作者: zhuleiyacht    時間: 2009-4-7 04:42 PM
我见过的case,系统有个外接采样电阻来实现芯片的�流控制,因此可以改变外接电阻的大小来实现过流的目标。
作者: hvpower    時間: 2009-4-7 07:12 PM
謝謝樓上的人 熱心幫助
, j* y$ |# S" F: h$ _4 V! Z" l但是我們的電阻是內置的SENSE電阻 在加上工藝偏離范圍很大 所以  就需要準確測試才行 內置的就有點麻煩了
作者: zhuleiyacht    時間: 2009-4-9 04:46 PM
我一直在思索这个问题:既然是内置SENSE电阻,为什么还需要OC保护呢?;我当时需要做OC保护是为了避免用户在外置SENSE电阻时候把电阻還错而导致电阻过大,而你的内置电阻应该不需要这个考量的,这种情况下主比较器不就相当于OC保护了吗
作者: zhuleiyacht    時間: 2009-4-9 04:47 PM
对不起,前面说道:“导致电阻过大”应“导致电流过大”
作者: hvpower    時間: 2009-4-10 04:19 PM
謝謝樓上各位的幫助
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1 R( z2 v- @  b4 G) y. h3 p1 w+ E( m6 l( n. k( D
我們的這個芯片是一個系列  按照不同的最大輸出電流來分類的   而且用戶在應用的時候 是有一個的電流范圍的要求  如果太大 或者太小的 都會出問題。 所以預先就要設計好 也是避免用戶用錯地方出問題。




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