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標題: LC-VCO MOS選用問題 [打印本頁]
作者: apiapia    時間: 2009-3-21 11:46 PM
標題: LC-VCO MOS選用問題
想請問大家
- q% n( S+ \4 P/ J3 ~一般做LC tank VCO時  ' n/ A. S& ~' X8 M6 g. i& g( v* P
通常大家偏好以NMOS為主  還是PMOS呢???
7 |( q" K" ]3 T$ @# M  R  M+ m0 y* a; g- F% J" [
雖然PMOS擋雜訊 比NMOS好5 ?6 f( A- H. o0 [4 N7 E
想問phase noise真有改善很多嗎(假設都在同一條件下)1 w) T; g/ J" ]/ e
. s% K6 O: |" K" o  N" V
想問有經驗的人
+ B7 {+ Z( w* l在各方面trade off  後  " C" m$ Q# R, Y3 A4 |
喜好PMOS  還是NMOS當主要架構??   (小弟最近在研究QVCO)
+ s, [: t3 e+ I" L                                                   謝謝指教~  Orz; u* L: `, s" E1 K
% S# W( }% [6 g& H& V' o' ^
[ 本帖最後由 apiapia 於 2009-3-21 11:54 PM 編輯 ]
作者: macrohan    時間: 2009-3-24 02:57 PM
为什么不用NMOS+PMOS交叉耦合的呢？
作者: tom918273    時間: 2009-5-9 10:55 AM
你可以參考IEEE
1 L9 d" ?1 M7 v9 t0 S0 YA. Jerng and C. G. Sodini_The impact of device type and sizing on phase noise mechanisms的文章
* Q8 r6 R9 W1 n. O6 S2 t- E; ?他有畫一張比較圖在1MHz時
/ \" O5 E. w& D- |Phase noise:NMOS(20um/0.18um) versus PMOS(60um/0:18um)./ v6 Y( W9 T' Q9 Z) V" \
NMOS：看起來約為-115dBc/Hz
# ~! C2 |& n, DPMos：看起來約為-120dBc/Hz 較好一點



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