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標題: spi 如何認到LDD MOS [打印本頁]
作者: 腳踏    時間: 2009-3-20 12:05 PM
標題: spi 如何認到LDD MOS
spi 裡面有LDD MOS; ]1 x8 T5 _4 n
要如何描述
* M! C9 y3 V  r! _; C. V* t( p# K例如
5 \9 J& ~* n, p. H! D一般 的MOS4 s1 U. n* Z8 Q* v6 _+ D( V
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1' Q1 x$ c5 X& y8 f

7 h# t6 ^2 k( zLDD MOS
0 W6 h% H1 ^, O0 C* QM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　後面這裡要寫那一些
, N* s1 K8 v9 X& S+ l/ C' [$ p8 Y/ ~  }  _. {1 R; U
才會讓ＬＶＳ時認到ＳＰＩ裡的ＬＤＤ　ＭＯＳ
作者: qetuo852    時間: 2009-3-20 02:28 PM
不好意思...我想請問一下; Q* a$ }: P: t' b' |* B5 M
大大你是在問問題 還是 分享??/ }. M! b: g+ f

* s* u' Z. y' u0 R假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??
$ R% x7 d3 ]4 p* \5 N$ [) @) G# G3 B' f0 o6 R! j! |5 S
一般 的MOS
7 M6 A! I0 @  L9 d3 |9 IM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
* i; a9 M( n" m, ~8 h$ n& T. C( d# c3 l! t5 p
LDD MOS
% Q* j+ m' f5 K) s7 H! wM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  後面這裡要寫那一些
2 Y2 U$ M- C( v" @7 L
! ?% |4 H8 `! {" p還是...??7 y6 Q, r- u! w  @

2 w/ m2 P" s# t  g& L  ]如有錯誤..請糾正一下~
" S: q! C3 h6 b! ^ㄧ起分享學習，希望有幫助到. t$ e: z: a3 o  z9 K) m7 g
謝謝
作者: 腳踏    時間: 2009-3-20 04:49 PM
原帖由 qetuo852 於 2009-3-20 02:28 PM 發表 % x, o1 H  r4 f  x; |$ X1 \7 M+ ^- Z
不好意思...我想請問一下
4 _1 A1 B+ \. U8 ^8 d- Y( [" f  H大大你是在問問題 還是 分享??5 T: Z4 |3 B8 ?/ l; u, t

, ^8 _: v. x/ [  ]' y  \$ m假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??
0 V, I5 R: @; a* c2 w1 s2 x8 n. T, Y$ R, l. a. C0 q) l
一般 的MOS
+ Y+ [, p* z$ X/ S' HM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1! T9 d5 O2 x% b
7 z9 b. l- V$ Q9 N6 ]( G
LDD MOS
7 r6 f; I& q* r" C: ~8 YM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  ...
  O6 F& ~0 g5 V* X: ?' ?( M3 Q$ i

, Z. J$ D7 S3 g# w. J3 E9 `這樣子的SPI在DRACULA執行LVS 不會認到LDD MOS 所以才會上來問
作者: m851055    時間: 2009-3-20 10:12 PM
是否Dummy layer未繪製，道致未認出LDD MOS
作者: skeepy    時間: 2009-3-21 12:16 AM
MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
2 x) T& }: c: i2 _0 ILDDMOS是啥東東？DMOS倒是有用過。
作者: m851055    時間: 2009-3-21 01:47 AM
一般 的MOS3 Q8 ]: W8 I5 N* P9 U8 j. Z% r
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1 -->PMOS
( u4 G" {: v' P8 Q3 ^0 t- g( S8 r. y( H" D# J6 ~
LDD MOS
& H8 `( ]2 c5 |3 ~" M: h# y4 k, h/ mM1 xx xx xx xx LDD vdd vss m1=1
作者: linger809    時間: 2009-3-23 09:35 PM
標題: 關于LDD
我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的，如我們的pwell一樣是運算齣來的。
作者: wiwi111    時間: 2009-3-23 09:58 PM
原帖由 linger809 於 2009-3-23 09:35 PM 發表 ( s+ R9 T7 J; D4 I" c8 d3 X7 ^
我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的， ...

. F) ?& V+ s8 x# [4 _你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS7 N6 C8 z* s( Q! a0 Q
旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
% x4 i! j. w5 Z1 }0 Y* g1 d/ K這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]) k- U0 ^3 ]% K( J! Z1 h- [2 ?
NA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLOBAL)那須加 .LDD 宣告: r! V+ s6 R2 k/ V  w9 V7 k

5 L1 D, C3 N8 K7 A" z' f/ [( |, v[ 本帖最後由 wiwi111 於 2009-3-23 10:04 PM 編輯 ]
作者: 腳踏    時間: 2009-3-24 05:50 PM
原帖由 wiwi111 於 2009-3-23 09:58 PM 發表
- n( F  q: R* K& U: W2 F8 f" V* H; n3 ?' f9 P
你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
4 ]( I8 ?8 x( _9 ?$ a0 g8 c旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?& p( y9 b2 r0 i
這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]& j% f: H6 k% G# d& K9 o
NA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLO ...

; h+ t& \' i% X- ~& D: ]: I! I. W6 U( s0 Z. O# i
試一下在SPI裡加上宣告*.LDD5 G8 F, s6 H: D4 U& {7 M# g3 ]% X
就可以認到LDDMOS
. q+ p* S4 c3 }; y/ u% o謝謝大大的幫忙
作者: moneling    時間: 2009-3-25 01:55 PM
更正上一則的回覆~ 1 j% \+ p4 C( J- G- v$ l
剛剛去查了一下 使用者手冊,發現有錯~ 趕快來更正一下 ^^"
1 _# \0 J( k) l0 f$ Y請版大~幫忙把上一則刪掉,謝謝啦 ^^
* k3 |1 S( u/ Q: s4 s. L5 L2 a
, T8 l  H3 l1 x1. 需要在 spi 檔內加入  " Z& l; J9 n5 s5 o& I( F
*.LDD
/ @+ w4 H0 d2 Q
$ b  E/ H. b" ^0 l9 Q* Y4 E- `  Y6 S2 需把 spi 檔內的元件的名字加入 $LDD( )# }$ l2 ^+ h+ o% Z( ~+ z( ?9 z; E
ex . M1 A B C D NMA $LDD(NMA) W=1u L=1u% n8 z, y# m6 L& q5 t$ F' O) N
+ U0 c  M9 L1 Q9 Q6 X
3. lvs command file 裡也要做改變 4 k6 ]2 D/ a0 y: j
以 calibre lvs 為例: lvs.cal 要把 DEVICE MN(NMA) 變成 DEVICE LDD(NMA)
0 a# l3 J5 }2 F  Q
7 ~- P$ ~9 @/ ~/ Q  ELVS SPICE CONDITIONAL LDD  YES
% n/ u4 {/ g( `, D! o0 S9 _DEVICE LDD(NMA) asy_nmos ploy_mos(G) diff_S(S) diff_D(D) PW(B)$ j) Q) {! j+ }7 x2 I0 P
/ v# a% ^) D) y# u5 N
4.簡言之在 lvs 的LDD元件就是 MOS 的 Source/Drain 不能互換
+ `  Q6 e4 v+ D, C5 ^2 c  ==> 要注意在 DEVICE 裡定義的 S 和 D 的位置 --> diff_S(S) diff_D(D)
# {. S8 `1 @. `. C  ==> 它不像一般的 MOS S/D 是可以互換的  p' E3 \: t7 g! x
  ==> 通常使用在非對稱 MOS
- s8 {% \9 _1 x6 v' m  在這邊的元件~也是製程上有LDD (Lightly Doped Drain) 的元件



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