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標題: 请教LDO最坏情况 [打印本頁]

作者: scy8080 時間: 2009-3-20 10:53 AM
標題: 请教LDO最坏情况
为什么说在轻载和满载时容易产生不稳定现象？一直不是很理解。

作者: scy8080 時間: 2009-3-20 01:36 PM
还有随着负载电流从零到最大负载时，调整管都工作在什么区域？
谢谢

作者: finster 時間: 2009-3-25 10:13 PM
要回答你的問題,你要先了解何謂輕載和重載
所謂輕載是指你的LDO的輸出只會有極少的負載電流
而相對的,重載則是指LDO的輸出需要提供極大的負載電流,通常大概是指數百mA ~ A級的電流
對LDO而言,輸出要提供極少的電流和極大的電流是兩種非常極端的情況,因為這兩種情況都有可能會讓Power MOS進入Cut off或者linear region或者即使是在saturation region也無法提供如此大的負載電流情況
而在這兩種情況下,有可能會讓你的系統不穩,或者無法維持在正常的穩定電壓
故而,一般在設計LDO電路時,一定會規定其輕載和重載的條件各為多少

作者: scy8080 時間: 2009-3-26 09:28 AM
十分感谢版主的解答！！
不过还有些不是很清楚，“Power MOS在saturation region也無法提供如此大的負載電流情況”，是不是因为在大负载电流时，系统的UGF会增加，一些寄生的零极点小于UGF，使得系统相位裕度减小，甚至不稳定，而与Power MOS工作那个区域没有关系，不知道我的理解对不？
还有当

ower MOS在极少电流负载时工作在亚阈值区，是否只要保证trans和AC稳定即可？

[ 本帖最後由 scy8080 於 2009-3-26 09:30 AM 編輯 ]

作者: alab307 時間: 2009-3-26 05:32 PM
"輕載和重載易產生不穩定" 不是全然對的
會依補償的方式而有所不同

你最後說的對, 不管PowerMOS工作在甚麼區域
只要tran, AC穩定即可

但是進入Linear區後, 要考慮大電流下, dropout是否符合規格

作者: USTM 時間: 2009-4-29 04:00 PM
在極大電流情況下且dropout較小時，VGS對ID的控制能力下降，Ids由Vds決定，既dropout決定，此時，PM工作在線性區。可以理解為此時的PM已經失控，dropout決定了你的Ids的輸出最大值！
在極大電流情況，GBW會向高頻移動，使原本不在GBW內的幾點也跑到GBW以內，進而引起在增益下降帶0dB時付相移過大，引起回授系統不穩定。

[ 本帖最後由 USTM 於 2009-4-29 04:09 PM 編輯 ]

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