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標題: rfic设计中的 mos 的源级与衬底 [打印本頁]

作者: wwm101 時間: 2009-3-12 07:33 PM
標題: rfic设计中的 mos 的源级与衬底
请问在RFIC业界中，通常情况下，实际设计中 mos的衬底是接到原极，还是接到低电平（地）？
谢谢！

作者: wwm101 時間: 2009-3-13 10:04 PM
没人回答吗？

作者: macrohan 時間: 2009-3-18 09:24 AM
如果是rfnmos或者rfpmos的话，由于是做在deep nwell中，衬底可以和source接到一起的，若是普通的mos管，substrate还是接到地好了，
若接到source， layout会很麻烦。

作者: huliya53 時間: 2009-3-20 02:13 PM
RFMOS應該是直接接到源級吧，普通的就接地比較好lay

作者: wwm101 時間: 2009-3-21 06:39 PM
谢谢你们的回答谢谢

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