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標題: 力成科技與IBM簽訂「超密腳距覆晶技術」顧問合約 [打印本頁]

作者: jiming    時間: 2008-1-21 12:44 PM
標題: 力成科技與IBM簽訂「超密腳距覆晶技術」顧問合約
2008/1/15-力成科技股份有限公司宣佈與IBM合作,就超密腳距覆晶技術(Ultra Fine-Pitch Flip Chip Technology)簽訂顧問合約。近來覆晶技術應用於數位電子消費產品上愈來愈普遍,包括手機、數位相機以及各種小尺寸電子產品。為因應產品日趨袖珍化與功能多元化的市場需求,力成科技致力於開發高整合度的覆晶封裝解決方案,以更優異的速度、電性、內部結構與空間節省等優點,提供客戶更具競爭力與高效能的產品。依據雙方提出的規劃,力成科技將引進金柱凸點(gold stud bump)技術興建量產線,並於2008年啟用。9 ^. ?  i, o/ Y$ s( c' q9 {

$ G& `8 m4 S$ A0 C" E0 ?) [ 傳統封裝技術中,晶片(die)需藉由打線才得以連接承座(carrier)。覆晶技術則無須使用任何打線,而是將晶片直接連接於相關的外部線路上,這種安裝也稱作「可控制坍塌晶片連接(Controlled Collapse Chip Connection或C4)」技術;然後以封裝承座(可為基底subtrate或引線框leadframe)作為晶片與外部線路之間的連結。覆晶封裝的晶片(die)與承座(carrier)之間的導通是透過直接位於晶片表面的導電「凸柱」來連接;最後將裝有凸柱的晶片翻過來,晶面朝下地直接承載在承座上。$ ^* O9 y3 B9 a9 G: O

7 L* C! L! t9 z1 N8 x% z 為支援新增的應用程式,工程師必須在有限空間內有效地整合系統的先進功能與特性。今年力成科技將積極開發輕薄短小裝置,首先從記憶體半導體裝置的封裝與測試著手。覆晶技術為WLP (晶圓級封裝)、多接腳SoC (系統級晶片)、高頻操作裝置,以及以凸柱對凸柱連接的終極袖珍CSP (晶片尺寸封裝)之關鍵技術。顧問作業將以應用於薄片型(fine pad pitch)裝置的超密腳距覆晶技術為重點;力成科技將取得IBM的技術支援,包括封裝設計、高頻電氣性能模擬、處理參數最佳化,以及故障分析方法等。該項顧問服務為期約7個月。% y; m1 V7 H* m4 S8 |* I

5 e7 `1 p+ W* _$ u4 |1 P& h9 X 力成科技技術總監Ronald Takao Iwata指出:「我們讚賞IBM在半導體封裝技術上的成就,並對其將協助PTI生產覆晶封裝的顧問服務深具信心。」
作者: yhchang    時間: 2008-1-21 08:44 PM
標題: 回復 1# 的帖子
很好的封裝技術就等於是提供了很小的等效電感
) R  t2 \+ b: Z0 X# X1 N( Q# C. S這樣子設計者不管是內部的電路或是外部的IO介面都可以在更穩定的電壓下操作




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