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標題: 請問Hspice的lis file 的結果. [打印本頁]
作者: hycmos    時間: 2008-1-17 04:21 PM
標題: 請問Hspice的lis file 的結果.
各位好:/ k/ M" t0 K3 {$ ]: ]
我使用Hspice, MOS device的model是level=49.近日涉及到看lis file. 有個疑惑不能清楚,還望各位幫助.
& t- l( P; X* `==========7 [/ S: W- D* O; w( x
subckt             ! e  G/ r' k) k3 E8 F9 [6 N
element  0:mn1     
5 Z- V7 T: H' O7 a, V' e* |) K5 { model    0:nch.1   
" d5 [. q- \. z+ l region     Saturati
# ?0 p* t+ \+ h) Z% ]1 h  id       104.2375u; A. [* n; w- _
  ibs      -83.2443a
  @2 X' l! T8 Q6 h- d  ibd       -3.3600f) r8 z( z3 V$ B7 |/ y8 j
  vgs        2.0000
3 c" ]9 l2 K1 Y# B( u5 X% l3 v  vds        4.0000
3 _! y+ h/ L- K) t9 g  vbs        0.     ; F$ e8 Z3 R9 t2 E2 S; w  a
  vth      766.7090m
! I% r# U# f2 w* |3 ?  vdsat    950.1667m. |. \% W# V  s2 r2 e, N( j
  vod        1.2333
3 q% z9 Z# |: f! {: o  beta     174.5139u( l( W- P+ a  Y- Y, Z6 a
===============================4 b" o5 ~% v: ^* B& Q6 w  J) l5 u' G  v
里面的vdsat是什么含義?課本上的解釋似乎應該是(vgs-vth),而我發現vod(overdrive)項才是(vgs-vth).我的印象中一直把vdsat等同于vod.甚為困惑!
  Y4 g/ Y, Y* Q4 f! g. ^$ O在我把vds設定為0.9501667(=vdsat)時候,該MOS的region變為linear.所以,我想象lis file的vdsat是否不需要設計人員關注?
作者: hycmos    時間: 2008-1-17 05:41 PM
不好意思補充一點:
  E0 W2 u+ d. A: c: B2 J) ]保持vgs不變,再把vds設定為1.2334(>vod),region 依然是staturation;
( T$ M3 n5 A  E% P9 k2 N, e把vds設定為1.2330(<vod),region就是linear;
* J3 c5 c6 U2 A/ B$ x1 Q( @/ `- a2 M5 i. L" q( w
我判斷Hspice是依據vds,vod來判斷MOS region的.這樣似乎又和MOS Bsim3里面對Vdsat的解釋不同.
作者: yhchang    時間: 2008-1-17 11:45 PM
標題: 回復 1# 的帖子
我剛剛有上Google去找資料
4 p9 B3 m; c4 _3 v5 S- f" H9 T  ]發現 用Device model 用 first-order  不考慮短通道效應時
/ O5 `$ b: a; X* ~' p; CVdsat = Vod(overdrive)   當這個條件發生的時候
# l( V1 B- ~8 T' S( aMOS的通道就出現了 Pinch-off的現象      這時候電流開始飽和
* K- J' P/ z1 ~9 M
* |! u3 \8 a+ A8 O但是如果考慮 短通道效應 (second order effect)
8 `, E. R/ Z. X1 C/ p. \: j$ p3 A通道電流有   Velocity saturation(速度飽和)的效應存在
3 v) K, B2 O* S! C1 V這時候  Vds不需要到Vod   只要到達  Vdsat   Ids就會飽和 不會再上升了
. Z. {1 U% N1 z/ y4 q0 Y9 S; D但Physical上  通道尚未pinch-off  必須要等到 Vds=Vod時 通道才會 Pinch-off.  
: |" O! `: R" r5 R5 Y
5 E, n9 B$ y5 B* Q8 L所以實質上  電流會在 通道pinch-off前就會飽和  教科書的寫法只是為了方便手算以及只考慮主要的一階效應% b" U7 U# b1 T" i! M  w8 d4 V
% t4 s/ ]9 r6 X+ R3 s, i# h, j
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 12:04 AM 編輯 ]
作者: hycmos    時間: 2008-1-18 10:25 AM
標題: 回復 3# 的帖子
很感謝yhchang的解釋,給了我很大啟示.0 |, r8 {* t3 z# L& C) f4 n
8 j2 L3 X% L) v  y
在Ids-Vds wave上面可以看出,在Vdsat之后Ids基本就沒有大的上升,基本維持和Vod的時候一樣的電流,同時觀察gm是變化不多,gds變化大致在5~10倍.這也同時說明,在design的時候,某些對gds不是緊要的device處于這段范圍也是可以接受.



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