Chip123 科技應用創新平台
標題:
DRC 出現的錯誤
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作者:
minagroic
時間:
2008-1-6 11:58 PM
標題:
DRC 出現的錯誤
在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
; i+ E$ N$ {# h n; | l* g
謝謝!!
# w7 T" t& }8 M6 Y# v
1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
$ R @: T9 n2 ~% s+ z9 }
DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
9 y6 _+ [. W* s& O
}
" `4 v& \% d6 G+ C
2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
) ~& e3 f: b: T
DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
% u! H) R6 H6 E* P! `& U
}
作者:
m9507314
時間:
2008-1-7 12:24 AM
如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
5 y( J& P- P- ^4 R
如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
5 j$ l$ I6 j y1 `; s; N
PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
8 j) B1 Z# b8 O: r: _
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%
作者:
lcctsai
時間:
2008-1-8 09:54 AM
說的沒錯,但好像有筆誤:
1 H" O$ i/ g& h3 `* z4 p5 \7 b% \, G
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%
作者:
kf_chiang
時間:
2008-1-8 05:08 PM
一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .
作者:
vic
時間:
2012-2-3 07:05 PM
小弟的淺見...
; m5 H( \, a: S) Y$ O0 _
這應該是poly與metal的density的問題....
# n' n, @, g6 J6 {
PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
0 R- r$ I9 q3 z4 e. R8 w
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
/ F1 Y! x. M( S$ G( J- E3 W* s/ Y# \
好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子
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