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標題:
Power MOS架構問題
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作者:
libra3333
時間:
2007-12-27 05:20 PM
標題:
Power MOS架構問題
有誰公司有畫過類似Power MOS架構，能在TSMC製程畫嗎，如果能那W/L如何計算，因為Poly會有重複的問題需要知道。
0 ^% c `" x& p, ?
[attach]2410[/attach]
作者:
edengod
時間:
2007-12-28 05:47 PM
左手邊的將POLY重疊的部份去掉假設POLY是1U
+ E& C( I! J. r
POLY to POLY是2U 每條POLY 為17U
8 F' w1 H$ b4 T/ C2 a; z E6 P
17*10-5*5=145
; n: z1 R; c$ A
右邊這個就沒有重疊的部份,但卻有打折部份的損失,
) _; @# I* r1 p& Z Y
看你要多精準,粗略的打折部份就算是1/2,
. B0 {* A. A" T* D( W. e6 K) H+ K
就這樣子
作者:
sjhor
時間:
2008-1-3 09:50 AM
通常 POWER MOS 應該不用算到這麼精細吧!!
" K1 m# r8 Q9 }5 V/ M
他是看整個 Rds(on) 所以 這些的誤差應該是可以忽略的吧!!
/ C2 q- n6 H) a1 V
口字型要看她的整個結構 還有引電位的問題!!
- G- j" o3 ?8 P$ b) g$ Q- S
口字型 應該是對稱性的結構比較好畫!!
+ ~3 p( g/ p* [9 d/ {
若是 DMOS 目前還沒有實際的使用過!!
作者:
bowbow99
時間:
2013-1-31 02:48 PM
Rds(on) 是什麼？？
: |% m& j' ^9 P: _ L e1 S
怎麼判斷Rds(on)？
作者:
sd5517805
時間:
2013-2-27 03:29 PM
希望各位讨论，多谢大家， 。。。。。。
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