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標題: metal layout 問題 [打印本頁]
作者: fang59822    時間: 2007-12-24 09:46 AM
標題: metal layout 問題
在下正學習類比電路的佈局;被問到從metal layout方面去降低內含MOS的Ron
+ O+ w- U, C" h% [  x想請問各位大大,除了waffle外,對2M or 3M時M1 &M2 & M3,有何建議?$ s. R6 K) ], H4 ?
Thanks!!!
作者: motofatfat    時間: 2007-12-24 10:37 AM
看不懂你ㄉ問題
; B5 c9 }0 }5 ?: \' A9 P- \通常３Ｍ時
# d! r' T- L  C6 L# u9 nＬＡＹＯＵＴ　$ K- J4 Q, u, v( k9 h( x
Ｍ１３橫線
0 ~6 M- y5 n2 q$ K6 z9 m1 ^. e那Ｍ２就直線6 Y3 c3 H2 C; I& T
就盡量不要重疊ㄅ
作者: superfool    時間: 2007-12-24 11:07 AM
問題看不懂！- x  F/ I) N8 \; O+ Y8 n4 V9 e+ v$ U
我們都是35走橫線，246走豎線。. m/ n, {1 D. [* Z+ d1 s2 ~# c
如果兩個metal走線方向一致，也盡量錯開一點。
作者: fang59822    時間: 2007-12-24 01:36 PM
對不起我說的不清楚,
' H1 V, _1 E- r3 J  x我指的是在IC中做Switch的大MOS的metal layout.
8 \+ m# K7 c. q9 cNote:大MOS是內含的.不是外掛
作者: smilodon    時間: 2008-1-2 04:54 PM
Make a wider metal and more contact



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