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標題:
op單級放大器layout之問題？
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作者:
shihchia
時間:
2007-12-8 05:44 PM
標題:
op單級放大器layout之問題？
前幾天Layout op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
- m. z. R; g& _0 N) @! J1 F3 Q/ J
也問過我們學校的助教們
8 c9 }; }% _% C- b( N5 G P
但重新依照他們的指式在畫過
" Y' _+ F' j! v" N# o. I2 F5 H
5 i! ]3 M: H9 b1 C) Z
依然還是一樣的錯誤訊息！
# X8 F4 c8 T9 w$ n4 k, |2 O
3 |6 V0 s. M: F( Y |/ L
LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
1 b7 R2 U* ?# k2 d$ ?3 H6 b* X
這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
7 R3 E2 l5 J" w! p' Y- w: _
我也問過其他老師、他說要拉超過20um
& z6 }/ e& k' R0 p: S7 j/ k8 W
但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎
9 s. E$ L1 A2 m$ H- E$ G9 B
& D* X4 r( \9 K. s1 \4 _* b
類比電路果然難理解
+ v' ~" h6 i7 [1 }" T8 y5 R
$ r' c5 P6 U: b( O! b2 E" x. k
希望大家能幫幫我的忙唄！！！
作者:
m851055
時間:
2007-12-8 07:38 PM
其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD 間距 要有20um以上。
/ }% |% z% T- U0 l) H
在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。
作者:
m851055
時間:
2007-12-8 09:53 PM
try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。
作者:
shihchia
時間:
2007-12-8 11:06 PM
P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
/ t3 f+ r, c) [% b: Q7 n( g# S
, [% Y" e0 n6 k7 y W4 l: H$ u
這個我有點看不懂是什麼意思！
( k9 }, I% z$ z6 L, I6 D
可以在詳細講明白一點嗎!!!
" s$ L d9 L4 j& g* S" @. B
+ S4 D+ X" c* ?+ P9 r- ^
OD是什麼意思？
- s, R- F8 V$ A% M2 Y
P-well不是nmos的p基體嗎？
" K o8 ~* C' i- u0 G1 h# v
% b2 p' E2 Q' o8 }4 w, C( p
不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!
作者:
egg
時間:
2007-12-9 02:54 AM
這條是check latch-up的drc rule
8 I( ~* b$ P. ^8 x6 J/ [/ M
是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
4 z# @# ]# H6 v- T' d4 R
20um半徑圓內打幾顆P+_contact
3 \/ t$ M- D' \. H
就會解掉這條了
作者:
m851055
時間:
2007-12-9 01:49 PM
OD=Active=Diffusion
9 t/ i" q; K' w: A3 ~
9 Q# O+ J7 b+ y' u: _" E
在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ & Active)就好了。
作者:
motofatfat
時間:
2007-12-10 10:35 AM
應該是body or base 離的太遠
t' }: ]6 |4 X. A0 r- w1 K! K, B
要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
3 y( S! T% y- A% w. h2 @5 r
加 N+DIFF ㄉ地方
e2 B. _1 D3 |) O- Y4 \$ Q
9 H. ]' h( U2 L
以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方
作者:
skeepy
時間:
2007-12-12 02:00 PM
LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
( [; S, r$ c% E z/ P
就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
: ]: t4 I3 D$ @6 }/ @7 c6 C
簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。
作者:
tubaaa3210
時間:
2007-12-14 04:35 PM
表示你的BULK OD 離 MOS OD 超過20UM
) L# S; @( |1 h) t! Y ?4 a
但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
0 ^+ e- \/ S" _
這就是樓上說的LATCH-UP的問題
作者:
yoyo20701
時間:
2007-12-22 06:23 PM
嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解
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