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標題:
op單級放大器layout之問題?
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作者:
shihchia
時間:
2007-12-8 05:44 PM
標題:
op單級放大器layout之問題?
前幾天Layout op的電路,在DRC執行時,發現錯誤訊息
6 ]) z# v# \" z, a
也問過我們學校的助教們
6 ~' f3 A, h0 ^% L
但重新依照他們的指式在畫過
" ]3 Y# ]3 A* c# M+ d
" Q* }# @* C0 T* U: D. u# z9 T
依然還是一樣的錯誤訊息!
$ n, P- d$ N" _- \' n/ ^3 G
! }4 O( E. f. V/ q% P
LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
# L$ W& O& K$ h6 k9 ` `: p5 A* b# I
這個問題一直指nmos的那顆電晶體的問題
( s1 \7 ?: ?' E
我也問過其他老師、他說要拉超過20um
/ }* x8 @6 y! F5 I. ^0 l
但我不清楚、是要拉nmos與電源的長度要超過20um嗎
# K% E$ l: }3 |
! k8 l$ M+ g& A5 X# o( ~) c
類比電路果然難理解
5 ~" |& Y3 _6 T6 `7 B( ^4 S" P
; o* }8 W0 h# W( S
希望大家能幫幫我的忙唄!!!
作者:
m851055
時間:
2007-12-8 07:38 PM
其實很簡單就是,就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD 間距 要有20um以上。
; \8 L; U5 q; @- i: e' N
在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了,或看錯了。
作者:
m851055
時間:
2007-12-8 09:53 PM
try 看看畫20um的間距,如果不行在做討論...........。
作者:
shihchia
時間:
2007-12-8 11:06 PM
P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
Z+ U6 @0 h2 d8 Y+ w
) v2 d8 Z9 ?( |- J2 O) O
這個我有點看不懂是什麼意思!
( t" ~/ q- \( |# ^: \" C
可以在詳細講明白一點嗎!!!
! g- G9 D" e _ _' i2 k( P8 E( m
/ W) k6 z2 p3 z9 X1 k
OD是什麼意思?
8 k9 [ P; R0 Q% Y7 ?, k
P-well不是nmos的p基體嗎?
2 ^3 O, G0 `3 t% ?% {4 q0 j4 g
: u- G1 s, G# ?8 C0 O: C
不好意思!現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!
作者:
egg
時間:
2007-12-9 02:54 AM
這條是check latch-up的drc rule
, @1 P1 s( z g& T& f V
是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
* z- |3 [' L) S) X
20um半徑圓內打幾顆P+_contact
0 D0 m. i. Z! _/ G2 L
就會解掉這條了
作者:
m851055
時間:
2007-12-9 01:49 PM
OD=Active=Diffusion
8 T% {; E+ k, J) \3 ]
~. `+ D3 A2 F4 H! M. P* x4 k3 X7 \
在NMOS半徑20um以內畫上,P+ OD(P+ & Active)就好了。
作者:
motofatfat
時間:
2007-12-10 10:35 AM
應該是body or base 離的太遠
' ^9 u! t8 |9 O2 g# l& P$ a. H' ~; R
要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
4 Z/ w; K& ?( V& H I4 o
加 N+DIFF ㄉ地方
( V! a; h8 B2 K5 L
9 X0 R" c8 S# |
以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方
作者:
skeepy
時間:
2007-12-12 02:00 PM
LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
2 k0 h; ]0 q& N/ s i9 ^% {
就說明要小於20um了,怎麼會要拉超過呢?
: c+ M5 Z/ {3 m3 D- g% |
簡單而言就是pmos用n+ring圍起來,nmos用p+ring圍起來是最保險的。
作者:
tubaaa3210
時間:
2007-12-14 04:35 PM
表示你的BULK OD 離 MOS OD 超過20UM
; q1 S# d3 y( W$ U% o
但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
/ a' h" _' Z/ O& q: M& I+ w! d+ T
這就是樓上說的LATCH-UP的問題
作者:
yoyo20701
時間:
2007-12-22 06:23 PM
嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解
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