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標題: 請教nmos in nwell的問題 [打印本頁]
作者: sw5722    時間: 2007-11-16 11:08 AM
標題: 請教nmos in nwell的問題
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變! u; ]( @& l- c9 L9 O+ H
電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,
+ W, G4 ?, _0 J% P5 r: W% r9 qnetlist file中那個model name是用 n表示,這model name
3 c4 i# w% E8 \5 F- ^6 F9 Y是否有問題.  C5 X) y: |( L7 I
ps. 1  error report是  1 |7 Q. z$ B, q. ~$ {
******************************************************************************
) o( K, L1 G% h5 g! g8 y4 U. l                                 INCORRECT INSTANCES
* ~* `$ d0 M+ H8 |0 k6 z
9 G* ^* l) }* o' o: D6 `DISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME
1 p8 B1 j5 i& z*******************************************************************************
% i3 E" a; ]2 ^1 `2 f7 J
0 e& ]1 T: t' z3 i6 U: }* n  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)- M# p- j5 w& {/ q1 c% x/ V

# I3 Z" @& T5 H7 W. v( F- E只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋, @& ]9 Q& V7 t+ F

! S# B/ @+ {% n. Z4 O+ yps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,3 z! k# K& W2 C/ h  z1 a* ?6 X
     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
作者: m851055    時間: 2007-11-18 06:14 AM
從你的PS上猜測
7 {5 W2 J0 J  T應該是device name對不到，檢查看看netlist的device name，如果是就修改LVS command files就好了。
作者: sjhor    時間: 2007-11-19 09:46 AM
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!
5 y1 w+ B. I' U$ z# V8 Y+ k所以  不能以  NMOS 建圖!!
作者: sw5722    時間: 2007-11-19 05:34 PM
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,, T' x/ V1 f4 C3 ?7 n% B5 j( [
卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.. b3 |, E7 X% o
所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file+ G6 q' ?4 y# B' F
不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion- W. L) W9 I& x0 {- a3 t
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,1 i! M. m% a7 T9 e6 c' W
而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos
) h) x) A1 `* C$ N# F8 y, `1 E3 g的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓
+ T0 f! Y* k( j% k5 @0 T, C1 Xcommand去認它.
作者: sw5722    時間: 2007-11-20 12:01 PM
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的
3 r: R* k6 H0 w: p東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring
! W0 @2 x2 @' k3 @( k1 J是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
  Q1 `4 n7 h  s: P東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
& u% l) {2 o! E) V+ X( |4 [( r) ?另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的
& X/ T/ a/ C& {; C+ U7 t' b人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
: P7 R6 V% q9 g! ?; ?: v所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
作者: sjhor    時間: 2007-11-20 03:47 PM
原則上  這個電容是可以用的!!
, w+ ]1 {1 D8 ?5 o" H2 a; E$ A加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!$ u) e2 _6 w8 U
這個電容有許多人用過!!
$ X% y6 a; g" f% `& O# l) t; ~早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
作者: sw5722    時間: 2007-11-21 10:33 AM
基本上command flie的描述是這樣' h5 O( I7 ^+ @1 C
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY
- r+ G4 @; O4 ]' P2 Rnmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)
2 _- V9 m, v0 b( h' f; S這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用: U/ T* r, q4 Y: N  E# |" o
"nmoscap",這樣是否可以.1 `$ ~. a1 v( c  i5 k8 j
我在netlist file上這樣描述,1 }) x9 u  X) I2 E& ?% X4 N
XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
0 V! ^8 i4 q0 J$ P! w; \然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式
2 p- s  a: B  ^% ?這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
作者: sw5722    時間: 2007-11-22 02:00 PM
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
) j; X& t0 S' o# k/ L% S3 U這個問題.



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