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標題: latch-up [打印本頁]

作者: P96030072    時間: 2007-11-12 11:30 PM
標題: latch-up
可以請問一下何謂latch-up嗎   聽過很多人的解釋 翻過很多的書籍 但都解釋的太深了   還是不很了解   可以請問各位厲害的大大前輩們
2 X" z  G: S! W/ e) d2 ]2 ~可以用白話一點的方式解釋一下嗎    感激你們喔  
作者: 君婷    時間: 2007-11-13 08:44 AM
你可以看看謝永瑞寫的vlsi概論 這本繁體書的介紹吧@@
/ h8 x3 a5 h! L  L最簡單的一句話就是:探討vdd與vss短路的現象!
1 C- `; J& c4 i' L  l$ x: H# k) N8 S因為電路裡面因寄生電阻而產生寄生電路,而從寄生電路中可發現若寄生電阻越大將會使得vdd與vss之間的2棵TTL電晶體導通電流越大,於是當非常大時 vdd到vss之間已形同短路,這時就稱為latch-up  。# U, u; g( s" }
書上有畫它的寄生電路給你看,你看了就懂了!+ \' x3 K3 a/ {' A
而為了降低此現象發生的可能性,則是想辦法降低其寄生電阻,書上就有提到佈局中用5種以上方法的介紹!
0 j2 _+ L7 F+ i/ a3 X9 {2 j' c% G+ H
. p* H  w) W# K- |1 Q不過我很好奇的是,不管是什麼現象問題  ,最後不是只要看post-sim波形好不好 就行了?+ b0 K( `9 t! ^! J% Q: M
如果發生latch-up或其它初學者所不知的現象,我想跑post-sim時波形應該就會明顯的有問題才對!  所以畫 layout就是要想辦法把post-sim給跑的好就較不用懷疑會不會還產生什麼現象,只是畫很大電路時   這layout技巧 就是最主要的學問了...
! O2 _& q5 C7 h/ K以上是小妹個人 看法,如有誤 請幫忙糾正 謝謝><
0 I8 [. [- h. i% R$ j( x* V6 T4 Z+ \, z& h  z4 n2 M
另外像latch-up現象若發生,但你跑drc、lvs應該就不可能過了阿@@
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/ F, {; @, m( L3 Y[ 本帖最後由 君婷 於 2007-11-13 08:47 AM 編輯 ]
作者: P96030072    時間: 2007-11-14 01:25 AM
標題: latch-up
很感謝你的回答,你說的那本書我有,可能真的太理論了,看不是很懂,還是謝謝妳唷
作者: sjhor    時間: 2007-11-14 08:28 AM
參考這篇試試看唷!!
8 n/ n! F) @( {1 s* W* E3 DLatchUp成因以及解決方式& F' {& M* q$ V& c  Q  J: G
http://www.chip123.com/phpBB/vie ... &extra=page%3D1
作者: m851055    時間: 2007-11-18 06:19 AM
標題: 回復 2# 的帖子
一般而言latch up與DRC及LVS無直接的關係,DRC只是check 製程的可行性(除了有部分大公司提供已驗證latch up的rules),LVS是驗證電路用的。
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" M( A/ ?2 j6 q( y一般latch up是不小心和出來的,即使是有多年經驗亦不容易察覺。( u% ]0 _& U0 z  i- S4 J% G' |
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[ 本帖最後由 m851055 於 2007-11-18 06:28 AM 編輯 ]
作者: tubaaa3210    時間: 2007-12-14 01:51 PM
latch up如果單以LAYOUT的角度來看的話..* _' d1 B/ r- M0 T9 U2 l
其實要注意的事項就簡單多(我是這樣認為...至少我所接觸過的產品 ANALOG )
! y# O+ m- C5 i; I2 c. G大致上..注意是指..BULK上面的CON. 到 MOS OD上的CON.的距離..不要太長- g% i( p$ `$ B, A
要在DRC的RULE裡面# Q3 w9 F1 @3 ~% U) d9 y
以TSMC025以下到TSMC015..沒記錯了話應該是15UM




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