Chip123 科技應用創新平台
標題:
VOLTAGE REFERENCES
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作者:
jerryhuang23
時間:
2007-11-8 05:30 PM
標題:
VOLTAGE REFERENCES
請問一下
2 \! e; K3 U! Z* f! q
在VOLTAGE REFERENCES使用 運算放大器+電晶體來做
* Y1 g* Z6 h; `- M+ N4 m
運算放大器就使用Folded cascode op
6 H' ]3 `5 V* u9 T! ]: c
* v( d- @4 L" k$ \, }
我的問題是 要如何調整所要的VOLTAGE REFERENCES大小?
8 l3 b% L" m ?! Z6 w
* L1 s1 {4 J# [, p
還有就是如何在標準 CMOS製程中實現BJT?
/ Y$ `1 D& i' y0 k3 h
, X( x) ?7 O7 d; M6 f
另外想再問一下
$ b7 ]* L1 N, O- u
HSPICE中 有五種Corner(TT、FF、FS、SS、SF)
7 b+ Q$ B; X6 E. J
請問這幾種有什麼差別呢
6 L. f: P( h+ q- f% V
小聲問(ppm是什麼的單位)
' |" N$ F* q% z% Q$ K) W, |
謝謝各位了
作者:
et2234
時間:
2007-11-9 11:15 AM
A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation
0 W3 \( u, ~: T
1999 JSCC
, h: m. z% u3 k; x! i& o; M3 i8 _
看一下這篇論文吧
作者:
monkeybad
時間:
2007-11-14 04:39 PM
VBG(1.25V)+Voltage Buffer(OP+回授電阻分壓)就可以調出你要的電壓了
4 x0 k- D; q+ [' o. V
+ z: I" q1 q/ E# j1 o+ [
PPM是指百萬分之一
+ b5 R+ R$ W3 F( N
8 v% v; O2 s+ p
TT FF FS SS SF 是說PMOS跟NMOS是快的還是慢的 F是快 S是慢 T是Typical
5 m( p# Q& m9 b0 l. ^7 ~) k: z( z
快跟慢主要是因為製程的變異造成Vth不同 Vth越小 MOS速度越快
: U) [' R [5 {# n
一般設計電路這些corner都會模擬一遍 以保證電路在製程變異下 還是可以運作
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