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標題: VOLTAGE REFERENCES [打印本頁]
作者: jerryhuang23    時間: 2007-11-8 05:30 PM
標題: VOLTAGE REFERENCES
請問一下/ `: c& {- j0 ]5 d  k( s5 V& Q
在VOLTAGE REFERENCES使用 運算放大器+電晶體來做
5 d8 c9 q7 J8 R運算放大器就使用Folded cascode op- S+ J$ d/ E' C; s% R( e

. a9 |) E. @' J  Q我的問題是 要如何調整所要的VOLTAGE REFERENCES大小?$ L4 S1 _5 O* }  v: J
8 H9 l8 S! H1 L
還有就是如何在標準 CMOS製程中實現BJT?) T! L! p: n  m
2 L# K2 Q1 q; V
另外想再問一下9 Z" b" s8 v( J' z' ~- L
HSPICE中  有五種Corner(TT、FF、FS、SS、SF)
+ N3 F- s$ J+ E7 B4 j+ V2 X! v請問這幾種有什麼差別呢2 f0 @3 V  z" _6 t& b1 r9 [
小聲問(ppm是什麼的單位)
$ L+ g! B6 X9 M1 b8 z. n/ Z2 y* X謝謝各位了
作者: et2234    時間: 2007-11-9 11:15 AM
A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation
9 g( L' _2 T# d1999 JSCC
& C% V+ e) s* [看一下這篇論文吧
作者: monkeybad    時間: 2007-11-14 04:39 PM
VBG(1.25V)+Voltage Buffer(OP+回授電阻分壓)就可以調出你要的電壓了% o9 a$ _" \& c6 C
+ R$ c* ?" D% i& X& y1 `
PPM是指百萬分之一
! S+ k5 P( N# l7 Y/ Y& s6 y. M8 P  y( M4 K
TT FF FS SS SF 是說PMOS跟NMOS是快的還是慢的 F是快 S是慢 T是Typical
; {% M1 K8 N0 z# I" M2 D快跟慢主要是因為製程的變異造成Vth不同 Vth越小 MOS速度越快
. t" k5 T3 A) T* F1 E" p- U* t; X一般設計電路這些corner都會模擬一遍 以保證電路在製程變異下 還是可以運作



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