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標題:
該如何分辨電路在layout時，該左右交插對稱???
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作者:
ynru12
時間:
2007-10-29 09:47 AM
標題:
該如何分辨電路在layout時，該左右交插對稱???
想請問一下，在layout時，有的時候，一些電路不是需要左右對稱或者是交插放嗎??
, O1 i! t( M' w7 l
像是那些時候需要這樣子做??那這些電路的兩旁有需要加上dummy嗎??
4 v, b" Y8 O( s* A2 u
/ o) _9 {$ v/ O4 D/ H
不知各位先進可否提供一些經驗給我???
作者:
bjic
時間:
2007-10-29 11:12 AM
一般是差分电路多用在op里，从schematic上可以分得出来（layout note）
, g. u6 i/ ~" K3 Y5 s6 R
再就是看pin name 比如inp inn之类，很明显的。左右管子数一般相同。
% w+ \& |, d" n
对称有common centro ,mirror之分，common centro 比较难做，占size
& _: {3 y- v% J1 c8 i$ t! s: q2 b
the art of analog layout 里有。
作者:
sw5722
時間:
2007-10-29 04:44 PM
一般來說都是designer決定的比較多,layout能決定的比較少,為什麼要
. A) l. o. |7 g4 F) u/ V
這樣擺放,主要是因為跑線會比較固定,而跑線有電阻,會決定這條線電流
+ k9 R. p5 b; O: J! \) I5 W" L- v1 `
流多少,所以有關電路方面的,通常交給designer決定會比較好.
! H( O% ~6 w; \3 x
關於dummy,有放比沒放好,因為從製程來看,它是一層一層做上去,在做一
- e# A9 |7 [5 {
個區塊時,它的邊緣,會因為蝕刻或是其他原因,做得較不好,所以才放dummy
1 g$ x* u; H! m7 E
做犧牲品.但有時為了壓面積,不一定會放.
作者:
yhchang
時間:
2008-2-4 01:26 PM
標題:
回復 1# 的帖子
需要左右交叉對稱的時候
+ ]2 ]0 i1 G4 g. m# C$ W
就表示 那兩顆MOS FAB 製作出來的W/L
) j5 g, _) z0 j. X8 H8 K2 y
設計者非常的在乎 希望兩者的W/L 最好可以一模一樣
4 ~4 V' C* O" K" C( ?& W
就算不能一樣 也希望製程有偏差的時候
G/ f, s4 n5 H8 x# ~5 O3 e* q
兩顆MOS 偏的趨勢也最好可以是同一種趨勢
1 b: v* d3 a! O! O' d
6 H/ r& p. _( \( I ^) r
目前我知道 需要這樣做的有
. \" M& r: q% a( B/ F k6 N5 E. ]
1. Differential 放大器的兩端輸入的MOS
, H8 x5 }0 C# z* f3 l/ g! J
2. Current Mirror的兩端MOS.
作者:
JoyChou
時間:
2008-3-4 11:16 PM
就我有lay過的圖來說
9 v0 |! P% N& a# g# l) R
op很注重對稱
7 v% _4 ~& n& ~) \$ g
只要有Current Mirror的MOS以及差動對
k9 B& T) |: ^2 M3 m4 P4 J
都需要對稱
& d8 B$ k4 w) l; x
若圖裡有電阻或電容時
4 G9 C$ b, ~0 h5 P0 Q
可以請教RD是否需要對稱或者是交錯擺放
% N* A! T" T8 A4 @- ~
以上這些圖能放dummy的話最好放
8 ^2 F8 G, c$ p% L: G4 [+ ^
這樣對光罩出來的結果誤差會比較小
' b) Y- p1 Q0 g$ ^ T. y+ J! D& C
除非RD有面積的考量
5 h$ H6 p2 {9 I$ c1 Y
總之多跟RD討論會比較好
作者:
yhchang
時間:
2008-3-5 02:02 AM
標題:
回復 1# 的帖子
最近在學LAYOUT課程 我想需不需要 交叉對稱
+ ~9 o# e. ]0 W; R' m: K1 S4 `
完全取決於 這個地方的OP 差動對 或者是電流鏡
$ l) ~: {$ x- c$ {- F
是不是關鍵性的組件 如果不是 那就不需要 交叉對稱+旁邊加dummy
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